3D-NAND : Das Debüt von Toshiba/SanDisk hat 48 Ebenen und 128 Gbit

, 24 Kommentare
3D-NAND: Das Debüt von Toshiba/SanDisk hat 48 Ebenen und 128 Gbit

Gemeinsam kündigen SanDisk und Toshiba eine neue Generation 3D-NAND mit 48 Zellschichten an und nennen diese BiCS2. Es ist der erste 3D-Flashspeicher des Joint Ventures, der kommerziell eingesetzt wird – die erste Generation diente noch als „Testballon“.

Bis der Speicher in Endprodukten wie SSDs zu finden ist, wird es aber noch eine ganze Weile dauern. Die Pilotfertigung des 48 Layer 3D NAND soll in der zweiten Jahreshälfte 2015 beginnen. Die Serienfertigung in bedeutender Stückzahl wird jedoch erst für 2016 angepeilt, dann soll die neue Produktionsstätte „Fab2“ in Japan fertig sein. Bis heute ist Samsung weltweit der einzige Anbieter von kommerziell erhältlichem 3D-NAND, der unter anderem in den SSD-Serien 850 Pro und 850 Evo eingesetzt wird.

Toshibas 3D-NAND „BiCS“
Toshibas 3D-NAND „BiCS“ (Bild: Toshiba)

Mit 48 übereinander liegenden Ebenen von Speicherzellen besitzt Toshibas BiCS (Bit Cost Scalable) 50 Prozent mehr dieser Schichten als Samsungs zweite Generation des V-NAND mit 32 Ebenen. Doch bis zum Start der Massenproduktion könnte bereits Samsungs dritte Generation mit ebenfalls 48 Schichten verfügbar sein. Toshiba setzt auf einen MLC-Modus zur Datenspeicherung, wobei 2 Bit pro Speicherzelle geschrieben werden. Die Kapazität pro Die beträgt 128 Gigabit. Samsung erreicht diese Kapazität aktuell durch den TLC-Modus mit 3 Bit pro Zelle, wie er bei der 850-Evo-SSD eingesetzt wird.

3D-NAND Ebenen Kapazität Verfügbarkeit
Toshiba/SanDisk BiCS2 48 128 Gbit (MLC mit 2 Bit/Zelle) 2016
Samsung V-NAND Gen 2 32 86 Gbit (MLC mit 2 Bit/Zelle)
128 Gbit (TLC mit 3 Bit/Zelle)
jetzt
Samsung V-NAND Gen 3 48 ? 2016?
Intel/Micron 3D NAND 32 256 Gbit (MLC mit 2 Bit/Zelle)
384 Gbit (TLC mit 3 Bit pro Zelle)
Q4, 2015
SK Hynix 3D NAND ? ? 2015?

Voraussichtlich wird IMFT, das Joint Venture von Intel und Micron, Toshiba/SanDisk zuvorkommen und noch in diesem Jahr Endprodukte mit 3D NAND ausrüsten. Das für die zweite Jahreshälfte angekündigte 3D-NAND-Debüt soll bei nur 32 Lagen die doppelte Kapazität von 256 Gbit pro Die liefern.