Samsung SSD 750 Evo : Einsteigerserie mit 2D-NAND wächst um 500-GB-Modell

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Samsung SSD 750 Evo: Einsteigerserie mit 2D-NAND wächst um 500-GB-Modell

Ohne große Ankündigung erschien die Samsung SSD 750 Evo nach der Markteinführung in den USA und anderen Regionen auch in Europa. Bisher bestand die Serie lediglich aus zwei Modellen mit 120 oder 250 GByte Speicherplatz. Jetzt kommt Samsungs Einstiegsserie auch mit 500 GByte auf den Markt.

Die Samsung 750 Evo war vergangenen November zuerst für den Japanischen Markt vorgestellt worden. Erst Ende Januar tauchte die SSD-Reihe im deutschen Handel auf. Die Spezifikationen und Funktionen ähneln der Samsung 850 Evo. Der größte Unterschied besteht im verwendeten Speicher: Die 750 Evo setzt auf Samsungs 2D-NAND der Klasse 16-nm-TLC, die 850 Evo hingegen auf den haltbareren 3D-NAND. Dies spiegelt sich in niedrigeren TBW-Werten und einer kürzeren Garantiedauer von 3 Jahren wider.

Samsung SSD 750 Evo
Samsung SSD 750 Evo (Bild: Samsung)
Samsung SSD 750 Evo
Samsung SSD 750 Evo (Bild: Samsung)

Dafür liegen die Preisempfehlungen der 750 Evo unter denen für die 850 Evo, was sich im Handel bei den Modellen mit 120 GB und 250 GB bemerkbar macht. Das neue 500-GB-Modell wird aber erst von wenigen Händlern angepriesen und ist mit 144 Euro derzeit noch teurer als das 850-Evo-Pendant.

ComputerBase wird die SSD 750 Evo in Kürze einem Test unterziehen und genau untersuchen, worin die Unterschiede zur 850 Evo liegen und ob die Ersparnis den Griff zur 750 Evo rechtfertigt.

Hinweis zur Tabelle: Samsung hat die öffentlichen Datenblätter noch nicht durch das 500-GB-Modell ergänzt. Hinter einigen Angaben (IOPS, Cache, Leistungsaufnahme) steht daher noch ein gedankliches Fragezeichen. Sobald die Daten vorliegen, wird die Tabelle entsprechend angepasst.

Samsung SSD 750 Evo Samsung SSD 850 Evo
Controller: Samsung MGX, 4 NAND-Channel
Samsung MGX, 4 NAND-Channel
Variante
Samsung MEX, 8 NAND-Channel
Variante
Samsung MHX, 8 NAND-Channel
DRAM-Cache:
256 MB DDR3
Variante
512 MB LPDDR3
256 MB LPDDR2
Variante
512 MB LPDDR2
Variante
1.024 MB LPDDR2
Variante
2.048 MB LPDDR3
Variante
4.096 MB LPDDR3
Variante
512 MB LPDDR3
Variante
1.024 MB LPDDR3
Speicherkapazität: 120 / 250 / 500 GB 120 / 250 / 500 / 1.000 / 2.000 / 4.000 GB
Speicherchips: Samsung 16 nm Toggle DDR 2.0 TLC NAND, 128 Gbit
Samsung 40 nm Toggle DDR 2.0 TLC (3D, 32 Lagen) NAND, 128 Gbit
Variante
Samsung Toggle DDR 2.0 TLC (3D, 48 Lagen) NAND, 256 Gbit
Formfaktor: 2,5 Zoll (7 mm)
Interface: SATA 6 Gb/s
seq. Lesen: 540 MB/s
seq. Schreiben: 520 MB/s
4K Random Read:
94.000 IOPS
Variante
97.000 IOPS
Variante
98.000 IOPS
94.000 IOPS
Variante
97.000 IOPS
Variante
98.000 IOPS
4K Random Write: 88.000 IOPS
88.000 IOPS
Variante
90.000 IOPS
Leistungsaufnahme Aktivität (typ.): k. A.
Leistungsaufnahme Aktivität (max.):
2,40 W
Variante
2,80 W
4,40 W
Variante
4,70 W
Variante
3,60 W
Leistungsaufnahme Leerlauf: 50,0 mW
50,0 mW
Variante
60,0 mW
Variante
70,0 mW
Leistungsaufnahme DevSleep: 5,00 mW
2,00 mW
Variante
4,00 mW
Variante
5,00 mW
Variante
10,00 mW
Leistungsaufnahme L1.2: kein L1.2
Funktionen: AHCI, NCQ, TRIM, SMART, Garbage Collection, DevSleep
Verschlüsselung: AES 256, IEEE-1667, TCG Opal 2.0, Windows eDrive
Total Bytes Written (TBW):
35,00 Terabyte
Variante
70,00 Terabyte
Variante
100,00 Terabyte
75,00 Terabyte
Variante
150,00 Terabyte
Variante
300,00 Terabyte
Garantie: 3 Jahre 5 Jahre
Preis: ab 57 € / ab 75 € / ab 135 € ab 78 € / ab 94 € / ab 164 € / ab 319 € / ab 599 € / ab 1.365 €
Preis je GB: € 0,47 / € 0,30 / € 0,27 € 0,64 / € 0,38 / € 0,33 / € 0,32 / € 0,30 / € 0,34