3D-NAND : Dieses Jahr kommt Samsungs Konkurrenz in Fahrt

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3D-NAND: Dieses Jahr kommt Samsungs Konkurrenz in Fahrt

Gegen Ende des Jahres wird 3D-NAND bereits ein Fünftel des weltweit gefertigten NAND-Flash ausmachen, lautet die Prognose der Marktforscher von DRAMeXchange. Nach Samsung kommt die 3D-NAND-Produktion auch bei der Konkurrenz in Fahrt. Bei der Produktionskapazität liegen Toshiba und SanDisk in Front.

Samsung führt bei 3D-NAND, aber die Konkurrenz holt auf

Nach Schätzungen von DRAMeXchange wird 3D-NAND in diesem Jahr einen Anteil von 40,8 Prozent an der Flash-Produktion bei Samsung erreichen. Das südkoreanische Unternehmen fertigt den Stapelspeicher bereits seit Sommer 2013 in Serie und war bis zum letzten Jahr der einzige Hersteller mit kommerziellen 3D-NAND-Produkten am Markt. Konkurrenz kommt nun vor allem durch IMFT, das Joint-Venture von Intel und Micron, das 2016 bereits 17,6 Prozent des NAND-Flash in 3D-Bauweise fertigen werde. Bei Toshiba und SanDisk soll der Anteil von 3D-NAND 5,4 Prozent und bei SK Hynix 3,3 Prozent betragen.

Vergleich der größten NAND-Flash-Hersteller
Vergleich der größten NAND-Flash-Hersteller (Bild: DRAMeXchange)

Bei der Produktionskapazität führt nicht Samsung

Bei der Gesamtkapazität an NAND-Flash-Wafern, wobei neben 3D-NAND auch der noch verbreitetere 2D-NAND berücksichtigt wird, ist laut den Marktforschern allerdings in diesem Jahr nicht Samsung in Führung. Mit rund 5,88 Millionen Wafern soll die Partnerschaft von Toshiba und SanDisk 2016 die insgesamt höchste Produktionskapazität vorweisen – der Start der Serienfertigung in Toshibas neuer Fab2 steht kurz bevor. Samsung folge mit etwa 4,85 Millionen NAND-Wafern auf dem zweiten Platz. Rund 3,2 Millionen Wafer werden Intel und Micron zugesprochen, während SK Hynix mit knapp 2,5 Millionen Wafern die geringste Fertigungskapazität unter den vier großen Flash-Herstellern besitze.

Die jüngst angekündigten Investitionen von Toshiba verdeutlichen das regelrechte Wettrüsten unter den Flash-Herstellern. Auch Intel, Micron, Samsung und SK Hynix stocken ihre Kapazitäten mit Milliardeninvestitionen weiter auf.

XMC als neuer NAND-Fertiger in China

Bislang hatte der Halbleiterfertiger XMC den Fokus vor allem auf NOR-Flash gelegt. Den rasant wachsenden Markt mit NAND-Flash-Produkten will sich das Unternehmen aber nicht entgehen lassen. Ende März soll der Bau einer neuen Wafer-Fabrik beginnen, die voraussichtlich ab 2018 vor allem 3D-NAND herstellen soll. Mit fortschreitender Optimierung der Anlagen sei zu einem späteren Zeitpunkt eine Produktionskapazität von etwa 200.000 Wafern im Monat oder 2,4 Millionen im Jahr zu erwarten. XMC hat die eigene 3D-NAND-Technik in Kooperation mit Spansion entwickelt. Die erste 3D-NAND-Generation von XMC wird voraussichtlich Ende 2017 oder 2018 den Markt erreichen und später mit der neuen Fabrik in hoher Stückzahl hergestellt.