Registrieren Passwort vergessen?
8. Juli 2003

Test: 14 DDR400 Speichermodule im Vergleich (20/21)

Teil 2: Intel i865PE bis an seine Grenzen
Autor: Thomas Hübner

DDR466

Für viele Module unerreichbar blieb ein Speichertakt von 233 MHz. Besonders überraschend mussten hier viele Overclocking-Module die Segel streichen. Die günstigen Speichermodule haben nun die Oberhand gewonnen.

Vergleich: DDR466 (Best) - Durchsatz

 512MB Kapazität:
Samsung "CCC" DDR400 512MB
4.984
Hinweis: 2.85V-3.0-3-3-5
 256MB Kapazität:
OCZ PC3200 EL 256MB
4.973
Hinweis: 2.85V-3.0-2-3-5
takeMS DDR400 256MB
4.957
Hinweis: 2.75V-2.5-3-3-5
Infineon DDR400 256MB
4.935
Hinweis: 2.65V-3.0-3-3-5
Kingston ValueRAM DDR400 256MB
4.934
Hinweis: 2.85V-2.5-3-3-5
Crucial DDR400 256MB
4.932
Hinweis: 2.85V-2.5-3-3-5
Samsung "CCC" DDR400 256MB
4.883
Hinweis: 2.65V-3.0-3-4-5
Angaben in Megabyte pro Sekunde (MB/s)

Nur dem OCZ-Speicher ist es gelungen dem Ruf als Overclocking-Riegel einigermaßen gerecht zu werden. Allerdings muss sich der Speicher hier schon quälen lassen: 2,85V waren für einen stabilen Betrieb nötig.

Vergleich: DDR466 (Best) - 3DMark

 512MB Kapazität:
Samsung "CCC" DDR400 512MB
659
Hinweis: 2.85V-3.0-3-3-5
 256MB Kapazität:
OCZ PC3200 EL 256MB
656
Hinweis: 2.85V-3.0-2-3-5
Crucial DDR400 256MB
653
Hinweis: 2.85V-2.5-3-3-5
Infineon DDR400 256MB
653
Hinweis: 2.65V-3.0-3-3-5
takeMS DDR400 256MB
651
Hinweis: 2.75V-2.5-3-3-5
Kingston ValueRAM DDR400 256MB
647
Hinweis: 2.85V-2.5-3-3-5
Samsung "CCC" DDR400 256MB
643
Hinweis: 2.65V-3.0-3-4-5
Angaben in Punkten

Völlig unbeeindruckt vom Takt zeigten sich nur die Module von Samsung (mit den neuen CCC Chips) und Infineon. Hier ist nicht einmal eine Spannungserhöhung notwenig gewesen. Mit schlechteren Timings (3.0-4-4-8) wollten sich auch die takeMS 256MB Module mit 2,65V Betriebsspannung zufrieden geben.

DDR480/DDR490

Die Kür vollzogen letztendlich Speichermodule von denen man es nun gar nicht erwartet hätte. Es muss nicht immer teuer zugehen, um im Speichertakt hoch hinaus zu kommen.

Vergleich: DDR480/DDR490 (Best) - Durchsatz

 512MB Kapazität:
Samsung "CCC" DDR400 512MB
5.225
Hinweis: DDR490-2.85V-3.0-3-4-5
 256MB Kapazität:
Samsung "CCC" DDR400 256MB
5.065
Hinweis: DDR490-2.65V-3.0-4-4-5
takeMS DDR400 256MB
4.957
Hinweis: DDR480-2.75V-3.0-4-4-8
Angaben in Megabyte pro Sekunde (MB/s)

Zwei Riegelpaare von Samsung und die 256 MB großen Module von takeMS haben Taktraten von 240 MHz bzw. 245 MHz stabil geschafft. Bei diesem Takt sollte man sich jedoch bereits über eine Kühlung der Northbridge kümmern sowie auf einen guten Luftstrom im Gehäuse achten.

Vergleich: DDR480/DDR490 (Best) - 3DMark

 512 Kapazität:
Samsung "CCC" DDR400 512MB
689
Hinweis: DDR490-2.85V-3.0-3-4-5
 256 Kapazität:
Samsung "CCC" DDR400 256MB
671
Hinweis: DDR490-2.65V-3.0-4-4-5
takeMS DDR400 256MB
659
Hinweis: DDR480-2.75V-3.0-4-4-8
Angaben in Punkten

Den Taktwettkampf konnten also die günstigen Module für sich entscheiden, mit schnellen Timings konnten sie dabei jedoch nicht aufwarten. Kaum zu glauben ist hierbei die Spannung mit der Samsung einen Takt von 245 MHz erreichen konnte.

In Kooperation mit Lycos Europe Network