Infineon und Nanya kooperieren

Nach erfolgreichen Kooperationsgesprächen haben Infineon und Nanya ein Abkommen über eine Zusammenarbeit bei Speicherchips unterzeichnet. Beide Halbleiterhersteller wollen hierbei ab Oktober 2002 die 0,09-µm- und 0,07-µm-Fertigungstechnologien für 300-mm-Wafer gemeinsam entwickeln.

Die Entwicklungskosten werden sich beide Unternehmen teilen. Weiterhin wird ein neues gemeinsames 300-mm-Werk in Taiwan gebaut werden. In der ersten Ausbaustufe soll die Fertigung im zweiten Halbjahr 2004 eine Kapazität von monatlich rund 20.000 Wafer erzielen, wobei die Produktion der ersten 300-mm-Wafer bereits Ende 2003 vorgesehen ist. Sitz des Joint Ventures wird Taoyuen/Taiwan in der Nähe der jetzigen Fertigung von Nanya sein. Die Transaktion bedarf noch der Zustimmung durch die Kartellbehörden.

Die beiden Unternehmen werden die neue 0,09-µm- und 0,07-µm-Fertigungstechnik am Infineon-Standort Dresden zusammen entwickeln und auch im neuen Gemeinschaftsunternehmen einsetzen. So wird die Produktion der 300-mm-Wafer mit dem neuen 0,09-µm-Prozess im gemeinsamen Werk in Taoyuen Ende 2003 starten. Zudem ist vorgesehen, die 0,09-µm-Fertigungstechnik auch für 200-mm-Wafer einzusetzen. Durch den Wechsel zu den kleineren 0,09-µm- und 0,07-µm-Strukturen beim Chipaufbau kann künftig ein weiterer Produktivitätsschub realisiert werden.

Das Fertigungs-Joint Venture in Taoyuen wird in den internationalen Verbund von DRAM-Fertigungsstandorten von Infineon integriert, der unter anderem aus den Produktionsstätten in Dresden, Richmond und Virginia gebildet wird. Dieses Konzept der globalen Vernetzung der Fabriken gewährleistet weltweit an allen Standorten gleich hohe Qualitätsstandards sowie einen ständigen Erfahrungsaustausch.