2/5 Samsung Portable SSD T3 im Test : Taschen-SSD mit 2 TByte, Metall und USB Typ C

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Technik unter der Haube

850 Evo mSATA wird zur USB-SSD

In der Portable SSD T1 steckt im Grunde eine 850 Evo als mSATA-Modul, das über eine Adapterplatine über USB genutzt werden kann. Dies gilt auch für die Portable SSD T3. Zumindest beim getesteten 2-TB-Modell greift Samsung allerdings bereits auf die dritte 3D-NAND-Generation zurück: TLC-V-NAND mit 48 Ebenen und 256 statt 128 Gigabit pro Die. Dadurch reduziert sich die Anzahl der nötigen Speicherbausteine um die Hälfte – statt bis zu acht sind es nun nur noch maximal vier NAND-Packages.

Beim getesteten 2-TB-Modell stecken in jedem der vier Chip-Gehäuse (Packages) mit der Kennung K9DUGB8S7M somit sechzehn 256-Gbit-Dies. Auf jeder Platinenseite sind je zwei NAND-Packages verlötet. Überraschenderweise handelt es sich beim SSD-Controller trotz der hohen Speicherkapazität um das Vier-Kanal-Modell MGX, worauf die Kennung S4LN062X01-Y030 hinweist. Ein DRAM-Chip mit 2.048 MByte dient als Cache. Controller, DRAM und Flash-Speicher sind mit Wärmeleitpads zur Abfuhr der Abwärme versehen, die darüber an das Gehäuse abgegeben wird.

Bei der 850 Evo hatte Samsung angegeben, dass der MGX maximal 512 GByte unterstützt und daher beim 1-TB-Modell auf den MEX mit acht Kanälen zurückgegriffen. Beim 2-TB-Modell wurde dann sogar mit dem MHX ein weiterer Controller eingeführt. Wie sich nun zeigt, unterstützt der MGX mit angepasster Firmware und neuem 256-Gbit-V-NAND auch 2.048 GiB Flash-Speicher. Der Einsatz des kleineren und entsprechend günstigeren MGX-Controllers bedeutet im Gegenzug niedrigere Kosten, was langfristig natürlich auch vor allem für den Speicher mit höherer Datendichte gilt.

Samsung Portable SSD T3
Samsung Portable SSD T3
Samsung Portable SSD T3
Samsung Portable SSD T3

Wie bei der als interne Laufwerke ausgeführten 850-Evo-Reihe verwendet Samsung die sogenannte TurboWrite-Technik. Dabei wird ein Teil des Reservespeichers mit nur einem statt drei Bit im SLC-Modus beschrieben und dient als Zwischenspeicher zur Beschleunigung von Schreibtransfers. Beim Testmuster mit 2 TByte soll der TurboWrite-Cache 18 GByte groß sein.

Modell 250 GB 500 GB 1.000 GB 2.000 GB
SLC-Cache 3 GB 6 GB 9 GB 18 GB

USB 3.1 mit Geschwindigkeit von USB 3.0

Mittels Brückenchip von ASMedia (ASM1153e) werden die SATA-Signale ins USB-Protokoll überführt – und vice versa. Die Portable SSD T3 arbeitet laut Datenblatt mit USB 3.1 der ersten Generation. Damit liegt die Brutto-Datenrate bei 5 Gbit/s und entspricht der Geschwindigkeit von USB 3.0. Der verbaute Passiv-Switch ASM1542 sorgt für Kompatibilität mit dem USB-Typ-C-Anschluss. Die maximalen Datentransferraten werden wie üblich nur in Verbindung mit dem USB Attached SCSI Protocol (UASP) erzielt. Der nachfolgende Abschnitt geht auf die unterschiedlichen Transfergeschwindigkeiten ein.

Dass Samsung nicht gleich auf die zweite Generation von USB 3.1 mit doppelter Datenrate von 10 Gbit/s gesetzt hat, begründet der Hersteller wie folgt: „Die Verbindungsgeschwindigkeit wurde bewusst nicht auf 10 Gb/s erweitert, um größtmögliche Energieeffizienz für den mobilen Einsatz zu erhalten“. Da die verbauten SATA-SSDs ohnehin nicht wesentlich höhere Transferraten als USB 3.0 alias USB 3.1 Gen1 erreichen können, ist die Entscheidung nachvollziehbar.

Samsung weist darauf hin, dass die zur Verfügung gestellten Testmuster (Firmware MAV41P1Q_14151104) Vorserienstatus besitzen und behält sich das Recht auf Änderungen beim finalen Produkt vor.

Samsung Portable SSD T3 Samsung Portable SSD T1
Format mSATA im externen Gehäuse
Abmessungen 74 × 10,5 × 58 mm 71 × 9,2 × 53,2 mm
Gewicht 51 g < 30 g
Kapazitäten 250 GB, 500 GB, 1.000 GB, 2.000 GB 250 GB, 500 GB, 1.000 GB
Schnittstelle USB 3.1 Gen 1 (5 Gbit/s, UASP) USB 3.0 (5 Gbit/s, UASP)
Anschluss USB Typ C zu Typ A Micro-USB Typ B zu Typ A
Max. Transferrate 450 MB/s
Controller Samsung MGX Samsung MEX o. MGX
NAND-Flash 3D V-NAND (TLC mit 3 Bit/Zelle)
Verschlüsselung AES 256 Bit
Leistungsaufnahme keine Angabe
Garantie 3 Jahre
TBW keine Angabe

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