Toshiba und SanDisk bauen neue Anlage

Parwez Farsan
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Um der stetig wachsenden Nachfrage nach NAND-Flashspeichermedien nachkommen zu können, bauen Toshiba und SanDisk gemeinsam eine neue Produktionsanlage für 300-mm-Wafer auf dem Toshiba-Werksgelände in Yokkaichi, Japan. Der Bau der neuen Anlage soll im August 2006 beginnen; für Ende 2007 ist die Inbetriebnahme geplant.

Toshiba wird die Kosten für das Gebäude übernehmen, während die Kosten für die Produktionssysteme gemeinsam von Toshiba und SanDisk getragen werden. Die neue Anlage, Fab 4 genannt, wird in etwa so groß sein wie die ebenfalls auf 300-mm-Wafer ausgelegte Fab 3, die bereits in Yokkaichi in Betrieb ist und seit Sommer 2005 genutzt wird. Beide Unternehmen haben die Kapazität der Anlage proaktiv gesteigert, um so die Nachfrage erfüllen zu können.