News : 4-Gbit-DDR3-Bausteine in 40 nm von Samsung

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Samsung hat heute die Massenproduktion von 4 Gigabit großen Low-Power-DDR3-Bausteinen in einem 40-nm-Prozess bekanntgegeben und plant nun, mehr als 90 Prozent ihrer DDR-DRAM-Produktion auf den 40-nm-Prozess umzustellen. Die neuen Bausteine sollen vor allem für eine geringere Leistungsaufnahme durch Speichermodule sorgen.

Bei einer Modulgröße von 16 GB soll die Energieersparnis gegenüber im alten 50-nm-Prozess hergestellten Chips bis zu 35 Prozent betragen. Maximal sind mit 4-Gbit-Bausteinen 32 GB pro DIMM-Modul möglich, was das Unternehmen aber auch schon mit 50-nm-Bausteinen demonstrierte. SODIMM-Module für Notebooks können mit maximal 8 GB bestückt werden. Die Speicherbausteine arbeiten sowohl mit 1,35 als auch mit 1,5 Volt. Die entsprechenden Speichermodule mit Kapazitäten von bis zu 32 GB (Registered DIMM) bzw. 8 GB (SODIMM) dürften in Kürze in den Handel kommen.

4-Gbit-DDR3-Bausteine in 40 nm von Samsung
4-Gbit-DDR3-Bausteine in 40 nm von Samsung
4-Gbit-DDR3-Bausteine in 40 nm von Samsung
4-Gbit-DDR3-Bausteine in 40 nm von Samsung