Wird eine Diode in Sperrrichtung betrieben, so fließt durch sie dennoch ein geringer Sperrstrom. Der Sperrstrom einer Germanium-Diode liegt bei 1-100 µA, der einer Silizium-Diode bei 10-100 nA.
Übersteigt die in Sperrrichtung anliegende elektrische Spannung (Sperrspannung) die Durchbruchspannung, so steigt der Sperrstrom drastisch an. Dieser Effekt wird z. B. bei Zener-Dioden gezielt ausgenutzt.