4-GBit-Speicherchips in 50 nm von Samsung

Samsung, seit Jahren Vorreiter bei der Entwicklung von DRAM-Chips, hat Ende vergangener Woche die Fertigung erster 4-Gigabit-DRAM-Module nach DDR3-Standard bekannt gegeben. Damit ließen sich unter Verwendung der Dual-Die-Technologie erstmals Speicherriegel mit einer Kapazität von 32 Gigabyte realisieren.

Durch den Einsatz der 50-nm-Technologie, die bei 2-Gigabit-Chips seit September 2008 zum Einsatz kommt, konnte die für den Betrieb notwendige Spannung der Chips auf 1,35 Volt gesenkt werden. 16-Gigabyte-Module auf Basis der neuen 4-Gigabit-Chips verbrauchen laut Samsung dank der gesenkten Spannung und der halbierten Anzahl an Chips (32 statt 64) gegenüber den Vorgängern mit 2-Gigabit-Chips gut 40 Prozent weniger Leistung.

Angaben darüber, ab wann die neuen Chips in die Massenfertigung gehen und im Handel erhältlich sein werden, machte Samsung nicht.