Sandisk Ultra II 240GB - Nand/Host Schreibvorgänge

Wilsberg · 24. Januar 2015

Hallo zusammen,

ich bin neu hier, lese aber schon längere Zeit mit. Die NAND-Schreibvorgänge meiner Sandisk Ultra II 240GB haben einen Wert von 110GB, die Host-Schreibvorgänge dagegen 293GB. Wie ist dieser große Unterschied zu erklären? Oder handelt es sich hierbei um einen Auslesefehler?

jodd · 24. Januar 2015

Es wird immer mehr gelesen wie geschrieben, das ist völlig normal.

Wilsberg · 24. Januar 2015

Ja das ist klar, es geht mir aber nur um den Unterschied der Schreibvorgänge zwischen NAND - HOST

jodd · 24. Januar 2015

Da musst du wohl mal SanDisk fragen, den Punkt gibt es in CDI für meine Samsung SSDs (840 u. 850 EVO) z. B. gar nicht.

Valeria · 24. Januar 2015

Ich denke:
Die Bereiche sind zum Löschen markiert (Host-Löschvorgang) aber tatsächlich wurden die Bereiche noch nicht überschrieben (NAND-Löschvorgang)
Und Löschen ist eigentlich wie Schreiben^^

Bei meiner Crucial MX100 und bei meiner Samsung 830 seh ich nur die Schreibvorgänge und sonst nur Eingeschaltet und Betriebsstunden...

Holt · 24. Januar 2015

Wilsberg schrieb:
es geht mir aber nur um den Unterschied der Schreibvorgänge zwischen NAND - HOST

Das kommt von der Funktionsweise des Psuedo-SLC Caches, dessen geschriebenes Datenvolumen nicht mitgezählt wird, es wären dann wohl etwa 410GB wenn das der Fall wäre. Die Daten werden ja erst in den Pseudo-SLC Cache geschrieben und dann erst später in den normalen TLC NAND Bereich kopiert, wobei dies natürlich entfallen kann, wenn die Daten vorher schon ungültig wurden, die LBAs also überschrieben oder getrimmt worden sind. Das wäre bei temporären Daten der Fall, wenn etwa etwas installiert wird und dazu entpackt und nach der Installation gleich gelöscht wird.

Daher erreicht man bei Verwendung eines festen Pseudo-SLC Bereiches als Schreibcache wie es die Ultra II und die Samsung Evos haben, durchaus eine Write Amplification unter 1.

Ergänzung (24. Januar 2015)

PS: Das kann man in Anands Review der Ultra II auch nachlesen:

The improved performance is not the only benefit of nCache 2.0. Because everything gets written to the SLC portion first, the data can then be written sequentially to TLC. That minimizes write amplification on the TLC part, which in turn increases endurance because there will be less redundant NAND writes. With sequential writes it is typically possible to achieve write amplification of very close to 1x (i.e. the minimum without compression) and in fact SanDisk claims write amplification of about 0.8x for typical client workloads (for the TLC portion, that is). That is because not all data makes it to the TLC in the first place – some data will be deleted while it is still in the SLC cache and thus will not cause any wear on the TLC. Remember, TLC is generally only good for about 500-1,000 P/E cycles, whereas SLC can easily surpass 30,000 cycles even at 19nm, so utilizing the SLC cache as much as possible is crucial for endurance with TLC at such small lithographies.

Wilsberg · 25. Januar 2015

Holt - danke für die fachkundige Antwort!

Hallo32 · 25. Januar 2015

Holt schrieb:
Das kommt von der Funktionsweise des Psuedo-SLC Caches, dessen geschriebenes Datenvolumen nicht mitgezählt wird, ...

Daher erreicht man bei Verwendung eines festen Pseudo-SLC Bereiches als Schreibcache wie es die Ultra II und die Samsung Evos haben, durchaus eine Write Amplification unter 1.

Markierungen sind von mir.

Wobei es dann keine wirkliche WA mehr ist, wenn man folgende Definition als Grundlage nimmt.

Quelle: http://en.wikipedia.org/wiki/Write_amplification#Calculating_the_value

Holt · 25. Januar 2015

Ja und nein, die definieren als "flash memoriy" eben nur den normalen TLC Bereich und nicht den Pseudo-SLC Schreibcache, der ja auch viel mehr P/E Zyklen aushält. Neue Technologien haben alte Definitionen schon öfter an ihre Grenzen gebracht. Im übrigens ist Wikipedia nicht eine Normierungsinstanz die verschreiben könnte wie etwas zu definieren ist.

Hallo32 · 25. Januar 2015

Holt schrieb:
Ja und nein, die definieren als "flash memoriy" eben nur den normalen TLC Bereich und nicht den Pseudo-SLC Schreibcache, der ja auch viel mehr P/E Zyklen aushält.

Hält er wirklich mehr Zyklen aus, oder lässt er sich nur leichter auslesen, wenn der Zustand nicht mehr ideal ist?

In solchen Fällen wäre eine Angabe der WA als (Pseudo-SLC written)/(host written)=WAslchost und (TLC written)/(SLC written)=WAtlcslc wohl empfehlenswert. Das Forum kann kein tiefstellen. *grmml*

Holt schrieb:
Neue Technologien haben alte Definitionen schon öfter an ihre Grenzen gebracht.

Wobei man dann neu Definitionen geschaffen werden sollten und diese mit neuen Namen oder als neue Revision gekennzeichnet werden sollten.

Holt schrieb:
Im übrigens ist Wikipedia nicht eine Normierungsinstanz die verschreiben könnte wie etwas zu definieren ist.

Der Begriff ist nach meinen Wissen gar nicht offiziell normiert, sondern wird von allen bis jetzt eigentlich freiwillig identisch verwendet.

Die Aussage ist dort mit guten Quellen belegt und sollte somit eigentlich ausreichen.
Dann legen wir zur Absicherung noch einmal ein Paper von IBM nach:
http://citeseerx.ist.psu.edu/viewdo...693EC79?doi=10.1.1.154.8668&rep=rep1&type=pdf

Holt · 26. Januar 2015

Hallo32 schrieb:
Hält er wirklich mehr Zyklen aus, oder lässt er sich nur leichter auslesen, wenn der Zustand nicht mehr ideal ist?

Das ist eigentlich egal, die Haltbarkeit sagt ja nur aus wie lange die Daten noch lesbar sind und da die Daten ja auch immer nur kurz im Schreibcache stehen, die DTR wird ja mit den verbrauchten Zyklen geringer, sollte auch das der Haltbarkeit des Pseudo-SLC zugute kommen.

Hallo32 schrieb:
Die Aussage ist dort mit guten Quellen belegt und sollte somit eigentlich ausreichen.

Ein Dokument von 2009, also lange bevor es solche Pseudo-SLC Caches gab. Im übrigens ist IBM nicht wirklich die IT-Firma die im SSD Bereich eine führende Rolle spielt.

Gusa · 12. Januar 2022

Wilsberg schrieb:
Ja das ist klar, es geht mir aber nur um den Unterschied der Schreibvorgänge zwischen NAND - HOST

welcher Schreibvorgang ist denn relevant für die Haltbarkeit einer SSD? Bei mir ist der Host-Schreibvorgang pro Tag mind. 3 mal höher als der NAND-Schreibvorgang. Laut SSD Beschreibung soll meine SSD (https://www.amazon.de/Blue-interne-Festplatte-Lese-Schreibgeschwindigkeit/dp/B073SBZ8YH?th=1)
500 TBW vertragen, bezieht sich das jetzt auf NAND oder HOST?

deo · 12. Januar 2022

NAND Schreibvorgänge sind vollständig im TLC Modus geschriebene Daten. Die beeinflussen direkt die Haltbarkeit des NAND. Über den Host gehen aber auch die Daten, die nur im pSLC-Cache abgelegt werden. Die beeinflussen die Lebensdauer des NANDs kaum, da sie nur 1 Bit/Zelle beschreiben. Da würde ich die Lebensdauer um das 3-fache höher ansetzen. Das ist vernachlässigbar.
Die vom Hersteller angegeben TBW sind nach meinem Verständnis nur für den NAND im normalen TLC-Modus anwendbar.

Gusa · 12. Januar 2022

deo schrieb:
NAND Schreibvorgänge sind vollständig im TLC Modus geschriebene Daten. Die beeinflussen direkt die Haltbarkeit des NAND. Über den Host gehen aber auch die Daten, die nur im pSLC-Cache abgelegt werden. Die beeinflussen die Lebensdauer des NANDs kaum, da sie nur 1 Bit/Zelle beschreiben. Da würde ich die Lebensdauer um das 3-fache höher ansetzen. Das ist vernachlässigbar.
Die vom Hersteller angegeben TBW sind nach meinem Verständnis nur für den NAND im normalen TLC-Modus anwendbar.

Danke für die ausführliche Antwort. Dann achte ich jetzt vornehmlich auf das, was crystal disk unter NAND-Schreibvorgänge aufzählt.

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