UFS
Universal Flash Storage ist ein Standard für Flash-Speicher. Im Vergleich zu herkömmlichen eMMC-Speicher bietet UFS deutlich höhere Bandbreiten.
Zudem soll Universal Flash Storage energiesparender als eMMC agieren. Intern wird auf eine SATA-Verbindung gesetzt. Eines der ersten Smartphones mit dem schnellen Speicherstandard ist das Samsung Galaxy S6.
UFS News
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Schneller Smartphone-Speicher Update Micron schrumpft UFS 4.0 und bringt ihm neue Features bei
Micron stellt eine neue Variante des UFS-4.0-Speichers für Smartphones vor. Sie ist noch kleiner und unterstützt neue Funktionen.
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Smartphone-Speicher Phisons Controller-Quartett geht bis UFS 4.0 mit über 4.000 MB/s
Phison führt dieses Jahr vier neue UFS-Controller ein. Die Palette reicht von UFS 2.2 bis UFS 4.0 mit höchstem Durchsatz.
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Huawei Mate 60 Pro SK Hynix untersucht Verwendung von LPDDR5 und UFS-Chip
Nicht nur die USA sind aufgebracht über den neuen 7-nm-Chip im Huawei Mate 60 Pro, auch Südkorea. Denn der Speicher kommt von SK Hynix.
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Flash Memory Summit Update SK Hynix entwickelt 321-Layer-TLC-NAND
Als erster Hersteller präsentiert SK Hynix auf dem Flash Memory Summit 2023 eine neue Generation 3D-NAND mit mehr als 300 Zellebenen.
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UFS 3.1 für Automotive Samsung will Micron bei Auto-Speicherchips überholen
Samsung will seine Präsenz im Markt mit Halbleiterchips für Autos ausbauen. Der nächste Schritt sind UFS-3.1-Speicherchips.
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Smartphone-Speicher Micron bringt UFS 4.0 mit 4.300 MB/s
Nach Kioxia und Samsung hat Micron jetzt schnellere UFS-Bausteine für Smartphones vorgestellt, die über 4.000 MB/s erreichen.
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Universal Flash Storage Kioxia lässt schnelleren UFS 4.0 bemustern
Kioxia wird bald eine neue Generation Embedded-Speicher vom Typ UFS 4.0 anbieten, der schneller sein soll als bisher.
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Phison-SSDs E31T als PCIe 5.0 „light“ und weitere Controller-Neuheiten
Eine Menge neue Steuereinheiten für SSDs und andere Flash-Speicher stellt Phison im Rahmen der Computex 2023 vor.
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Überversorgung Update 2 Die Preise für NAND-Flash und SSDs sinken wieder
Im dritten Quartal des Jahres wird NAND-Flash-Speicher aufgrund einer Überversorgung im Markt günstiger werden; das gilt analog für SSDs.
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UFS 4.0 JEDEC macht den schnellen Smartphone-Speicher offiziell
Die nächste Generation von Flash-Speicher für Smartphones heißt UFS 4.0. Jetzt hat die JEDEC den neuen Standard veröffentlicht.
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Samsung Update UFS 4.0 geht in Serie und Memory-semantic SSD geplant
Wenig Konkretes und viel schon Bekanntes enthält Samsungs Pressemitteilung zum Flash Memory Summit 2022.
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Smartphone-Speicher UFS 4.0 beschleunigt auf über 4 GB/s
Die nächste Generation von Flash-Speicher für Smartphones heißt UFS 4.0 mit doppelt so schneller Schnittstelle und höherer Effizienz.
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Universal Flash Storage Neue Generation mit M-PHY 5 für 4.400 MB/s bei Kioxia
Kioxia hat eine neue UFS-Generation für Smartphones vorgestellt. Dank M-PHY 5.0 wird der maximale Durchsatz fast verdoppelt.
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Lenovo Legion Y90 Gaming-Smartphone mit UFS 3.1 und SSD im RAID-0-Verbund
Das Lenovo Legion Y90 kombiniert erstmals UFS 3.1 mit einer SSD zu einem RAID-0 in einem Gaming-Smartphone.
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UFS 3.1 mit BiCS5 Kioxias Embedded-Flash wird schneller und dünner
Mit 3D-NAND der fünften Generation (BiCS5) hat Kioxia seinen unter anderem für Smartphones bestimmten UFS-3.1-Speicher verbessert.
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LPDDR5 und UFS 3.1 Samsungs Kombi-Speicher für Smartphones wird schneller
Jetzt bietet auch Samsung ein UFS-basiertes Multi-Chip-Modul, das flüchtigen LPDDR5-Arbeitsspeicher mit nicht flüchtigem NAND-Flash vereint.
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Micron Mehr Alpha-RAM, bald DDR5 und UFS 3.1 fürs Auto
Micron kündigt die Verfügbarkeit neuer Produkte auf Basis des 1α-DRAM an, spricht nur wenig über DDR5 und mehr über UFS 3.1 für Autos.
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uMCP5 Micron bietet LPDDR5 und UFS 3.1 in einem Chip-Gehäuse
Micron bietet nach eigenständigen LPDDR5-Speicherchips auch Lösungen mit nicht flüchtigem NAND-Flash-Speicher im selben Chip-Gehäuse an.
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UFS 3.1 mit 512 GB Samsungs Smartphone-Speicher schreibt mit 1,2 GB/s
Samsung hat die Produktion von eUFS 3.1 mit 512 GB bekannt gegeben, der mit 1,2 GB/s schreibt und in Smartphones zum Einsatz kommen soll.
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Micron uMCP 12 GB LPDDR5-6400 und 256 GB 3D-NAND vereint
Nachdem Micron Anfang Februar mit der Auslieferung von LPDDR5-Arbeitsspeicher begonnen hat, folgen jetzt Lösungen mit integriertem Flash.
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Kioxia UFS 3.1 1 TB schnellerer Smartphone-Speicher auf 11,5 × 13 mm
Nach Western Digital hat Kioxia erste UFS-3.1-Speicherbausteine vorgestellt, die mit bis zu 1 TB noch deutlich mehr Speicherplatz bieten.
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WD iNAND EU521 UFS 3.1 mit SLC-Turbo bereit für 5G-Smartphones
Der Hersteller Western Digital hat mit dem iNAND EU521 sein erstes UFS-3.1-Speicherprodukt für Smartphones vorgestellt.
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SK Hynix auf der CES NVMe-SSDs mit 128-Layer-NAND sowie DDR5 gezeigt
SK Hynix hat zur CES 2020 unter anderem neue NVMe-SSDs mit 128-Layer-NAND sowie (LP)DDR5-Speicher mitgebracht.
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SK Hynix Produkte mit 128L-Flash alias „4D NAND“ werden bemustert
SK Hynix hat diesen Monat mit der Auslieferung von Testmustern erster Produkte auf Basis des neuen 128-Layer-3D-NAND begonnen.
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Samsung 24-Gbit-Chips ermöglichen 12 GB LPDDR4X als uMCP
Künftig bietet Samsung bis zu 12 GB LPDDR4X-Speicher kombiniert mit Universal Flash Storage (UFS) in einem Chipgehäuse an.
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Asus ROG Phone II Smartphone mit 120-Hz-Display erreicht Europa
Das ROG Phone II von Asus feiert auf der IFA 2019 sein Europa-Premiere als Elite- und Ultimate-Edition mit bis zu 1 TB UFS-3.0-Speicher.
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Speicher und Display OnePlus 7 Pro unterstützt UFS 3.0 und HDR10+
OnePlus hat für das OnePlus 7 Pro bestätigt, dass das Smartphone als Speicher UFS 3.0 nutzen wird und dass das Display HDR10+ beherrscht.
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Samsung UFS 3.0 Smartphone-Speicher mit 2,1 GB/s geht in Serie
Bei der Vorstellung von UFS-3.0-Chips waren Toshiba und Western Digital schneller, doch bei der Serienfertigung will Samsung erster sein.
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UFS 3.0 Update Toshiba startet die neue Generation Mobile-Speicher
Knapp ein Jahr nach der Veröffentlichung des Speicherstandards UFS 3.0 hat Toshiba Memory die ersten Produkte auf dessen Basis angekündigt.
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Samsung UFS-Speicher mit 1 TB für Smartphones geht in Serie
Samsung fertigt nun Universal Flash Storage (UFS) mit einem Terabyte Speicherplatz im 11,5 mm × 13,0 mm (L×B) kleinen Chip-Gehäuse.
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Western Digital Embedded Flash Drive mit 256 GB 3D-NAND fürs Auto
Nach dem neuen Embedded Flash Drive (EFD) für Smartphones und Tablets kündigt Western Digital Pendants für Automobile an.
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iNAND MC EU321 EFD Erster 96-Layer-UFS-NAND von Western Digital
Als erster Hersteller bietet Western Digital Flash-Speicherchips nach UFS-Standard mit 96-Layer-Technik für Smartphones und Tablets an.
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Universal Flash Storage Samsung fertigt 256 GB UFS für -40 bis +105 °C im Auto
Mehr Flash-Speicher fürs Auto: Nach 64 und 128 GByte produziert Samsung UFS-Chips für das Automotive-Segment auch mit 256 GByte in Serie.
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UFS 3.0 Verdoppelte Datenrate für neuen Smartphone-Speicher
Mit UFS 3.0 ist der neue Standard für schnellen Flash-Speicher in Smartphones fertig. Die JEDEC hat nun die Spezifikationen veröffentlicht.
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eUFS von Samsung Speicher-Chips für 512 GB im Smartphone gehen in Serie
Samsung beginnt mit der Massenfertigung von eUFS-Speicher mit 512 GB. Er soll in der nächsten Generation Smartphones genutzt werden.
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Universal Flash Storage Toshibas UFS-2.1-Chips nun mit bis zu 256 GB BiCS3-Flash
Nachdem Toshibas neue 3D-NAND-Generation BiCS3 bereits in diversen SSDs Einzug gehalten hat, folgt eine UFS-Variante für Mobilgeräte.
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eUFS Samsung produziert Universal Flash Storage für Autos
Samsung hat mit der Produktion von embedded Universal Flash Storage (eUFS) für den Automotive-Sektor begonnen.
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Flash Memory Summit Phison-Controller E12, S12, E8, PS8313 und QLC-Roadmap
Neue Controller für SSDs und Embedded, eine Thunderbolt-3-SSD sowie eine Roadmap für QLC-Speicher – all das präsentierte Phison auf dem FMS.
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PS8311 Flash-Controller arbeitet mit UFS 2.1 und 3D-TLC-NAND
Der neue Speicherstandard UFS benötigt passende Controller. Phison hat einen vorgestellt, der auch mit 3D-TLC-NAND umgehen kann.
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HiSilicon Kirin 960 ARM Cortex-A73, Mali-G71, LPDDR4-1.800 und UFS 2.1
Die Huawei-Tochter HiSilicon hat in China das neue SoC-Topmodell Kirin 960 vorgestellt. Es setzt auf die neue Cortex-A73-CPU und Mali-G71-GPU von ARM.
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Micron 3D-NAND mit UFS 2.1 und LPDDR4x für Smartphones
Micron hat auf dem Flash Memory Summit erstmals einen 3D-NAND-Baustein für Smartphones vorgestellt, der zudem erstmals auf UFS 2.1 setzt.
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Universal Flash Storage Update Samsungs erste UFS-Speicherkarte liefert 530 MB/s
Samsung hat den jungen Speicherstandard UFS erstmals als Speicherkarte umgesetzt. Die ersten Modelle bieten bis zu 256 GB Speicherplatz und 530 MB/s.
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Samsung UFS 2.0 mit 256 GB Smartphone-Speicher liest schneller als SATA-SSDs
Samsungs Smartphone-Speicher nach UFS-2.0-Standard geht nun mit doppelter Kapazität und mehr als doppelter Geschwindigkeit in die Massenfertigung.
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SK Hynix UFS-2.0-Lösung mit 64 GByte erreicht 780 MB/s
SK Hynix hat eine UFS-2.0-Lösung für Mobilgeräte vorgestellt. Sie basiert auf dem in 16 nm gefertigten NAND-Flash des Unternehmens.
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Samsung Galaxy S6/edge Erstmals trifft in Korea Hightech auf Alu und Glas
Samsung hat im Rahmen des MWC 2015 das neue Galaxy S6 und die Variante Galaxy S6 edge mit gebogenem Display vorgestellt.
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Samsung Galaxy S6/Edge Update Inoffizielle Fotos bestätigen beide Varianten
Gerüchte um zwei Varianten des Samsung Galaxy S6 erhalten durch inoffizielle Fotos Rückendeckung. Einige Spekulationen werden aber auch widerlegt.
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Flash-Speicher 128 GB große Chips nach UFS 2.0 gehen in Serie
Samsung hat mit der Massenproduktion der ersten, bis zu 128 GB großen Embedded-Flash-Speicher-Chips nach Standard UFS 2.0 begonnen.
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eMMC 5.1 Samsung will Smartphone-Speicher schneller machen
Samsung hat die nach eigener Aussage ersten Speicherchips auf Basis des Standards eMMC 5.1 entwickelt, die erneut höhere Transferraten bieten.
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Samsung Galaxy S6 und Edge Die aktuellen Gerüchte zusammengefasst
Den Seiten Cnet Korea und ZDNet Korea sind mehrere Bilder zugespielt worden, die das Samsung Galaxy S6 neben dem Galaxy Edge zeigen sollen.
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Samsung Galaxy S6 Benchmark deutet auf 5,5 Zoll mit WQHD hin
Erste Konkrete Hinweise auf das Samsung Galaxy S6: Ein Benchmark spricht von 5,5 Zoll bei einer Auflösung von 1.440 × 2.560.
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Project Zero Samsung Galaxy S6 soll Edge-Display erhalten
Die zum MWC Anfang März erwartete sechste Generation des Galaxy S soll von Grund auf neu entwickelt werden und mit Edge-Display auf den Markt kommen.
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Project Zero Galaxy S6 soll schnellen Speicherstandard UFS bieten
Mit dem nächsten Galaxy plant Samsung nicht nur beim Design einen Neustart. Das Smartphone soll beim Speicher auch erstmals auf UFS setzen.
