Hybrid-Darstellung

  1. #1
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    Post Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    Nachdem Intel und Micron vor einer Woche ihren 20-Nanometer-Herstellungsprozess für NAND-Flash vorgestellt hatten, kann Toshiba heute die Messlatte noch ein Stück höher – je nachdem wie man es betrachtet auch tiefer – legen und präsentiert die ersten NAND-Flash-Speicherchips mit einer Strukturbreite von nur 19 Nanometern.

    Zur News: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm
    MfG
    Micha

  2. #2
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    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    Noch 5 Jahre und nm reichen als Einheit nicht mehr.
    Geändert von Affenkopp (21.04.2011 um 16:19 Uhr)

  3. #3
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    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    Zum Glück ist das SI-Einheitensystem darauf vorbereitet

    Außerdem hat man auch noch sehr lange mit 0,xx µm rumgemacht wo man eigentlich auch schon nm hätte schreiben können (bei den Prozessoren vor etwa 5-10 Jahren). Denke mal das würde hier nicht anders sein, da sich 0,1 nm halt kleiner anhören als 100 pm, zudem erreicht man bei der Strukturbreite irgendwann mal die Größe einzelner Atome (0.1 bis 1 nm, für schwere/große Atome auch mehr), also so viel Spielraum nach unten ist da eh nicht mehr.


    Zum Thema selbst: Billiger statt schneller, bzw. mehr Speicherplatz bei gleichem Preis ist zu begrüßen.
    Geändert von CD (21.04.2011 um 16:24 Uhr)
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  4. #4
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    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    Zitat Zitat von Affenkopp Beitrag anzeigen
    Noch 5 Jahre und nm reichen als Einheit nicht mehr.
    Ich bin gespannt. Einzelne Atome bewegen sich im zweistelligen und dreistelligen Pikometer-
    Bereich. Heißt: 0,0xx bis 0,xxx nm. Frage mich, wie man stabilen Speicher aus einzelnen Atomen
    bauen will...
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  5. #5
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    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    Blöd nur, dass Atome nur 0,1nm groß sind.
    Die Einheit wird uns also noch sehr lang begleiten.
    Nach heutigen Erkenntnissen der Physik sind
    Halbleiter unter 1nm Strukturbreite völlig unmöglich.
    Selbst hier müsst nur ein Atom verrücken und alles
    wäre hinüber.

    Ich weiß, so etwas wurde in der Geschichte oft gesagt,
    aber die Größe und Struktur der Atome sind doch sehr
    gut belegt und lassen sich nicht ändern.
    Geändert von Weltenspinner (21.04.2011 um 16:25 Uhr)

  6. #6
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    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    Zitat Zitat von Weltenspinner Beitrag anzeigen
    Blöd nur, dass Atome nur 0,1nm groß sind.
    Die Einheit wird uns also noch sehr lang begleiten.
    Nach heutigen Erkenntnissen der Physik sind
    Halbleiter unter 1nm Strukturbreite völlig unmöglich.
    Selbst hier müsst nur ein Atom verrücken und alles
    wäre hinüber.

    Ich weiß, so etwas wurde in der Geschichte oft gesagt,
    aber die Größe und Struktur der Atome sind doch sehr
    gut belegt und lassen sich nicht ändern.
    Hm ja dabei sprechen wir aber nur vom radius der elektronenhuelle. fast die gesammte masse ist im atomkern lokalisiert, und der ist sehr sehr viel kleiner als die huelle. wer weiss vll geht da noch was, aber das uebernehmen dann die unis und forschungseinrichtungen dieser welt und sicher nicht intel oder toshiba :P
    ich kann mir nicht vorstellen dass das "kleiner" fuer immer das patentrezept fuer alles sind wird. wenn man sich in der forschung umguckt sind alle der meinung das es auf quantencomputer hinaus laeuft. zZ leider noch mit sau vielen problemen behaftet, aber die hoffung ist da dass man nach und nach alle probleme loesen kann, die erwartete rechenleistung waere selbst bei simplen exemplaren schon haeftig und wuerde auch die informatik vor probleme stellen. den ploetzlich braeuchte man fuer einen 128-bit schluessel nicht mehr all zu lange.
    Geändert von miagi (21.04.2011 um 17:32 Uhr)

  7. #7
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    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    19nm sind immerhin 5% kleiner und damit günstiger als 20nm. Die große Frage ist aber, wie viele Schreibzyklen sie aushalten. Die aktuellen 1000 bei 25nm Intel sind nämlich mehr als schwach und begrenzen die Haltbarkeit von SSDs extrem.

  8. #8
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    Post AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    Zitat Zitat von etking Beitrag anzeigen
    19nm sind immerhin 5% kleiner und damit günstiger als 20nm. Die große Frage ist aber, wie viele Schreibzyklen sie aushalten. Die aktuellen 1000 bei 25nm Intel sind nämlich mehr als schwach und begrenzen die Haltbarkeit von SSDs extrem.
    Naja..,angenommen die fläche auf dem die ist quadratisch, und misst beispielsweise 20x20mm resp 19x19mm auf, so ist das verhältniss der flächen rund 10 zu 9 also rund 10% kleiner :-
    )
    I am still confused, but on a much higher level!
    Zitat aus dem Forum: Dir muss man scheinbar auch nur nen Dr.Oetker-Fähnchnen in so'n dampfenden Haufen auf dem Bürgersteig stecken und schon läuft dir das Wasser im Mund zusammen, was ? ^^

  9. #9
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    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    Ich sehe das ganze nicht so optimistisch, ich weiß nicht...

    Jede Srukturverkleinerung führt zumindest im SSD-Bereich dazu, daß die Lebensdauer bzw die Anzahl der Schreibzyklen sinkt. Man versucht zwar, dem mit angepassten Controllern und mehr Reservezellen entgegenzuwirken, aber irgendwann wird das ganze ineffektiv. Entweder halten die SSDs dann nicht mehr lange, oder man muß so viele Reservezellen verbauen, daß diese den Vergünstigungseffekt der kleineren Strukturbreite wieder aufheben.

    Ich meine, daß sich irgendwann jemand ein anderes Material oder ein anderes Prinzip ausdenken muß.
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  10. #10
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    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    20nm...19nm...

    Man merkt aber schon, dass das in diesen Struckturgrößen nur noch langsam vorangeht. Da wird dann der erwähnte Sprung von 2 auf 3 Bit pro Zelle mehr ausmachen.

  11. #11
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    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    Warum 1nm? Der Van-der-Waals-Radius von Silicium beträgt 210pm, also dürften wohl nur Halbleiter unter einer Strukturbreite von 0,3nm unmöglich sein.

  12. #12
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    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    Wikipedia sagt, dass der Gitterabstand für Silicium in seiner typischen Kristallstruktur 0.54 nm beträgt - aber wer weiß vielleicht kann man noch kleinere Strukturen mittels gezielter Manipulation der Elektronenhülle/verteilung erreichen. Wie genau sehe ich zwar auch noch nicht, aber es komplett ausschließen möchte ich erstmal nicht.
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  13. #13
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    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    Ich würde NIEMALS unmöglich sagen!

    Du weißt doch noch nicht, was in 10 - 20 Jahren möglich ist!?

    Ein Atom ist bei WEITEM nicht das kleinste teilchen, welches Existiert.

    Aber hier lies dir das mal durch:

    http://www.drillingsraum.de/room-quarks/quarks.html

  14. #14
    Captain
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    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    Blöd nur, dass du für eine Struktur mindestens 3 Atome brauchst.

  15. #15
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    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    Naja in 10-20 Jahren wird man sicher keinen Halbleiter aus weniger als einem Atom erzeugen können. Vielleicht geht es irgendwann.. aber nicht in 10-20 Jahren. Eher in 100-200

  16. #16
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    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    @JumperJack
    Aber schau dir mal an, welche Energien man üblicherweise braucht, um Quarks zu manipulieren (es gibt schließlich nen Grund, warum die ganzen großen Teilchenbeschleuniger im GeV- bis TeV-Bereich arbeiten). Im Gegensatz zur Bandlücke eines normalen Halbleiters (einige wenige eV, also grob 9 Größenordnungen darunter) sind dazu enorme Energiemengen notwendig. Andererseits, vielleicht existiert auf dem Level auch irgendwas, das vergleichbar ist mit Halbleitern. Probleme sehe ich allerdings wie gesagt bei den notwendigen Energien. Um ein Elektron aus der äußeren Schale zu entfernen oder vom Valenz- ins Leitungsband zu heben sind nur einige eV notwendig, will man im Kern Nukleonen "bewegen", hat man es aufgrund der stärkeren Bindung gleich mit keV und MeV zu (3 bis 6 Größenordnungen mehr) zu tun. Manipuliert man nun die Quarks innerhalb eines einzelnen Nukleons, wird nochmals entsprechend mehr Energie benötigt, da die Bindungskräfte nochmals stärker sind.
    Geändert von CD (21.04.2011 um 16:38 Uhr)
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  17. #17
    Commander
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    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    So langsam werden die Sprünge aber kleiner. Wenn man das bei den Prozessoren/Grakas sieht, ist die Entwicklung aber ähnlich. 65, 40, 32 usw. die Abstände werden immer kleiner. Bin mal gespannt wie die die Performance sonst noch verbessern wollen, wenn es von der Hardwareseite nicht mehr so leicht geht.

  18. #18
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    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    Zitat Zitat von Crossfire Sebi Beitrag anzeigen
    So langsam werden die Sprünge aber kleiner. Wenn man das bei den Prozessoren/Grakas sieht, ist die Entwicklung aber ähnlich. 65, 40, 32 usw. die Abstände werden immer kleiner...
    Das stimmt nur bedingt, es kommt ganz auf die Sichtweise an.

    Jeder full-node Shrink (z.B. 65nm -> 45nm; 45nm ->32nm) verringert das DIE um ~ 50% (auch wenn die nominellen "Zahlen" weniger stark schrumpfen)!
    Gruß Athlonscout

    In mein Case kommt keine kastrierte Hardware!

  19. #19
    Malkavien
    Gast

    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    Hoffentlich stimmt die Qualität...
    Bei AKWs haben sie es ja nicht so drauf... siehe Block 3 Fukushima.

  20. #20
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    AW: Toshiba legt nach: NAND-Flash-Speicher mit 19 nm

    Zitat Zitat von Malkavien Beitrag anzeigen
    Hoffentlich stimmt die Qualität...
    Bei AKWs haben sie es ja nicht so drauf... siehe Block 3 Fukushima.
    Du vergleichst NAND-Flash mit einem Reaktorblock, der bei einem Erdbeben der Stärke 9 kaputt gegangen ist?

    Sag mal.. gehts noch? Wie alt bist du?

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