News : IDF: 45 nm im Zeitplan, Tape-Out im Oktober

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Während AMD Ende 2006 – ein ganzes Jahr nach Intel – die ersten in 65 nm gefertigten Athlon 64-Prozessoren auf Basis des Brisbane-Kern vorstellen möchte, bekräftigte Intel im Rahmen seines Entwicklerforums nochmals, bereits in der zweiten Jahreshälfte 2007 mit der Massenproduktion von 45 nm Prozessoren zu beginnen.

Intel Chief Executive Officer Paul Otellini enthüllte im Rahmen des IDF erstmals, dass man bereits 15 Produkte für die 45-nm-Bauweise in der Entwicklung hat. Darunter sind Prozessoren für Desktops, Mobilrechner und den Enterprise-Bereich. Die Entwicklung des ersten dieser Produkte – möglicherweise des für Desktops/Notebooks vorgesehen Penryn-Kerns – soll im Oktober 2006 abgeschlossen sein und damit sein Tape-Out feiern. Paul Otellini beschrieb auch das umfassende Netzwerk an Fabriken für den 45-nm-Prozess.

15 Produkte im 45nm-Prozess in der Entwicklung
15 Produkte im 45nm-Prozess in der Entwicklung

Neben der klassischen Entwicklungs-Fab D1D in Oregon befinden sich mit der Fab 32 in Arizona und der Fab 28 in Israel zwei Halbleiterwerke im Bau, die im zweiten Halbjahr 2007 und dem ersten Halbjahr 2008 die Massenproduktion in 45 nm aufnehmen sollen. Hier verfügt Intel über mehr als 46.000 Quadratmeter Reinraumfläche und hat mehr als neun Milliarden US-Dollar investiert.

Intels 45nm-Fabs
Intels 45nm-Fabs

Anfang 2006 konnte Intel erste funktionsfähige Testschaltkreise in 45 nm fertigen. Darunter ein 45-nm-SRAM-Chip der über mehr als 1 Milliarde Transistoren verfügt. Als Teil der 45-nm-Fertigungstechnologie wird Intel zu einem High-K-Gate-Isolationsmaterial mit Metal-Gate wechseln. Die als Option für 45 nm angedachte, teure Tri-Gate-Transistor-Technologie wurde zum Erreichen der gewünschten elektrischen Charakteristiken nicht benötigt und soll frühestens mit 32-nm-Strukturen Einzug halten.

Intel 45 nm Fertigungsprozess
Intel 45 nm Fertigungsprozess
Intel 45 nm Fertigungsprozess
Intel 45 nm Fertigungsprozess

Intels 45-nm-Prozess verspricht eine Leistungssteigerung von 30 Prozent oder eine um den Faktor fünf reduzierte Leakage (Gate-Leakage, Sub-Threshold-Leakage, Body-Leakage) und kann damit zu effizienteren Halbleiterprodukten beitragen. Konkurrent AMD plant die Einführung von 45-nm-Strukturen im Jahr 2008.

Intel 45 nm Fertigungsprozess
Intel 45 nm Fertigungsprozess