Samsung fertigt 1024-Mbit-DDR2-Chips in 80 nm

Bereits seit März fertigt Samsung 512-MBit-DDR2-Chips in 80 nm anstatt der bisher üblichen 90 nm. Nun folgte bei den 1024-MBit-Chips die Umstellung auf den feineren Fertigungsprozess. Neben den typischen Kosteneinsparungen in der Produktion wird die Entwicklung auch den Speicher-Modul-Produzenten zu Gute kommen.

Ein 1024 MBit fassender Chip samt Package misst nun nur noch 11,0 x 11,5 mm anstatt der 11,0 x 18,0 mm eines 90-nm-Pendants, so dass beispielsweise mehr Chips auf einem Speicherriegel untergebracht werden können. Auch kann bei gleichbleibender Anzahl auf das zurzeit bei großen Kapazitäten noch erforderliche Übereinanderstapeln zweier Chips oder die Integration von zwei Chips in einem Package verzichtet werden.

Mit der Umstellung der 1024-MBit-Chips wird nun die gesamte Produktpalette an DDR2-DRAMs bei Samsung in 80 nm hergestellt. Auch der mit der Radeon X1950-Serie erstmals auf einer Heimandwender-Grafikkarte verbaute GDDR4-Speicher basiert auf dieser Technologie.