25. Aug 2008, 17:02

HMOS bezeichnet eine Technologie-Generation und ist ein Akronym für das englische high-performance MOS (engl. für Metall-Oxid-Halbleiter). HMOS findet in integrierte Schaltkreise hoher Packungsdichte mit NMOS-Technik Anwendung.

Generation	Einführung	Kanallänge	Gatterverzögerung
HMOS I	1976	≈3 µm	100 ns
HMOS II	1979	≈2 µm	30 ns
HMOS III	1982	≈1,5 µm	10 ns

Quelle^[1]

Zuvor waren Strukturgrößen von 6 µm bis 10 µm etabliert.

[Bearbeiten] Literatur

• K. Yu, et al.; HMOS-CMOS — A Low-Power High-Performance Technology; Solid-State Circuits, vol. 16, no. 5, p. 454, (1981).

Einzelnachweise

1. ↑ Dieter Sautter, Hans Weinerth: Lexikon Elektrotechnik und Mikroelektronik. 2. Auflage. Springer, Berlin 1993, ISBN 978-3540621317, S. 1155.

[Bearbeiten] Siehe auch

PMOS | CMOS | HCMOS

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