17. Okt 2008, 08:52

Ein „radiation sensing field-effect transistor“ (RADFET, auch RadFET) ist ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, dessen Source-Drain Widerstand von der Strahlendosis abhängt. Ionisierende Strahlung erzeugt Elektronen-Lochpaare im Gatebereich. Die Elektronen fließen ab, während sich die positiven Fehlstellen im Substrat anreichern. Der Spannungsabfall am Transistor wächst mit der Strahlendosis. Die Empfindlichkeit liegt in der Größenordnung 0,1-100 mV/rd, mit 1 rd = 0,01 Gy.

Aufgrund ihrer geringen Baugröße, der einfachen Integration in elektrische Schaltungen und der hohen erfassbaren Strahlungsdosis von mehr als 1 kGy eignen sich RADFETs als Strahlungs-Dosimeter für Satelliten.

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