Hynix vermeldet Validierung von 40-nm-Speicher

Hynix hat als ein Schwergewicht der Speicherbranche die Validierung seines neuen 40-nm-DDR3-Speichers angekündigt. Durch die Verwendung von 2 GBit großen Chips werden Single-Sided-Module mit 2 GByte oder auch günstige 4 GByte-SODIMM-Module möglich.

Die Masse der heutigen DRAM-Chips werden noch in weniger feinen Strukturen und zumeist nur in Größen von 1 GBit gefertigt. Diese Fertigung erlaubt, dass die heute langsam zum Standard gehörenden 2-GByte-Speichermodule zu annehmbaren Preisen verfügbar sind. Schaut man sich jedoch nach Modulen mit 4 GByte Kapazität um, wird es ungleich schwieriger, diese auch in bezahlbaren Regionen vorzufinden, da für deren Fertigung ein deutlich höherer Aufwand betrieben werden muss, was sich direkt auf den Preis niederschlägt.

Laut Pressemitteilung hat Hynix mit der Fertigung von 2-GBit-Speicherchips in 40 nm bereits begonnen, noch im Dezember sollen die ersten entsprechenden Module ausgeliefert werden, wie in diesem PDF-Dokument angegeben. Der Hersteller gibt an, dass der Verbrauch der in 40 nm gefertigten Speicherchips, im Vergleich zu den Vorgängermodulen mit 50-nm-Chips, bis zu 40 Prozent gesenkt werden konnte, obwohl die Spannung mit 1,5 Volt identisch bleibt. In der Standard-Konfiguration sind Chips für DDR3-1333 vorgesehen, jedoch werden auch Module mit DDR3-1066 oder bis zu DDR3-1866 gefertigt.