News Flash-Speicher: Samsung fertigt 3D-NAND mit 256 Gbit in Serie

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Wattwanderer

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• 12. August 2015

• #21

Jemand eine Idee, wann diese Teile auf den Markt kommen?

 

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Holt

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• 12. August 2015

• #22

Wenn sie da mal nicht schon drin sind:

Designed for OEMs, Samsung’s new SSDs – the PM1633, PM1725 and PM953 all utilize Samsung’s 3-bit MLC (multi-level-cell) V-NAND flash memory, while providing outstanding performance and reliability, as well as high capacities.

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Die PM1725 als PCIe Karte mit bis zu 5.5GB/s Leserate und bis zu 6,4TB, aber schon die Bezeichnung PM legt nahe, dass es keine Endkunden SSDs sind.

 

Zuletzt bearbeitet: 12. August 2015

helionaut

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• 12. August 2015

• #23

ITX schrieb:

PLC. Penta-Level-Cell würde die Logik gebieten.

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Achso, griechisch. Dann könnte TLC auch Tetra Level Cell bedeuten. Umso verwirrender.
Desweiteren ist Triple Level Cell schlicht falsch, weil es 8 Levels pro Zelle sind, entsprechend 3 Bit.

 

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Hallo32

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• 12. August 2015

• #24

Die 850 Evo wird auf 256-GBit-Flash umgestellt

 

ITX

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• 14. August 2015

• #25

eremit007 schrieb:

Achso, griechisch. Dann könnte TLC auch Tetra Level Cell bedeuten.

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Nein, könnte es nicht. Ich korrigiere meine Aussage von neulich. Es müsste Quintuple-Level-Cell heißen. Wie man sich da von der Quadruple-Level-Cell abkürzungstechnisch abgrenzen will weiß ich nicht.

 

Zuletzt bearbeitet: 14. August 2015

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Holt

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• 31. August 2015

• #26

Bei Anandtech steht auch klar, warum die Samsung NANDs der 3. Generation trotz 256Gbit Diesize schnell sind:

Samsung says the new 256Gb TLC will have about 30% lower power consumption than an equivalent capacity of their current 128Gb TLC, and a switch to a dual-plane organization ensures that one 256Gb die will perform at least as well as a pair of the current 128Gb dies.

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