5x schnelleres NAND-Flash von Micron und Intel

Micron und Intel ist ein Durchbruch bei den Transferraten von Flash-Speicher des Typs NAND gelungen, durch den man die bisherigen Transferraten um den Faktor fünf übertrifft. Zudem sollen auch die Zugriffszeiten nochmals geringer ausfallen als bisher schon.

Für die Produktion zeichnet sich das Joint Venture IM Flash Technologies (IMFT) der beiden Unternehmen verantwortlich. Das neue High-Speed-NAND soll Transferraten von mit zu 200 Megabyte pro Sekunde beim Lesen und bis zu 100 MB/s beim Schreiben erreichen (bisheriger SLC-NAND-Speicher erreicht maximal 40 MB/s bzw. 20 MB/s). Möglich wird dies durch die neue „ONFI 2.0“-Spezifikation, eine Architektur mit vier Ebenen und höheren Taktraten.

Gerade Interfaces mit hoher Bandbreite wie PCI Express und das zukünftige USB 3.0 (theoretisch 4,8 Gigabit pro Sekunde gegenüber 480 Megabit pro Sekunde bei USB 2.0) sollen von den hohen Bandbreiten profitieren. Als spezielle Anwendungsgebiete nennen die Unternehmen unter anderem Hybrid-Festplatten, SSDs und digitale Videokameras – womit das Spektrum möglicher Produkte, die davon profitieren, aber bei weitem noch nicht abgedeckt sein dürfte. Weitere Informationen gibt es bei Micron auf der Webseite.