News 64-GB-DDR4-Module mit 3D TSV von Samsung in Serie

MichaG · 27. August 2014

Vom Übereinanderstapeln mehrerer DRAM-Dies, die mittels Silizium-Durchkontaktierung miteinander verbunden werden, verspricht sich die Branche höhere Speicherdichten, mehr Leistung und weniger Energiebedarf. Samsung beginnt nun mit der Massenfertigung erster 64-GB-DDR4-Module mit „3D-TSV-Technik“.

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Cr4y · 27. August 2014

Ein Unternehmen (ich galube aus den USA) arbeitet sogar daran, die verschiedenen Schichten per "Funk"/Induktion zu übertragen. Das soll noch mal höhere Übertragungsraten ermöglichen, und in der Herstellung nicht so extrem kompliziert sein, wie die einzelnen DIEs zu durchbohren.

Zu hoffen, dass diese Technik irgendwann zu niedrigeren Preisen führt, ist wohl vergebens, wenn im Grunde genauso viel Silizium-Fläche benötigt wird.

danny38448 · 27. August 2014

na dann mal abwarten was die speicher dann so kosten

ich hätte gerne gestapelte Prozessoren im rechner..das wäre auch super also 12 Dies übereinander zu je 30 Cores

Moselbär · 27. August 2014

Nun - das wird nur eine Frage der Zeit - ich erinnere mich noch an Zeiten wo man - je nach Anwendung oder Spiel - Speicher zugewiesen hat.

31 Jahre - wow - was soll ich da sagen? - lol

danny38448 · 27. August 2014

demnächst hab ich meine 32 Jahre am Rechner voll....kannsch dann in Rente gehen

MahatmaPech · 27. August 2014

habe gestern auch auf 64GB Riegel in Verbindung mit nem Haswell-EP Board eine Email an die Redaktion geschrieben. kann es sein, daß mein Hinweis am erstellen dieser News nicht ganz unbeteiligt war?

bizzy67 · 27. August 2014

Cr4y schrieb:
Ein Unternehmen (ich galube aus den USA) arbeitet sogar daran, die verschiedenen Schichten per "Funk"/Induktion zu übertragen. Das soll noch mal höhere Übertragungsraten ermöglichen, und in der Herstellung nicht so extrem kompliziert sein, wie die einzelnen DIEs zu durchbohren.

Zu hoffen, dass diese Technik irgendwann zu niedrigeren Preisen führt, ist wohl vergebens, wenn im Grunde genauso viel Silizium-Fläche benötigt wird.

War das nicht ne Fakenews von CB zum 1.April?

Rici1983 · 27. August 2014

Hmmmmm... Stapelchips!

MahatmaPech · 27. August 2014

Bahlsen oder Lorenz, der Herr?

CB_Pro_User · 27. August 2014

Klingt interessant, die Technik wenn jemand mir so ein RAM schenken, will einfach nur eine PN an mich.
Ich gehe davon aus, das die Technik am Anfang sehr teuer sein wird.

BlackWidowmaker · 27. August 2014

Hallo @ all,

wird Haswell-E damit laufen, mal ganz abgesehen von der Masterfrage "kann man damit auch Crysis zocken?".

Spaß beiseite, es gab ja auch eine News, daß es zukünftig sogar 128GB Riegel für Haswell-EP geben wird. Kann man solche Riegel dann auch auf Haswell-E nutzen? Mal abgesehen vom Preis, der dürfte sich dann bei ca. 5000€ bei Vollausbau bewegen. Aber 512GB RAM, das wäre schon eine Hausnummer. Nur wird da wohl Windows 7 nicht mitmachen, da müßte man ja den Win-Server aufsetzten.

Cr4y · 27. August 2014

bizzy67 schrieb:
War das nicht ne Fakenews von CB zum 1.April?

Hatte das in einer der letzten c't's gelesen. Müsste da noch mal nachschauen.

beckenrandschwi · 27. August 2014

Das wird doch auch schon bei Flash Speicher so gemacht. Ist sehr Sinnvoll. Wenn die Abwärme dann noch nicht so groß ist, sind bestimmt auch 8; 16; 32 Schichten denkbar. Aber teuer wird das Stapeln bestimmt werden.
Was ist mit der Haltbarkeit? Ist ja immer so ein Thema bei vielen Kontakten & thermischer Belastung...

Yumix · 27. August 2014

die sich jeweils aus vier DRAM-Dies á 4 Gigabit zusammensetzen

wird wohl à gemeint sein

[F]L4SH · 27. August 2014

Das kombiniert mit LPDDR4 -> Speicher ohne nennenswerte Leistungsaufnahme bei sehr guter Leistung!

mooks · 27. August 2014

mal eine frage an die experten:

warum reduziert dieses verfahren genau den stromverbrauch?

nach meinem verständnis erhöht sich "nur" die speicherdichte.

ein einziger normaler ramriegel mit 4*4GB modulen hätte natürlich einen höheren stromverbrauch als ein neuer riegel mit 4*4gb "schichten" da die leiterbahnen wesentlich kleiner zwischen den modulen sind.

ein neuer ramriegel mit 4*(4*4gb) modulen würde jedoch gleich groß ausfallen und müsste daher theoretisch sogar mehr strom verbrauchen da ja jedes modul mehr schichten hat.

wenn also ein neuer ramriegel mit viermal so viel speicher und gleicher modulanzahl wie ein alter ramriegel, weniger strom verbraucht würde mich sehr interessieren warum das so ist.

die schichtung alleine ist meiner meinung nach nicht der grund...

edit:
und thermisch gesehen ist das bei größerer schichtenanzahl auch nicht so problemfrei da die "unterste" schicht wesentlich heißer wird als die oberste.
somit könnte die schichtenanzahl rein thermisch eine grenze haben da:
a) die kühlung für die unterste schicht schlechter ist
b) aufgrund der temperaturdifferenz es zu kritischen spannungen im silizium kommen kann

panopticum · 27. August 2014

Ungeachtet des Preises werden so wohl hoffentlich bald SSD's mit 2+ TB für Endkunden realisiert.
Ich freu mich über die Entwicklung, dann haperts erstmal nichtmehr an Speicherplatz.

ITX · 27. August 2014

panopticum schrieb:
Ungeachtet des Preises werden so wohl hoffentlich bald SSD's mit 2+ TB für Endkunden realisiert.

Das hat mit SSDs gar nix zu tun.

Wattwanderer · 27. August 2014

panopticum schrieb:
Ungeachtet des Preises werden so wohl hoffentlich bald SSD's mit 2+ TB für Endkunden realisiert.
Ich freu mich über die Entwicklung, dann haperts erstmal nichtmehr an Speicherplatz.

Sieh dir Micro SDXC an. Aktuell maximal 128GB. 16 Stück davon ließen sich locker in ein 2,5" Laufwerk einbauen. Es ist nur eine Frage des Preises.

mooks · 27. August 2014

Wattwanderer schrieb:
Sieh dir Micro SDXC an. Aktuell maximal 128GB. 16 Stück davon ließen sich locker in ein 2,5" Laufwerk einbauen. Es ist nur eine Frage des Preises.

microsdxc mit einer ssd zu vergleichen ist jedoch schwachsinn

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