HGST bringt erste SAS-12Gb/s-SSDs auf den Markt

Bei Massenspeicherlaufwerken mit SAS-Schnittstelle war bisher bei einer Bruttodatenrate von 6 Gbit/s pro Port Schluss. Um mehr Durchsatz zu ermöglichen, wurden zum Teil zwei SAS-Ports gebündelt, um auf 12 Gbit/s zu kommen. Jetzt präsentiert HGST erste Enterprise-SSDs mit bis zu 12 Gbit/s über einen einzelnen SAS-Anschluss.

Damit feiert die neueste Fassung der SAS-Schnittstelle mit gegenüber dem Vorgänger verdoppelter Bruttodatenrate in SSDs Premiere. Im vergangenen Jahr hatte HGST bereits 12Gb/s-SAS-SSDs an entsprechend kompatiblen Host-Controllern demonstriert.

Gleich drei Serien von für Server mit hohem Datenaufkommen gedachten Solid State Drives mit der neuen Schnittstelle bringt HGST auf den Markt. Allen gemein ist dabei der Einsatz von 25-nm-MLC-Speicher der „Enterprise-Klasse“ (auch eMLC genannt), bei welchem es sich in der Regel um selektierte NAND-Flash-Chips mit höherer Qualität handelt, die entsprechend eine höhere Lebensdauer (mehr P/E-Zyklen) aufweisen sollen als „gewöhnliche“ MLC-Chips. Untergebracht sind die Platinen in einem 2,5-Zoll-Gehäuse, das mit 15 Millimetern gegenüber den meisten SSDs aus dem Consumer-Bereich vergleichsweise hoch ausfällt. Dies ist unter anderem dadurch bedingt, dass je nach Kapazität – bis zu 1.000 Gigabyte bietet HGST an – auch zwei Platinen mit Speicherchips übereinander verbaut sind.

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Sowohl was Leistung als auch Langlebigkeit angeht steht die Serie Ultrastar SSD800MH mit 200, 400 oder 800 Gigabyte an der Spitze der Neuvorstellungen. Das Potenzial der neuen Schnittstelle soll laut Datenblatt praktisch voll ausgenutzt werden, werden doch maximale Leseraten von 1.200 MB/s versprochen. Die maximale Schreibrate soll bei 700 MB/s liegen, was für die vorherige SAS-Spezifikation bereits zu viel gewesen wäre. Natürlich handelt es sich dabei um (theoretische) Maximalwerte – die Dauertransferleistung dürfte darunter liegen. Auch die IOPS fallen für ein SAS-Laufwerk hoch aus: Bis zu 145.000 IOPS lesend und 100.000 IOPS schreibend werden bei zufälligen Zugriffen auf 4K-Daten versprochen. Zudem sollen sich die SSDs innerhalb von 5 Jahren täglich bis zu 25 Mal über die nutzbare Kapazität hinweg mit Daten beschreiben lassen, was beim Spitzenmodell mit 800 Gigabyte einer Schreibleistung von 36,5 Petabyte entspricht.

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Bei den Laufwerken der Serie Ultrastar SSD800MM handelt es sich offenbar um etwas langsamere Pendants der SSD800MH-Modelle: Statt 1.200 MB/s werden 1.150 MB/s beim Lesen genannt; zudem sollen statt 100.000 lediglich 70.000 IOPS beim Schreiben erzielt werden. Darüber hinaus traut der Hersteller den Speicherchips weniger Schreibzyklen zu: Die SSDs sollen in 5 Jahren zehnmal pro Tag beschreibbar sein. Die Serie Ultrastar SSD1000MR bietet mit Modellen mit 250, 500 oder besagten 1.000 Gigabyte den meisten Speicherplatz und soll dabei die gleichen Leseraten wie die SSD800MH erreichen. Beim sequenziellen Schreiben liegt sie mit 700 MB/s ein wenig darunter, bei zufälligen Schreibzugriffen fällt die Leistung mit maximal 20.000 IOPS allerdings deutlich ab. In Sachen Langlebigkeit bildet die SSD1000MR schließlich das Schlusslicht der Neuvorstellungen: Nur noch zwei „Laufwerksfüllungen“ pro Tag in fünf Jahren werden versprochen.

Damit bietet HGST nach eigenen Angaben die derzeit höchste Leistung bei SSDs mit SAS-Schnittstelle an. Noch ein gutes Stück schneller fallen SSDs mit PCI-Express-Interface aus. Der Vertrieb der genannten Modelle ist für Juni 2013 geplant. Wie bei Enterprise-Produkten üblich, werden in der Pressemitteilung keine Preise genannt. Weitere Details liefern die Produktseiten des Herstellers.

	Ultrastar SSD800MH	Ultrastar SSD800MM	Ultrastar SSD1000MR
Format	2,5 Zoll (100,6 × 70,1 × 15 mm)
Schnittstelle	SAS 12 Gb/s
Kapazitäten	200/400/800 GB		250/500/1.000 GB
Controller	keine Angabe
NAND-Flash (Fertigung)	(e)MLC (25 nm)
Leistungsaufnahme	9,0/11,0 W im Betrieb
Max. Petabytes Written	9,1/18,3/36,5	3,7/7,3/14,6	0,91*/1,83*/3,65*
Seq. Lesen (max.)	1.200 MB/s	1.150 MB/s	1.200 MB/s
Seq. Schreiben (max.)	750 MB/s	700 MB/s
Random Read (4K, max.)	145.000 IOPS
Random Write (4K, max.)	100.000 IOPS	70.000 IOPS	20.000 IOPS
* errechnet anhand Herstelleraussage „Two drive writes per day (DW/D) for five years“