News ASML: EUV-Lithografie erst ab 7 nm in Serie

0.117nm, sagt wikipedia. Wie er darauf kam weiss ich nicht, und Profs sind auch nicht allwissend. Um Tunneleffekte würde ich mir da gar nicht mal solche Sorgen machen. Wie will man denn bitteschön 2-4 Atomlagen dotieren? Da kollabiert ja das ganze Bändermodell, da brauchst du nicht mehr tunneln.
 
Einfach mal googlen, was man ueber EUV findet. Die Prognosen um 2005 herum waren, dass man in 2010 in die Serienfertigung (HVM) geht. 2011 stellte Xtreme technologies eine Roadmap fuer die EUV Lichtquelle vor, die schon in wenigen Jahren 250 Watt @ IF Leistung bringen sollte. Cymer, einer der anderen EUV-Quellen Hersteller, lief parallel mit den Prognosen. Alles das war jedoch Marketing. Die Probleme mit EUV sind jedoch nach wie vor gross. Die EUV Lichtquelle ist eine Maschine, eine Lampe die offen ist (die Oeffnung zum Scanner). Welche Lampe wurde je hergestellt, die offen ist? Ja Feuer:D
Ein paar cm Luft und schwupps ist EUV weg. Also Lampe, sorry Quelle und Scanner muessen unter Hochvakuum arbeiten. Linsen? wuerden sich trueben und EUV absorbieren. Also teure Spiegel, besser als in der Raumfahrt. Reticle als negativ, quatsch, wuerde EUV absorbieren, ist ebenfalls ein teurer Spiegel. Leistungssteigerung, debris mitigation, es gibt noch so viel zu tun. Fuer alle die, die nicht wissen wie das EUV bei dem von ASML verwendeten System hergestellt wird: Man laesst ein Zzinntroepfchen fallen, feuert mit einem extreme starken Laser drauf, wenn es ins schussfeld kommt, das zinn verdampft teilweise, es spritzt durch die gegend teilweise, es wird plasma, das plasma strahlt EUV aus. Das ganze passiert dann ganz schnell hintereinader, damit man Lichtpulse zur Waferbelichtung hat. Na kommt langsam ein Gefuehl dafuer auf, was das bedeutet?

Entschuldigt die komischen Umlaute, ich hab ne englische Tastatur, ich schreibe naemlich aus Veldhofen NL
 
Sehr interessanter Beitrag! In einer Glühbirne ist jedoch auch kein Vakuum und trotzdem brennt sie nicht sofort durch, es müsste also nur ein O2 reiner Raum existieren oder täusche ich mich da?
 
chris0901 schrieb:
Man laesst ein Zzinntroepfchen fallen, feuert mit einem extreme starken Laser drauf, wenn es ins schussfeld kommt, das zinn verdampft teilweise, es spritzt durch die gegend teilweise, es wird plasma, das plasma strahlt EUV aus. Das ganze passiert dann ganz schnell hintereinader, damit man Lichtpulse zur Waferbelichtung hat. Na kommt langsam ein Gefuehl dafuer auf, was das bedeutet?

Für mich klingt das nach nicht monochromatischer Strahlung, wie man damit Wafer belichten kann...?

@abc: Problem ist nicht Sauerstoff, der zur Oxidation führt, sondern generell Gasteilchen, mit denen es Wechselwirkungen gibt. Stichwort "mittlere freie Weglänge".
 
Ahh verstehe, dann dürfte jedoch schon ein Hochvakuum oder ein ultrahochvakuum reichen um die mittlere freie Weglänge so hoch zu halten, dass es keine Kollisionen mit dem "Belichtungsstab" gibt oder? Die Zinntröpfchenmethode erscheint mir extrem aufwendig, wahnsinn welchen Aufwand man betreiben muss um in solch extreme Strukturbreiten vorzudringen..
 
abcdef121448 schrieb:
Ahh verstehe, dann dürfte jedoch schon ein Hochvakuum oder ein ultrahochvakuum reichen

Ja, "schon". UHV ist in einer abgeschlossenen Kammer ohne große Bewegung und ohne Sauerei mit irgendwelchen gesputterten Sachen schwer genug. Aber ich kenn die Anlagen nicht wirklich und kann z.B. nicht sagen, wieviel Schleuserei zu anderen Anlagenteilen nötig ist, wie stark die Resists ausgasen (und wie weit man das thermisch beschleunigen kann, denn Zeit ist ja Geld), und wie die EUV-Strahlbildung nun funktioniert, d.h. auch wie gut man die Quelle vom Rest abtrennen kann.
 
Also nochmal. Das EUV wird von Luft oder Gasen schon nach wenigen cm Strecke absobiert. Deswegen in der Quelle Vakuum (Hochvakuum). Die Quelle ist zum Scanner offen, weil Glas etc. würde das EUV absorbieren, das heisst, der Scanner hat ebenfalls Vakuum. Quelle und Scanner bilden also eigenlich einen gemeinsamen Vakuum-Raum. Auch wenn der Übergang von Quelle zu Scanner nur ein paar cm Durchmesser hat, ist aber eben offen.

Drei Firmen entwickelten Quellen. Zwei Firmen mit der Tröpchen-Methode, eine Firma liess Wolframscheiben im Zinnbad drehen. Auf den Zinnfilm am Rad schoss man oberhalb des Bads mit einem Laser. Die entstehende Wolke setzte man unter Strom (mal ganz grob gesagt, ich könnte es genauestens erklären, nimmt hier zuviel Platz weg, die drei wichtigsten Verfahren findet man im Internet und LDP LPP DPP).

Zu der Glühbirnenfrage. ich war Ende Januar sogar noch im Philipsmuseum in Einhoven. Die ersten Glühbirnen hatten Vakuum. Der Baumwollfaden, mit Graphit vermischt, wurde mit einer recht einfachen Vakuumpumpe in einen luftleeren Galskolben versiegelt. Die Glühbirne. Die erste kleine Werkstatt und Produktionsstätte von Philips kann man sich originalgetreu nachgebaut dort im Museum anschauen.

Die modernen Birnen haben natürlich einen Wolframfaden und diverse Edelgase im Glaskolben (Halogenlampen). Handelsübliche Glühbiren für den Haushalt haben Wolframfaden und immer noch Vakuum in der Birne. Das hat aber gar nichts mit mit dem Vakuum der EUV Quelle zu tun. Beider EUV-Quelle gehts nur darum dass sonst die Strahlung absorbiert würde.
 
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Hmm danke für die ganzen Infos, ich hab mich gestern etwas in das Thema eingelesen und musste immer wieder schmunzeln als ich zB las dass man nur Spiegel verwenden kann da sich sonst, wie ihr schon sagtet, die Linsen trüben. Da diese Spiegel jedoch 70% Reflexionsleistung erreichen sollen(wäre interessant wieviel es wirklich sind), wäre das an sich schon ein IMMENSER technischer Aufwand. Weiters dürften die Spiegel nicht mehr als 50 Nanometer(also ein paar Atome) "Höhenunterschied" über die ganze Fläche aufweisen. Dann kommt noch hinzu dass die meisten langkettigen Polymere des Photolacks größer sind als die zu erzielende Struckturbreite etc. Von den Masken die ebenso in Spiegel "gezeichnet" werden müssen ganz zu schweigen. Jetzt frage ich mich ob es sooo extrem viel teurer ist auf Graphen(oder CNTs) umzusteigen, bei dem extremen Aufwand den man für EUV betreiben muss. Wahnsinn welche Dinge die Menschheit in den vergangenen hundert Jahren geschaffen hat. Ich bin immer wieder beeindruckt.

Vielen Dank auch für die Info mit den Birnen, ich dachte immer die würden ein Edelgas als Schutzgas haben. Diffundieren durch das Vakuum und die hohe Temperatur nicht recht schnell O2 Moleküle in die Glühbirne und verkürzen so ihre Lebenszeit?
 
abcdef121448 schrieb:
Weiters dürften die Spiegel nicht mehr als 50 Nanometer(also ein paar Atome) "Höhenunterschied" über die ganze Fläche aufweisen.
Naja, 50 Nanometer sind schon ~100 Atome, also noch relativ viel. Mit chemischer Politur kann man auch relativ leicht eine Rauigkeit von paar nm erreichen.

Jetzt frage ich mich ob es sooo extrem viel teurer ist auf Graphen(oder CNTs) umzusteigen, bei dem extremen Aufwand den man für EUV betreiben muss.
Angesichts der Tatsache, dass man bei CNT-Fets noch nicht über Labor-Prototypen hinausgekommen ist, würde ich sagen, dass das deutlich teurer ist als EUV einzuführen.

edit: Ein SZ-Artikel gibt 0.15 nm maximale Abweichung an. Das ist natürlich schon eine andere Herausforderung.
http://www.sueddeutsche.de/wissen/team-glatte-spiegel-fuer-kleine-chips-1.329867
 
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Oh wow.. weniger als ein Atom O.o Das ist schier unvorstellbar. Zugegebenermaßen hab ich auch einen recht alten Artikel dazu gelesen. In dem dachte man auch noch dass es 2009 marktreif sei :lol: Hmm das stimmt aber wenn man betrachtet dass es inzwischen schon LEDs mit Graphen gibt(keine Ahnung wieviel Graphen-Anteil die haben sollen) könnte man doch meinen, dass der Durchbruch bei anderen C-Strukturen "bald" bevor steht.
 
ich laich mal was ab.
Selbst wenn Strukturbreiten nicht mehr weiter hinunterskaliert werden können gibt es noch weitere Halbleiter Materialien und etliche weitere Wege wie man Computer schneller machen kann.
API, Chip Architektur, wir benutzen immer noch von Neumann Architektur!

Ansonsten gilt: Mehr Performance/Kapazität für denselben Taler.

D.h. wenn Fertigungstechnologie schneller wird könnten wir auch irgendwann mal ein ganzen Servertower in unserem Zimmer stehen haben.
Lediglich der Stromverbrauch muss beachtet werden. 1 kw sollte nicht überschritten werden.

Crossbar ReRAM hat angekündigt nicht flüchtigen Arbeitsspeicher fertigen zu wollen.
Eine Zelle auf 25nm². Oder ein Terabyte auf einer Briefmarke.
In zukunft könnten wird 1 PB gestapelt besitzen. Und davon 100 - 1000, es sei denn es geht schnell genug mit der Produktion.
 
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