SK Hynix startet Massenfertigung von 16-nm-Flash
Die Herstellung von Flash-Speicher mit einer Strukturbreite von lediglich 16 Nanometern nimmt allmählich Fahrt auf. Nachdem Micron im Juli mit der Auslieferung von Muster-Chips begann, kündigt Konkurrent SK Hynix nun den Start der Massenproduktion an.
Ziel ist es, bedingt durch den Fertigungsprozess kleinere und damit kostengünstigere Speicherchips herzustellen beziehungsweise die Speicherkapazität pro Chip zu erhöhen, ohne dass diese zu groß und damit teuer ausfallen. Die Zahl der pro Silizium-Wafer möglichen Chips bestimmt maßgeblich deren Preis.
SK Hynix sieht sich bei 16-nm-NAND-Flash als Vorreiter und erklärt in der aktuellen Pressemitteilung, dass der Südkoreanische Speicherhersteller bereits im Juni mit der „Massenproduktion“ der ersten Version dieses Speichers begonnen habe. Kürzlich soll nun die „full-scale“ Massenfertigung der zweiten 16-nm-Version angelaufen sein, die sich durch eine geringere Chip-Größe als kostengünstiger erweise. Dabei handelt es sich um 64-Gigabit-MLC-Flash; die Massenproduktion von 128-Gigabit-Pendants auf Basis der 16-nm-Fertigung soll erst Anfang 2014 anlaufen.
SK Hynix hat nach eigenen Angaben durch den Einsatz aktueller „Air-Gap“-Technologie (zu deutsch: Luftspalt) die durch die feinere Fertigung bedingt häufiger auftretenden Interferenzen zwischen den Speicherzellen in den Griff bekommen.
Bei Microns 16-nm-Mustern, die seit dem Sommer ausgeliefert werden, handelt es sich um 128-Gigabit-MLC-Chips, die laut damaligen Aussagen innerhalb des vierten Quartals 2013 in hoher Stückzahl gefertigt werden sollten. Sofern die Pläne eingehalten werden können, dürfte der Start der Massenproduktion in diesem oder dem kommenden Monat verkündet werden. Den jüngsten „Wettstreit“ um den feinsten Herstellungsprozess hatte im April Samsung mit der Verkündung des Beginns der Massenproduktion von 128-Gbit-TLC-NAND-Flash der „10-nm-Klasse“ eingeläutet, wobei eine genaue Strukturbreite wie gewohnt nicht genannt wurde, womit diese theoretisch auch bei 19 nm liegen könnte.