News : IDF: Über 65 nm und die Zukunft

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Seit Ende 2005 kann Intel mit in 65 nm gefertigten Prozessoren aufwarten Bis jetzt konnte das Unternehmen 112 Mio. CPUs mit diesen Strukturbreiten ausliefern und auch die Fertigung wurde nahezu vollständig umgestellt. 94 Prozent der im zweiten Quartal produzierten Prozessoren basieren auf 65 nm-Silizium.

IDF: Fertigungstechnik
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Der P1264-Prozess, so die exakte Bezeichnung des 65 nm Intel-Herstellungsprozesses, kann außerdem mit ausgezeichneten Chipausbeuten (Yield-Raten) aufwarten, wie Mark Bohr, Entwicklungsleiter von Intel, im Rahmen seiner Hauptrede auf dem Intel Developer Forum Spring 2007 in Bejing China verkündete. Die Yield-Rate wäre höher als bei allen bisherigen Fertigungsverfahren, die Intel in den vergangenen Jahren eingesetzt habe.

Unterdessen bereitet Intel den Wechsel auf die 45-nm-Fertigungstechnologie vor, bei der trockene Lithographie mit 193 nm Lichtquellen zum Einsatz kommt. Über den P1266 getauften Herstellungsprozess haben wir in der Vergangenheit bereits mehrfach berichtet.

Ende 2009 möchte Intel auf 32 nm wechseln. Hierbei werden weiterhin 193 nm Lichtquellen eingesetzt, allerdings dann mit Immersion-Technik, bei der Wasser zwischen den Linsen eingesetzt wird, um das Verhalten der Lichtbrechung zum Positiven zu verändern. Die seinerzeit angekündigten Tri-Gate-Transistoren sind eine Option für diese Strukturstufe, die nur bei Bedarf eingesetzt werden wird.

Intels Zukunft der Chipfertigung

Für die für 2011 eingeplante 22-nm-Fertigung (P1270) – in diesem Zeitraum rechnet Intel laut Mark Bohr mit einem Wechsel auf 450mm Wafer – kann im Zweifelsfalle weiterhin auf bestehende Lichtquellen unter Verwendung weiter Tricks zurückgegriffen werden.

Für die Zukunft forscht Intel nicht nur an Tri-Gate-Transistoren, sondern experimentiert ebenfalls mit vielen neuen Materialen. Im Rahmen des Intel Developer Forum Srping 2007 wurden beispielsweise auf InSb (Indium-Antimonid) basierende Transistoren erwähnt. Das Material bietet im Vergleich zu Silizium eine 50 Mal höhere Ladungsträgerbeweglichkeit und erlaubt wesentlich schnelle Transistoren. Darüber hinaus experimentiert Intel mit Kohlenstoffnanoröhren und anderen neuen Möglichkeiten, die Interconnect-Ebenen leistungsfähiger zu gestalten.

IDF: Chipentwicklung
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