Samsung beginnt Massenproduktion von PRAM im Juni

Der Speicherhersteller Samsung wird im Juni mit der Massenproduktion von PRAM (Phase Change Random Access Memory) beginnen. PRAM ist ein nichtflüchtiger Speicher, der gegenüber NOR- und NAND-Flash-Speicher diverse Vorteile bietet.

Der neuartige Chip wird als erstes in einer Größe von 512 MB ausgeliefert. Die Vorteile gegenüber aktuellem Flash-Speicher liegen unter anderem bei der höheren Geschwindigkeit und Lebensdauer sowie einer geringeren Größe. Der Speicher soll bis zu 30mal schneller sein und etwa die zehnfache Anzahl an Lese- bzw. Schreibzyklen überstehen. Vor allem bei Schreibvorgängen ist PRAM konventionellem Flash-Speicher überlegen, da dem Schreiben kein Lesezyklus mehr vorausgehen muss. Damit ist PRAM z.B. für den Einsatz in Solid State Drives hervorragend geeignet. Zu welchem Preis die neuen Speicherchips verkauft werden sollen und wie schnell die Adaption in neuen Produkten geplant ist, bleibt abzuwarten.