News : Microns Phase Change Memory für Mobilgeräte verfügbar

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Wie der US-amerikanische Speicherriese Micron verkündet, bietet er als erstes Unternehmen in 45 nm gefertigten Phase Change Memory (PCM, auch PRAM genannt) in Massenproduktion an. Entsprechende Speicherprodukte sollen für den Einsatz in Mobilgeräten verfügbar sein.

Dabei handelt es sich um Speicherlösungen in einem sogenannten Multi-Chip-Package (MCP): Einem 1-Gigabit-PCM-Chip wird ein 512 Megabit fassender sparsamer DDR2-DRAM-Chip (LPDDR2) auf gleichem Substrat zur Seite gestellt. Die von beiden Speichertypen genutzte Schnittstelle sei dabei vollständig kompatibel mit den entsprechenden JEDEC-Industriestandards.

Der Phasenwechselspeicher soll für eine höhere Leistung bei gleichzeitig geringerem Stromverbrauch in Handhelds sorgen. Dabei gibt Micron auf den Produktseiten eine Geschwindigkeit von bis zu 400 MB/s beim zufälligen Lesen an. Der nicht-flüchtige Speicher soll außerdem mehr als 100.000 Schreibzyklen überstehen. Zunächst sei Microns 45-nm-PCM für den Einsatz in sogenannten Feature Phones vorgesehen, später sollen auch Smartphones und Tablets den Speicher nutzen.

Microns PCM-LPDDR2-MCP
Microns PCM-LPDDR2-MCP

PCM oder PRAM kombiniert bekanntlich Eigenschaften der Speichertechnologien DRAM und NAND-Flash und stellt einen Kompromiss aus Geschwindigkeit und dauerhafter Datenspeicherung mit hoher Wiederbeschreibbarkeit dar. Samsung produziert bereits seit 2009 PRAM in großer Stückzahl. Mit Numonyx kaufte Micron im Frühjahr 2010 einen Halbleiterhersteller ein, der im gleichen Zeitraum die Serienfertigung von Phasenwechselspeicher startete.

Vor rund einem Jahr hatte zudem IBM Fortschritte auf dem Weg zu Multi-Level-PCM verkündet. Das Speichern von mehreren Bit pro Zelle (vergleiche MLC bei NAND-Flash) erhöht die Speicherdichte gegenüber bisherigem PCM mit nur einem Bit deutlich und soll somit Produkte mit mehr Speicher zu niedrigeren Herstellungskosten ermöglichen. Den allgemeinen Durchbruch von PCM erwartet man zumindest bei IBM aber erst für 2016.