News Flash-Speicher: Samsung fertigt 3D-NAND mit 256 Gbit in Serie

MichaG · 11. August 2015

Zum Start des Flash Memory Summit kündigt Samsung die Massenproduktion der dritten Generation des V-NAND genannten 3D-Flash-Speichers an. Auf 48 Ebenen liefern die rund 85,3 Millarden Speicherzellen bei drei Bit pro Zelle eine Kapazität von 256 Gigabit.

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Ech0Foxt · 11. August 2015

Wenn das in dem Tempo weiter geht dann brauch man irgendwann im laufenden Betrieb nurnoch eine SSD und die HDD als Externes Sicherungsmedium!
Hoffe trotzdem das Samsung der Konkurrenz da nicht zu sehr davon läuft sonst wird man als Consumer nichts von den gesunkenen Herstellungskosten mitbekommen.

thanatur · 11. August 2015

ich freu mir auf größere SSDs

wobei TLC... bleibt auf Intel/Micron zu hoffen

diamdomi · 11. August 2015

Freue mich auf den Tag, an dem ich meine 1 TB Festplatte für Spiele rausschmeißen kann und dafür eine 1 TB SSD nehmen kann. Noch ist mir der Umstieg zu teuer

ATIst · 11. August 2015

Also wenn ein Chip in einer 2 TiB SSD nur 32 GiB fasst stell ich mir die ganz schön vollgestopft vor. Werden mehrere Chips in ein Package gestopft?

Haldi · 11. August 2015

Die geben ja ganz schön Gas.
Ich hoffe bloß die neue SSD wird nicht mit 3bit MLC vermarktet.

helionaut · 11. August 2015

"doch wird Flash-Speicher mit 3 Bit pro Speicherzelle in der Regel als Triple-Level Cell (TLC) bezeichnet"

Eigentlich sprechen nur die Medien von TLC, die Hersteller von x-Bit-MLC.

Prisoner.o.Time · 11. August 2015

@ ATIst ich denke du bringst da etwas durch einander. Bei den aktuellen Samsung Chips (2TB SSD) kommen 32 Schichtige Chips mit einer Kapazität von 128GB zum Einsatz.

Jetzt wurden 48 Schichtige Chips mit doppelter Kapazität also 256GB vorgestellt. Daher bei selber anzahl an Chips doppelte Kapazität.

Jetzt das Spiel bitte noch 2x machen bis wir bei 1024GB Chips angekommen sind. Und dann diese in ein Handy verbauen.

lubi7 · 11. August 2015

Hoffentlich kommen die neuen SSDs noch dieses Jahr heraus. Eine Samsung 860 EVO mit 500GB für max 130€ wäre nett. Auch wenn ich befürhte dass die Preise erstmals über den alten bleiben bis diese ausverkaucht sind und erst dann die Preise sinken. Davor wird man den Produktivitätsgewinn mit der neuen Technologie bei Samsung einsacken.

MichaG · 11. August 2015

eremit007 schrieb:
Eigentlich sprechen nur die Medien von TLC, die Hersteller von x-Bit-MLC.

Das gilt nur für Samsung. Micron und Toshiba sprechen auch offiziell von TLC. Aber davon unabhängig verwende ich immer TLC, da es einfach präziser und weniger verwirrend ist.

Tekpoint · 11. August 2015

Das klingt doch richtig gut

Da werden ja bald die neuen 850er 2 TB Modelle günstiger werden, nicht schlecht nicht schlecht

Holt · 11. August 2015

thanatur schrieb:
wobei TLC... bleibt auf Intel/Micron zu hoffen

Die Zellen beim 3D NAND viel mehr Elektronen haben als bei planaren NANDs, spricht nichts dagegen 3 Bits pro Zelle oder noch mehr zu speichern, da der Abstand zwischen zwei Ladungszuständen viel Elektronen ausmacht als selbst bei aktuellen planaren MLC NANDs. Intel hat in dem Zusammenhang mit seinem 3D NAND ja auch schon von QLC, also 4 Bit pro Zelle gesprochen.

Intel forscht wie andere Branchen bereits länger an Quad-Level Cell (QLC) und sieht im gestapelten 3D-NAND eine Möglichkeit, die Probleme der Technik in den Griff zu bekommen.

ATIst schrieb:
Also wenn ein Chip in einer 2 TiB SSD nur 32 GiB fasst stell ich mir die ganz schön vollgestopft vor. Werden mehrere Chips in ein Package gestopft?

Es sind bis zu 16 Dies in einem Package, was bisher eben 256GiB waren und nun sind also sogar 512GiB möglich.

Smagjus · 11. August 2015

Holt schrieb:
Die Zellen beim 3D NAND viel mehr Elektronen haben als bei planaren NANDs, spricht nichts dagegen 3 Bits pro Zelle oder noch mehr zu speichern, da der Abstand zwischen zwei Ladungszuständen viel Elektronen ausmacht als selbst bei aktuellen planaren MLC NANDs.

Sind die Zellen einfach größer, weil man die Einsparung durch 3D NAND teilweise reinvestiert oder wie kommt das zustande? Die Ladung muss ja irgendwie aufgenommen werden.

Holt · 11. August 2015

Die Zellen haben eine ganz andere Form und die Abstände sind viel größer, daher sind auch die Zellen viel größer und nehmen viel mehr Elektronen auf. Ein Grund warum die Fertigungsstrukturen und damit Abstände der Zellen größer sind, dürfte einfach sein weil man damit wohl leichter mehr Layer hinbekommt als bei ganz kleinen Strukturen und dann aber auch, weil man die gegenseitige Beeinflussung der Zellen minimieren möchte, das ist ja auch ein großes Problem bei den planaren NANDs mit so kleinen Strukturen unterhalb von 20nm.

Für 3D NAND gelten ganz andere Regeln als bei den planaren NANDs, da braucht man auch keine Angst vor TLC zu haben, dass wird dort wohl Standard und QLC dürfte auch kommen, mehr Bits pro Zelle zu speichern ist gewissermaßen die 4. Dimension, die letzte in die man noch ausweichen kann.

helionaut · 11. August 2015

MichaG schrieb:
Das gilt nur für Samsung. Micron und Toshiba sprechen auch offiziell von TLC. Aber davon unabhängig verwende ich immer TLC, da es einfach präziser und weniger verwirrend ist.

Kommt drauf an:
http://www.micron.com/about/blogs/2009/august/slc-mlc-3bit-mlc-nandwhats-the-difference

Ich finde x-Bit-MLC besser. Es heisst ja auch nicht DLC wenn es 2 Bit sind. Und irgendwann haben wir vielleicht QLC und wie kürzt man darauffolgend 5 Bit pro Zelle ab?

MichaG · 11. August 2015

Aktuelle Gegenbeispiele gibt es zur Genüge. Bei 5-Bit-MLC schaun wir dann mal, dauert ja noch ein Weilchen.

ITX · 11. August 2015

eremit007 schrieb:
Und irgendwann haben wir vielleicht QLC und wie kürzt man darauffolgend 5 Bit pro Zelle ab?

PLC. Penta-Level-Cell würde die Logik gebieten.

thanatur · 12. August 2015

Holt schrieb:
Die Zellen beim 3D NAND viel mehr Elektronen haben als bei planaren NANDs, spricht nichts dagegen 3 Bits pro Zelle oder noch mehr zu speichern, da der Abstand zwischen zwei Ladungszuständen viel Elektronen ausmacht als selbst bei aktuellen planaren MLC NANDs.

ich dachte, bei den aktuellen SSD-Produkten von Samsung mit TLC(in jeglicher Form) kommt es zu Geschwindigkeitseinbrüchen beim lesen älterer Dateien, oder ab wann wurde das gefixt(evtl brauch ich etwas Nachhilfe

)

Smagjus · 12. August 2015

Wenn ich richtig verstehe, was Holt erklärt hat, dann sind aktuelle Samsung SSDs nicht betroffen, weil hier erstmalig 3D-NAND zum Einsatz kommt. Siehe auch die News zur Samsung 850 Evo:

Die größte Neuerung betrifft den Speicher: Erstmals kommt Samsungs V-NAND mit nun 3 Bit pro Speicherzelle zum Einsatz. Bei planarem NAND-Flash sind die Strukturen mittlerweile so klein, dass eine Grenze erreicht wird, bei der weitere Strukturverkleinerungen zu Problemen durch Ladungsverluste und Interferenzen führen. Deshalb sind mittlerweile alle großen NAND-Hersteller dabei, sogenannten 3D-NAND zu entwickeln, der nicht mehr auf einen klassischen Floating-Gate-Transistor setzt, sondern zylindrische Zell-Strukturen aufweist, die diese Probleme bauartbedingt reduzieren.

https://www.computerbase.de/2014-12/samsung-850-evo-test-250-500-1000-gb/

Sprich, die Samsung 840 Evo basiert noch auf planarem NAND und hat die Probleme, die 850 Evo hingegen nicht mehr.

Holt · 12. August 2015

thanatur schrieb:
ich dachte, bei den aktuellen SSD-Produkten von Samsung mit TLC(in jeglicher Form) kommt es zu Geschwindigkeitseinbrüchen beim lesen älterer Dateien, oder ab wann wurde das gefixt(evtl brauch ich etwas Nachhilfe )

Nein, nicht bei allen SSDs mit TLC in jeglicher Form. Betroffen war vor allem die 840 Evo, die das 19nm planare TLC hat, deren Vorgänger 840 war laut Samsung nicht betroffen, obwohl einige User hier anderer Meinung sind. Die Enterprise SSDs mit TLC waren auch nicht betroffen. Die 850 Evo mit dem TLC VNANDs ist ebenfalls nicht betroffen, da besteht meiner Meinung nach auch keine Gefahr das sie es sein wird.

Generell TLC zu meiden ist also unsinnig, die 3D NANDs sind ganz entspannt, die planaren NANDs mit 1xnm Prozessen könnten aber auch bei anderen Anbietern Probleme machen, wenn der Controller denn überhaupt die Low Density Parity Check (LDPC) ECC unterstützt, der Marvell der SanDisk Ulta II kann das z.B. nicht. Man sollte nicht vergessen, dass dem 15nm NAND von SanDisk nur noch 20 Elektronen pro Zelle nachgesagt werden, da 8 verschiedene Ladungszustände zu unterscheiden ist eine echte Herausforderung und man muss die Elektronen schon fast einzeln zählen. Die 16nm NANDs von Micron dürften auch nicht sehr viel mehr Elektronen haben, die 20nm hatten noch einige Dutzend Elektronen in einer Zelle.

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