3D-NAND : Intel plant bis zu 5,5 Mrd. Dollar für Umrüstung der Fab 68

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3D-NAND: Intel plant bis zu 5,5 Mrd. Dollar für Umrüstung der Fab 68
Bild: Intel

Intel will sich stärker auf den unter anderem in SSDs eingesetzten Flash-Speicher konzentrieren. Das Unternehmen hat durch Rob Crooke angekündigt, die Fertigungsanlage in Dalian, China für eine Erweiterung der Kapazitäten zur NAND-Produktion zu nutzen. Die Umrüstung wird Milliarden Dollar verschlingen.

Crooke, seines Zeichens General Manager der Non-Volatile Memory Solutions Group bei Intel, verkündete, dass in den kommenden Jahren bis zu 5,5 Milliarden US-Dollar in den Umbau der Anlage investiert werden sollen. Sofern alles nach Plan läuft, sollen in Dalian ab dem zweiten Halbjahr 2016 erste 3D-NAND-Chips vom Band laufen.

Die Fab 68 in der chinesischen Hafenstadt war im Jahr 2010 eröffnet worden und kostete laut Intel rund 2,5 Milliarden US-Dollar. Produziert wurden dort unter anderem Chipsätze für Intels Desktop-, Notebook- und Server-Plattformen im 65-nm-Prozess auf 300-mm-Wafern.

Den Beginn der 3D-NAND-Produktion hatte Intel im März für das vierte Quartal 2015 in Aussicht gestellt, dabei aber gleich darauf verwiesen, dass mit dem Einsatz in ersten SSDs erst ab 2016 zu rechnen ist. Die eigene 3D-NAND-Fertigung soll erst im kommenden Jahr richtig ins Rollen kommen, wobei im späteren Verlauf die Kapazität der Fab 68 helfen wird.

Intel kooperiert bei NAND-Flash mit dem Speicherhersteller Micron. Beide Unternehmen entwickeln und produzieren den Speicher gemeinsam als Joint-Venture IM Flash Technologies (IMFT). Gemeinsam hatten Intel und Micron im Frühjahr ihre erste 3D-NAND-Generation angekündigt. Geplant sind MLC-Speicherchips mit einer Kapazität von 256 Gigabit sowie eine TLC-Variante mit 384 Gigabit. Aktuell bilden noch 128-Gigabit-Chips den Standard bei Flash-Speicher in SSDs.

Bei 3D-NAND ist Marktführer Samsung der Konkurrenz um Jahre voraus. Samsung hatte bereits 2013 die erste Generation am Markt und nun bereits mit der Massenproduktion von 256-Gbit-NAND (TLC) als inzwischen dritte Generation begonnen. Neben IMFT planen auch SanDisk und Toshiba sowie SK Hynix die Markteinführung ihrer ersten kommerziellen 3D-NAND-Generation für das kommende Jahr.

Intels Fokus bei SSDs liegt auf dem Unternehmensbereich. Im Earnings Call zu den jüngsten Quartalszahlen gab CEO Brian Krzanich zu verstehen, dass über 80 Prozent der Verkäufe dem Bereich der Enterprise-SSDs zuzuordnen sind. Hier soll langfristig 3D-NAND für niedrigere Kosten pro Gigabyte und höhere Leistung sorgen.

Parallel werden Intel und Micron mit 3D XPoint einen völlig neuen Speichertyp in SSDs einsetzen, der eine weitaus höhere Leistung als herkömmlicher und 3D-NAND verspricht, pro Gigabyte aber auch deutlich teurer ausfallen wird. Die Produktion des auch als Arbeitsspeichermodul geplanten 3D-XPoint-Speichers geschieht in der Anlage in Lehi, Utah, wo IMFT bisher ausschließlich NAND-Flash produziert hatte. Nicht nur wegen der steigenden Nachfrage nach Flash-Speicher sondern auch aus diesem Grund ist eine Ausweitung der Kapazitäten zur NAND-Produktion nötig. Eine weitere NAND-Fabrik betreibt IMFT seit 2011 in Singapur.