News Auch Intels 7-nm-Fertigung wohl ohne EUV-Lithografie
- Ersteller Volker
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Krethi & Plethi
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AMD hat seit jahren KEINE eigene fertigung...drago-museweni schrieb:
7nm mit 193nm belichtung wird halt teuer werden, das wird den output der Fabs reduzieren.
Zuletzt bearbeitet:
TNM
Captain
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eigentlich müsste man die 3. Dimension besser nutzen, dafür bräuchte es aber völlig neue Designs. Da die physische Grenze aber bald erreicht ist (kleiner als Atome...) würde es mich nicht überraschen wenn sie diesbezüglich schon zumindest Designstudien angefertigt hätten.
Und besseres Material als Silizium? Diamant. Nein, nicht ausgebuddeltes, künstlich gezüchtete Kristalle (günstiger, perfekter). Das Hindernis im Moment ist eigentlich nur die Kristallgröße, aber das kriegen sie schon hin mit besseren/größeren Druckkammern.
Und besseres Material als Silizium? Diamant. Nein, nicht ausgebuddeltes, künstlich gezüchtete Kristalle (günstiger, perfekter). Das Hindernis im Moment ist eigentlich nur die Kristallgröße, aber das kriegen sie schon hin mit besseren/größeren Druckkammern.
Krethi & Plethi
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mit graphen wären taktraten von mehreren hunder Ghz möglich, daran forschen eh schon einige.
Weyoun
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Wie groß ist die Wellenlänge des belichtenden Lasers im Verhältnis zur zu belichtenden Strukturbreite?
Aktuell wird mit 193 nm belichtet. Damit könnte man ohne "Tricks" wie Beugung durch unterschiedliche optische Medien wohl bis zur halben Wellenlänge kommen. durch Beugeeffekte / Brechnungseffekte beim Lithografieren durch starke optische Medien (Flüssigkeiten) kommt man noch etwas weiter. Aber bei 7 nm Strukturen noch mit 193 nm belichten? Das will in mein Hirn irgendwie nicht rein.
Da hätte ich gerne mal die technischen Spezifikationen des Prozesses.
Bei EUV (13,5 nm und somit weniger als 1/10 der bisherigen Wellenlänge) könnte man auf einige dieser Tricks bis auf weiteres verzichten. Allerdings gibt es hier halt andere Probleme:
1) EUV-Strahlung wird schnell von der Luft geschluckt, es muss also ein Vakuum herrschen.
2) Der Fotolack muss aus einem anderen Material bestehen (die bisherigen langen organische Polymer-Ketten sind ungeeignet) für die hochenergetische Strahlung.
Aktuell wird mit 193 nm belichtet. Damit könnte man ohne "Tricks" wie Beugung durch unterschiedliche optische Medien wohl bis zur halben Wellenlänge kommen. durch Beugeeffekte / Brechnungseffekte beim Lithografieren durch starke optische Medien (Flüssigkeiten) kommt man noch etwas weiter. Aber bei 7 nm Strukturen noch mit 193 nm belichten? Das will in mein Hirn irgendwie nicht rein.
Da hätte ich gerne mal die technischen Spezifikationen des Prozesses.
Bei EUV (13,5 nm und somit weniger als 1/10 der bisherigen Wellenlänge) könnte man auf einige dieser Tricks bis auf weiteres verzichten. Allerdings gibt es hier halt andere Probleme:
1) EUV-Strahlung wird schnell von der Luft geschluckt, es muss also ein Vakuum herrschen.
2) Der Fotolack muss aus einem anderen Material bestehen (die bisherigen langen organische Polymer-Ketten sind ungeeignet) für die hochenergetische Strahlung.
beckenrandschwi
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Bin auch mal gespannt, wie lange die Grenze des Machbaren verschoben werden kann. Wir sind schon sehr lange an der 4GHz-Marke. Ich denke, wenn es nicht mehr kleiner / komplexer geht, muss der Takt wieder hoch.
Stichwort: 10GHz CPU, wie Intel mal Anfang 2000 postuliert hat.
Stichwort: 10GHz CPU, wie Intel mal Anfang 2000 postuliert hat.
beckenrandschwi schrieb:
Das wiederum bekommt man mit Silizium nicht effizient hin. War ja der ursprüngliche Grund, warum man mit der Frequenz von 3,x Ghz zurück auf 2 Ghz gegangen ist, weil der Stromverbrauch und damit auch die Abwärme stark angestiegen ist. Mit z.B. Galliumnitrid sind hingegen Taktraten von selbst 100 Ghz kein Problem.
second.name
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Ist es nicht so, dass die "klassische Lithografie", bedingt durch ihre Wellenlänge, praktisch nur bis ca. 13,5nm belichten kann? ...Wie umgeht man denn die physikalische Gegebenheit, der unveränderlichen Wellenlänge, um vllt. bis 7nm diese "klassische Lithografie" anzuwenden?
Matzegr
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TheDuffman schrieb:
Der Wert des Fertigungs-Node kennzeichnet nicht die kleinste mit der Fotolithografie herstellbare Struktur. Früher entsprach der Zahlenwert des Nodes dem half pitch. Zum letztes mal passte es beim 90nm Node.
Und auch die Aussage Intels 22nm entspricht eigentlich 26nm ist für die Tonne, da sich die 26nm auf die gate length beziehen. Nur die passte zum letzten mal beim 350nm Node. Z.B. Hat der 65nm Node eine half pitch von 90nm und eine gate length von 32nm. Beim 350nm Node entsprach half pitch und gate length noch 350nm. Die Zeiten indem man bei CPUs aus dem Fertigungs-Node irgenwelche Größen ableiten konnte sind schon lange vorbei.
Herdware
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confuso schrieb:
Die alten Cray-Supercomputer hatten damals schon Chips aus Galliumarsenid-Halbleitern, schwimmend in Fluorinert-Kühlflüssigkeit. Beides mindestens so giftig und umweltschädlich wie es sich anhört. Und vor allem ausgesprochen cool!
Vielleicht sehen wir sowas dann ja irgendwann auch in Heim-PCs.
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Matzegr schrieb:
Menno jetzt hab ich so lange nach ner Quelle gesucht und du lässt es einfach so raus :/
http://techreport.com/review/26896/intel-broadwell-processor-revealed
Pennerschwert
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second.name schrieb:
Da der "Intel nm" ja länger ist als ein Standard nm , gar nicht.
Das Problem an Graphen ist aktuell noch, dass man aktuell noch keinen Weg gefunden hat, den Graphen-Transistor komplett abzuschalten. Ansonsten gebe ich dir aber recht, Graphen hat viele nette Eigenschaften, die für eine Zukunft sprechen könnten.Krethi & Plethi schrieb:
TheGreatMM
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Wenn interessiert der relative oder prozentuale gleiche Unterschied? Der Stromverbrauch eines Shrinks von 100nm auf 70nm ist messbar. Der Unterschied von 10nm auf 7nm versinkt jedoch wg. anderer Faktoren.yast schrieb:
Kaufentscheidend wird eine 10nm oder 7nm Fertigung nicht mehr werden...
Krethi & Plethi
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die nm allein sagen mal nichts über den verbrauch aus...
Cool Master
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@Krethi & Plethi
Klar tun sie das. Je kleiner die Fertigung desto kleiner der Verbrauch - zumindest bei gleicher Taktung bzw. leicht höherer Taktung.
Klar tun sie das. Je kleiner die Fertigung desto kleiner der Verbrauch - zumindest bei gleicher Taktung bzw. leicht höherer Taktung.
