11. Okt 2008, 18:08

Spannungsbezeichnungen, die man in fast allen Schaltplänen und in Datenblättern findet, und die man mit EDA-Programmen (z. B. mit Eagle) erstellen kann, sind beispielsweise die folgenden:

VCC VDD VSS VEE

Die Index-Buchstaben (oft tiefergestellt oder zumindest in kleinerer Schriftgröße dargestellt) D, C, E und S entstanden dabei aus den Namen der Terminals (Anschlüsse) eines Transistors (beispielsweise MOSFET) nämlich: Drain, Collector, Emitter und Source.

Die doppelte Indizierung ist in den meisten Fällen ganz einfach eine Pluralbildung, d. h. eine Verallgemeinerung. Es handelt sich also nicht um die Spannung an einem einzelnen bestimmten Pin des Bauteils, sondern z. B. VCC meinte ursprünglich die Kollektor-Spannungen an mehreren Bauteilen. Absolute Unterscheidungen dieser Spannungsbezeichnungen sind seit dem abwechselnden/gleichzeitigen Einsatz von TTL-Logik und CMOS-Logik verwischt worden.

Hier sind einige der gängigsten Bezeichnungen im Überblick:
VB — Spannung an der Basis
VBB — Verbindung der Bulks (Wannen) der MOSFETs, meistens -5 V, also NICHT die Spannung an den Basis-Pins mehrerer Transistoren!
VBAT — Batteriespannung
VBE — Spannung zwischen Basis und Emitter bei Bipolartransistoren
VC — ist die Spannung am Kollektor (Collector) eines bipolaren Transistors
VCC — Pluralbildung: Spannung an den Kollektoren, bei bipolaren ICs positive Versorgungsspannung
VCE — Spannung zwischen Kollektor und Emitter bei Bipolartransistoren
VCEsat — Spannung zwischen C und E im Sättigungszustand des Transistors
Vcore — die Spannungsversorgung für die „wichtigen“ Chips wie CPU oder GPU
VD — Spannung am Drain eines FETs
VDS — Spannung zwischen Drain und Source bei FETs
VDD — positive Versorgungsspannung von MOS-Schaltkreisen (die Stelle an der viele „Drains“ der NMOS-Logik hängen)
VDDQ — Die Spannungsversorgung für Ausgangsbuffer eines Speicherchips
VE — Spannung am Emitter
VEE — Spannung an den Emittern, negative Versorgungsspannung z. B. bei ECL-ICs
VG — Spannung am Gate
VGS — Spannung zwischen Gate und Source bei FETs
VIN — Eingangsspannung
VMEM — Die Spannungsversorgung für einen MEMory Chip/Speicherbaustein, manchmal auch: VDDR, VDIMM oder ähnlich
VOUT — Ausgangsspannung
VPP — Spannungsdifferenz zwischen positiver und negativer Spitzenspannung (Peak to Peak), aber auch Programmierspannung bei (E)EPROMs
VREF — Referenzspannung
VS — Spannung am Source
VSS — negative Versorgungsspannung von MOS-Schaltkreisen, oft identisch mit GND (siehe unten)
VTT — Verbindung der Abschlusswiderstände (Terminatoren)

[Bearbeiten] Allgemeine Bezeichnungen

Darüber hinaus gibt es noch allgemeinere Bezeichnungen für positive und negative Versorgungsspannungen, wie z. B.:
V+ — positive Versorgungsspannung (sagt nichts über die Spannungshöhe aus!)
V++ — positive Versorgungsspannung (sagt nichts über die Spannungshöhe aus!)
V- — negative Versorgungsspannung
V-- — negative Versorgungsspannung
GND — 0V, 0-Potenzial, Abkürzung für engl. „Ground“. Gegen dieses Potenzial wird die Spannung oder „Potenzialdifferenz“ gemessen. Das Spannungspotenzial positiver Spannungen ist höher als GND, negative Spannungen haben ein Spannungspotenzial das unterhalb von GND liegt. Umgangssprachlich wird GND oft fälschlicherweise als negative Versorgungsspannung bezeichnet. Eine angelegte (positive oder negative) Spannung fließt über die GND-Leitung zurück zur Spannungsquelle
CGND — negative Versorgungsspannung, meistens im Sinn von „Chassis-Ground“ - also normalerweise mit dem Gehäuse verbunden
SGND — negative Versorgungsspannung, meistens im Sinn von „Signal-Ground“ - oft für negative Spannungslevel in analogen Schaltungsteilen verwendet, z. B. Audio
DGND — negative Versorgungsspannung, meistens im Sinn von „Digital-Ground“ - in Verbindung mit digitalen Bausteinen mit analogem Eingang
AGND — negative Versorgungsspannung, meistens im Sinn von „Analog-Ground“ - analoge Signale in digitalen Bausteinen haben oft einen separaten Ground

Das Problem bei dieser Namensvergabe ist: Es handelt sich hierbei lediglich immer nur um Namen, keinesfalls um verbindliche Standards oder Normen. Bei der Vergabe solcher Namen im Schaltplandesign sollte man also stets große Sorgfalt walten lassen, und nur dann neue oder zusätzliche Namen einführen, wenn die betreffende Versorgungsspannung tatsächlich physikalisch von anderen in der Schaltung befindlichen Spannungen entkoppelt ist (beispielsweise über eine Drosselspule), und wenn sie an mehreren Bauteilepins Verwendung findet.

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