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Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur

6. Mai 2008, 14:34
MIS-Struktur (Metall/SiO2/p-Si) in einen vertikalen MOS-Kondensator
MIS-Struktur (Metall/SiO2/p-Si) in einen vertikalen MOS-Kondensator

Die Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur (engl. metal insulator semiconductor, kurz MIS) bildet die Grundlage für eine Vielzahl von Bauelementen in der Mikroelektronik, z. B. MOS-Transistoren, CCD-Sensoren), aus welchen sich wiederum erweiterte Anwendungen ergeben, z. B. Mikroprozessoren.

Als Isolatoren werden derzeit hauptsächlich Siliciumdioxid und Siliciumnitrid verwendet. Wird als Isolator ein Oxid (z. B. Siliziumdioxid, SiO2) verwendet, spricht man auch von MOS-Strukturen. Typische Beispiele sind der MOS-Kondensator und der MOS-Transistor.

Die Struktur bestehend aus einem Träger (meist reines Silizium) und einer darüber befindlichen Metallschicht. Diese beiden Schichten werden durch eine dünne Isolatorschicht getrennt. Es bildet sich ein Kondensator.

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