News : Sparsames „Stapel-RAM“ von Samsung

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Wie lange es mitunter dauern kann, bis technologische Neuentwicklungen ihren Weg in marktreife Produkte finden, kann man am Beispiel von Samsungs neuen RDIMMs für den Servermarkt sehen. Diese basieren auf 3D-Chip-Stacking-Technologie mit „Through Silicon Vias“ (TSV), die das Unternehmen bereits im April 2007 vorgestellt hat.

Die acht Gigabyte großen Module aus der „Green Memory“-Produktreihe seien bereits bei wichtigen Kunden erfolgreich getestet worden und stünden nun kurz vor der Markteinführung. Bei der TSV-Technologie sind statt des üblichen Wire bondings vertikal durch das Silizium angeordnete, mit Kupfer gefüllte Löcher mit Durchmessern im Mikronbereich vorhanden. Dadurch werden die Signalverbindungen beachtlich verkürzt, wodurch sich der aus mehreren Ebenen übereinander gestapelte Chip wie ein einziger Siliziumchip verhalten soll.

Samsung Green Memory mit 3D-TSV-Speicherchips
Samsung Green Memory mit 3D-TSV-Speicherchips

Das 8 GB RDIMM der 40-nm-Klasse mit 3D-TSV-Technologie soll gegenüber herkömmlichen RDIMMs bis zu 40 Prozent Energie sparen. Zudem ermöglicht das neue Verfahren eine wesentlich höhere Speicherdichte auf dem Chip, wodurch die DRAM-Speicherdichte in Zukunft um über 50 Prozent erhöht werden soll. Der zunehmend verbreitete Einsatz der 3D-TSV-Technologie soll ab 2012 beginnen und auch auf kleinere Fertigungsstrukturen der 30-nm-Klasse und darunter übertragen werden.