64-Gbit-Chips mit 3-Bit-Zellen von Samsung

Samsung hat den Produktionsstart von 64 Gbit großen NAND-Flash-Chips mit 3-Bit-Zellen und in einem Prozess der 20-nm-Klasse – das heißt zwischen 20 und 29 Nanometer – bekannt gegeben. Verglichen mit herkömmlichen Multi-Level-Cell-Speicherchips (MLC) mit 2 Bit pro Zelle sind nochmals höhere Speicherdichten möglich.

Die neuen Speicherchips sollen vor allem in USB-Speichersticks und Speicherkarten eingesetzt werden. Solid State Drives und Smartphones werden aber zumindest erwähnt. Gerade bei SSDs könnten jedoch eine höhere Fehleranfälligkeit und eventuell trotz Toggle-DDR-Interface eine geringere Leistung im Vergleich zu herkömmlichem MLC-Chips problematisch sein. Ähnliche, in 25 nm feinen Strukturen gefertigte 64-Gbit-Speicherchips haben Intel und Micron bereits Mitte August unter dem Namen „TLC“ (Triple Level Cell) vorgestellt und den Produktionsbeginn für Ende 2010 anvisiert.

64-Gbit-Chips der 20-nm-Klasse mit 3-Bit-Zellen von Samsung
64-Gbit-Chips der 20-nm-Klasse mit 3-Bit-Zellen von Samsung

Samsungs Ankündigung kommt nicht einmal ein Jahr nach dem Beginn der Produktion 32 Gbit großer 3-Bit-Chips in einem Prozess der 30-nm-Klasse im vergangenen November. Erste Produkte der 20-nm-Klasse stellte das Unternehmen im vergangenen April vor.