64 Gbit Toggle DDR2 MLC-Flash von Samsung

Samsung hat mit der Produktion des ersten 64 Gbit großen MLC-NAND-Speicherchips mit Toggle-DDR2-Interface begonnen. Dieser wird in einem Prozess der 20-nm-Klasse hergestellt und soll neben modernen Solid State Drives auch für Smartphones, Tablets und andere mobile Geräte genutzt werden.

Dank des Toggle-DDR2-Interfaces erreicht der Chip eine Datenrate von bis zu 400 Megabit pro Sekunde. Die aktuell genutzten 32-Gbit-Chips mit Toggle-DDR-Interface kommen im Vergleich dazu nur auf 133 Mbit/s und normale Chips mit SDR-Interface sogar nur auf 40 Mbit/s. Davon sollen insbesondere auch Geräte mit USB-3.0- und SATA-6-Gb/s-Anschluss profitieren, die hohe Übertragungsraten unterstützen.

Weiterhin soll durch die feineren Strukturen des neuen Chips auch die Produktivität gesteigert werden. Gegenüber den 32-Gbit-Chips mit Toggle-DDR-Interface, die ebenfalls in einem Prozess der 20-nm-Klasse gefertigt werden, um rund 50 Prozent. Verglichen mit einem 32-Gbit-Chip der 30-nm-Klasse sogar um das Doppelte.