SK Hynix : MLC-3D-NAND mit 36 Ebenen im dritten Quartal

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SK Hynix: MLC-3D-NAND mit 36 Ebenen im dritten Quartal
Bild: Intel

SK Hynix hat den Start der Serienfertigung von 3D-NAND für das dritte Quartal angekündigt. Der Flash-Speicher verfügt den Angaben zufolge über 36 übereinander liegende Zellschichten. Zunächst soll die Serienfertigung aber nur „in kleinem Maßstab“ erfolgen.

Beim angekündigten 3D-NAND von SK Hynix handelt es sich um den Typ MLC mit in der Regel zwei Bit pro Speicherzelle. Ein Die verfügt über eine Kapazität von 128 Gigabit, ein aktuelles Datenblatt sieht auch Chip-Gehäuse (Packages) mit zwei Dies vor. Das NAND-Interface zur Kommunikation mit einem SSD-Controller wird als Toggle 2.0 beschrieben. Darüber hinaus plant das Unternehmen noch in diesem Jahr die Vollendung der Entwicklung von TLC-3D-NAND mit drei Bit pro Speicherzelle und 48 Ebenen. Ferner soll die Produktionsrate von 2D-NAND (planar) des Typs „1Xnm TLC“ erhöht werden.

3D-NAND-Generationen im Vergleich
3D-NAND Ebenen Kapazität Produktion/Verfügbarkeit
SK Hynix 3D NAND 36 128 Gbit (MLC mit 2 Bit/Zelle) Q3 2015 (small-scale) / 2016?
SK Hynix 3D NAND 48 ??? Gbit (TLC mit 3 Bit/Zelle) in Entwicklung
Toshiba/SanDisk BiCS2 48 128 Gbit (MLC mit 2 Bit/Zelle) H2 2015 / 2016
Intel/Micron 3D NAND 32 256 Gbit (MLC mit 2 Bit/Zelle)
384 Gbit (TLC mit 3 Bit pro Zelle)
Q4 2015 / 2016
Samsung V-NAND Gen 2 32 86/128 Gbit (MLC mit 2 Bit/Zelle)
128 Gbit (TLC mit 3 Bit/Zelle)
jetzt
Samsung V-NAND Gen 3 48 ? 2016?

Mit der Ankündigung im Rahmen der Bekanntgabe der jüngsten Quartalszahlen ist SK Hynix der letzte unter den großen NAND-Flash-Herstellern, der den Start der Serienfertigung von 3D-NAND in Aussicht stellt. Zuletzt hatten Intel und Micron, die als Joint-Venture IMFT Flash-Speicher gemeinsam entwickeln, sowie Toshiba und SanDisk den Start der Massenproduktion ihrer jeweils ersten kommerziellen 3D-NAND-Generation für die zweite Jahreshälfte 2015 angekündigt. Beide Gemeinschaftsunternehmen gehen davon aus, dass die Speicherchips aber erst 2016 ihren Weg in Endprodukte wie SSDs finden werden.

Gleiches ist auch bei SK Hynix zu erwarten, zumal von einem zunächst kleineren Fertigungsvolumen die Rede ist. Samsung als Marktführer startete bereits vor zwei Jahren die Massenproduktion von 3D-NAND und bereitet inzwischen bereits die dritte Generation des V-NAND genannten Speichers vor.

Wie in vielen Bereichen der Halbleiterbranche soll auch der Trend zu 3D-NAND dafür sorgen, dass bei gleicher Chipfläche deutlich mehr Elemente untergebracht werden können, ohne die Strukturbreite drastisch zu verkleinern. Gerade bei NAND-Flash ist die weitere Verkleinerung der Strukturen problematisch, da dadurch auch die potentielle Haltbarkeit der Speicherzellen abnimmt. Mit 3D-NAND werden die Speicherzellen bei gleicher oder sogar größerer Strukturbreite in mehreren Schichten übereinander „gestapelt“. Samsungs V-NAND verspricht dabei Verbesserungen in puncto Haltbarkeit, Effizienz und Leistung und konnte bislang in SSDs wie der 850 Pro und der 850 Evo überzeugen.