HiSilicon Kirin 950 : 16-nm-FinFET und Cortex-A72-Kerne noch dieses Jahr

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HiSilicon Kirin 950: 16-nm-FinFET und Cortex-A72-Kerne noch dieses Jahr
Bild: MyDrivers

Huaweis Chipschmiede HiSilicon kündigt mit dem Kirin 950 ein neues High-End-SoC mit acht Rechenkernen an. Als Zusatz ist ein weiterer Kern als permanent aktiver Coprozessor verbaut, der Aufgaben im Hintergrund erledigt und unter anderem für die Erfassung von Sensordaten zuständig ist.

Der Kirin 950 basiert auf zwei Clustern nach dem big.LITTLE-Prinzip. Die vier Cortex-A72-Kerne mit einer Frequenz von maximal 2,3 Gigahertz sind die schnellsten, die ARM in petto hat. Für Aufgaben, die weniger Rechenleistung benötigen, sind vier Cortex-A53-Kerne mit bis zu 1,8 Gigahertz vorhanden.

Als Grafikeinheit kommt die Mali-T880MP4 mit einer Taktrate von 900 Megahertz zum Einsatz. Arbeitsspeicher wird vom Typ LPDDR4 unterstützt, der über ein 64 Bit breites Interface mit maximal 25,6 Gigabyte pro Sekunde angebunden wird.

Auf dem Chip findet sich zudem ein LTE-Modem, das Geschwindigkeiten von bis zu 300 Mbit/s (Cat. 6) erreicht. Für die Kamera sind zwei 14-Bit-ISPs sowie ein DSP verbaut.

Die Herstellung des Kirin 950 erfolgt im 16-nm-FinFET-Plus-Verfahren bei TSMC. In Summe sollen die Verbesserungen laut Aussagen des Herstellers eine um 40 Prozent erhöhte Leistung und einen um 60 Prozent verringerten Stromverbrauch bewirken. In einem gewöhnlichen Smartphone mit 3.500-mAh-Akku sollen dadurch 10 Stunden Laufzeit gewonnen werden, so HiSilicon. Erste Verwendung soll der Kirin 950 im Huawei Mate 8 finden, das für das vierte Quartal erwartet wird.