Radeon R3 SSD : AMDs neue SSD-Serie nutzt TLC-Flash und SM2256KX

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Radeon R3 SSD: AMDs neue SSD-Serie nutzt TLC-Flash und SM2256KX

Mit der Radeon R7 SSD hatte AMD erstmals eine SSD-Serie unter eigenem Namen angeboten. Jetzt folgt mit der Radeon R3 SSD der zweite Schritt. Die 2,5-Zoll-SSDs bieten bis zu 960 GByte TLC-Speicher und einen Controller von Silicon Motion.

Die Radeon R3 SSD wird mit 120, 240, 480 oder 960 GByte Speicherplatz in einem sieben Millimeter hohen 2,5-Zoll-Gehäuse angeboten. Von welchem Hersteller der TLC-NAND-Flash stammt, ist unklar. Als SSD-Controller wird der Silicon Motion SM2256KX angeführt, eine bisher nicht bekannte Variante des 4-Kanal-Controllers SM2256, der mit LDPC-Fehlerkorrektur auch für TLC-Flash der 15/16-nm-Generation konzipiert ist. Über die SATA-Schnittstelle sollen die Radeon-R3-SSDs sequenzielle Transferraten von bis zu 520 MB/s lesend und 360 bis 480 MB/s schreibend erreichen. Bei zufälligen Schreibzugriffen werden weitaus weniger IOPS als bei der AMD Radeon R7 SSD mit 8-Kanal-Indilinx-Controller genannt. Die Tabelle am Ende der Meldung ermöglicht den Vergleich der bisher bekannten Spezifikationen.

AMD Radeon R3 SSD
AMD Radeon R3 SSD (Bild: AMD)

Galt Advanced Technology statt OCZ

Während AMD bei der Radeon R7 SSD mit OCZ kooperierte und es sich im Endeffekt um eine OCZ-SSD mit AMD-Logo handelt, wird die Radeon R3 SSD von Galt Advanced Technology hergestellt. Eine Suche führt zu anderen SSDs des Herstellers, die unter anderem in Russland vertrieben werden.

Die Radeon R3 SSD wird in den USA zu Preisen von aktuell rund 41 Dollar (120 GB), 70 Dollar (240 GB) und 137 Dollar (480 GB) gehandelt. Zum Preis des 960-GB-Modells und zur Markteinführung in Europa liegen zur Stunde keine Informationen vor.

AMD Radeon R3 SSD AMD Radeon R7 SSD
Controller: Silicon Motion SM2256KX, 4 NAND-Channel OCZ/Indilinx Barefoot 3 M00, 8 NAND-Channel
DRAM-Cache: ?
512 MB DDR3-1600
Variante
1.024 MB DDR3-1600
Speicherkapazität: 120 / 240 / 480 / 960 GB 120 / 240 / 480 GB
Speicherchips: ? ? ? TLC NAND, ? Toshiba 19 nm Toggle DDR 2.0 MLC (A19nm) NAND, k. A.
Formfaktor: 2,5 Zoll (7 mm)
Interface: SATA 6 Gb/s SATA 6 Gb/s (Rev. 3.2)
seq. Lesen: 520 MB/s 550 MB/s
seq. Schreiben:
360 MB/s
Variante
470 MB/s
470 MB/s
Variante
530 MB/s
4K Random Read:
57.400 IOPS
Variante
77.100 IOPS
Variante
82.600 IOPS
Variante
79.520 IOPS
85.000 IOPS
Variante
95.000 IOPS
Variante
100.000 IOPS
4K Random Write:
18.400 IOPS
Variante
25.300 IOPS
Variante
28.200 IOPS
Variante
37.000 IOPS
90.000 IOPS
Leistungsaufnahme Aktivität (typ.): ? 2,700 W
Leistungsaufnahme Aktivität (max.): ? k. A.
Leistungsaufnahme Leerlauf: ? 600,0 mW
Leistungsaufnahme DevSleep: ? kein DevSleep
Leistungsaufnahme L1.2: ? kein L1.2
Funktionen: AHCI AHCI, NCQ, TRIM, SMART, Garbage Collection
Verschlüsselung: AES 256
Total Bytes Written (TBW): ? 43,80 Terabyte
Garantie: 3 Jahre 4 Jahre
Preis: 88,56 € / 145,25 € / 232,94 €
Preis je GB: € 0,74 / € 0,61 / € 0,49