News : Intel fertigt erste Halbleiterprodukte in 90 Nanometer

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Intel ist es gelungen die weltweit kleinste SRAM (Static Random Access Memory) Speicherzelle herzustellen, die lediglich 1 Quadrat-Mikrometer groß ist. Diese SRAM-Zelle wurde als Teil eines voll funktionsfähigen SRAM Speicherchips hergestellt, unter Verwendung von Intels 90 nm Prozesstechnologie.

Doch warum ist gerade dies so wichtig? Der Bau von SRAM Chips wird in der Industrie weithin für den Test von Logik-Herstellungsprozessen zukünftiger Generation eingesetzt. Eine möglichst geringe Speicherzellengröße ist für Intel sehr wichtig, da sie die kostengünstige Leistungssteigerung von Mikroprozessoren durch größere Cache-Speicher und komplexere Schaltungen ermöglicht. Die funktionsfähigen SRAM Chips haben außerdem die erfolgreiche Implementation aller 90 nm Prozessmerkmale gezeigt, die für Mikroprozessoren benötigt werden.

Damit hat Intel bereits jetzt die Tür zum im Jahr 2003 geplanten Pentium 4 Nachfolger, dem Prescott aufgestoßen. Dieser Prozessor soll bereits in der 90 nm Technologie gefertigt werden. Zu weiteren Neuerungen des Prozessors wird auch die Hyper-Threading Technologie gehören, die kürzlich zusammen mit den neuen Xeon MP Prozessoren eingeführt wurde. Hierbei werden innerhalb eines Prozessors zwei von einander unabhängige Prozessoren simuliert und diese so effektiver auszulasten.

Die Bilder zeigen eine in 90 nm gefertigte voll funktionstüchtige SRAM Speicherzelle mit einer Kapazität von 52-Megabit (6,5 Megabyte). Die Chips enthalten 330 Millionen Transistoren auf einer Fläche von lediglich 109 mm2. Sie wurden in Intels 300 Millimeter Entwicklungsfabrik D1C in Hillsboro (Oregon, USA) unter Verwendung einer Kombination aus fortschrittlichen 193 nm und 248 nm Lithographie-Tools hergestellt.

52 Megabit SRAM Zellen in 90nm auf 300mm Wafer
52 Megabit SRAM Zellen in 90nm auf 300mm Wafer