Fudzilla hat zum Ende der Woche ein interessantes Gerücht gestreut, nachdem AMD nach der vor der Tür stehenden 45-nm-Herstellung auf die angestammte SOI-Fertigung verzichten will. Diese soll unter anderem für einige Probleme, unter anderem den nicht ganz so hohen Taktfrequenzen, Schuld sein.
Insbesondere den aktuellen Phenom-Prozessoren wirft man dies immer vor, da bei maximal 2,6 GHz das Ende der Fahnenstange erreicht ist. Mit der immer weitergehenden Entwicklung zum nächstfolgenden 32-nm-Prozess sollen sich die Vorteile der Herstellung auf Basis des „Silicon on Insulator“ völlig egalisiert haben. Demnach wird AMD dann zu einer High-K-Variante umschwenken, wie sie auch Intel aktuell bei allen 65- und 45-nm-Prozessoren nutzt. Gestützt wird dieses Gerücht durch die Meldung, dass AMDs ausgelagerte Fabriken in Zukunft auch Grafikchips herstellen sollen, welche heutzutage nicht auf dem SOI-Fertigungsprozess basieren.
Auch AMDs großer Verbündeter, IBM, hat bereits vor fast einem Jahr angekündigt, neben SOI die „High-K/Metal Gate“-Technologie auszubauen. Dabei sollen jedoch beide Technologien kombiniert werden, wie IBM mit einem 32-nm-Testchip, der auf SOI und High-K/Metal Gate setzt, bereits unter Beweis gestellt hat. In der zweiten Jahreshälfte 2009 sollten diese Technologien, den ursprünglichen Informationen zufolge, auf den Markt kommen können.
SOI: Wafer besteht aus Silizium und "unten" aus Siliziumoxid, letzteres hat mehr elektrischen Widerstand. Vorteil: Reduzierung von Leckströmen in den Wafer hinein, Nachteil: durch den höheren Widerstand stellt sich ein Kondensatoreffekt ein, was insbesondere bei schlechter Ausführung der Metallkontakte bei Source und Drain (siehe Lexikon Transistor) zu einer niedrigen, maximalen Taktfrequenz führt.
high-k: toller neuer Modebegriff, der sich auf das Isolationsmaterial bei dem Gate-Anschluss bezieht - mit "SOI" also erstmal wenig zu tun hat. Allerdings kommt bisher hier auch Siliziumoxid zum Einsatz, welches hier allerdings zunehmend einen zu geringen elektrischen Widerstand hat - die Elektronen schaffen es durch die Schicht, wir haben einen ollen Leckstrom. Es werden zukünftig neue Materialien eingesetzt, Intel ist hier Vorreiter. Vorteil: geringe Leckströme, auch bei höheren Betriebsspannungen und somit Taktfrequenzen. Nachteil: teurer in der Fertigung, es müssen mehr Prozessschritte durchgeführt werden. TSMC wird deswegen auch 2 Prozesse anbieten mit beiden Gate-Materialien.
"SOI" und "high-k" haben direkt keinen Einfluß auf die erreichbaren Taktraten, nur wie erwähnt auf die Leckströme und der damit verbundenen, taktunabhängigen wie "sinnlosen" Leistungsaufnahme der Schaltung. Wobei der Hersteller mit geringen Leckströmen halt die Option hat, höhere Betriebsspannungen und damit Taktraten zu fahren.
Wobei wir beim dritten Punkt, dem angesprochenen Phenom, wären: als Quadcore inkludiert er schlicht zu viel Transistoren. Der 65nm-Prozess hat ein zu mieses Leistungs-Takt-Verhältnis, als das man damit sinnvoll Richtung 3GHz takten kann. Wie ein Dualcore erst in 65nm allgemein wirtschaftlich wurde, wird es ein Quadcore erst mit 45nm oder besser. Erst recht, wenn man ein monolithischen Vierkerner im Portfolio hat...