220.000 Wafer pro Monat: Samsung will NAND-Ausstoß in China verdoppeln

Michael Günsch 29 Kommentare
220.000 Wafer pro Monat: Samsung will NAND-Ausstoß in China verdoppeln
Bild: Samsung

Samsung hat den Spatenstich zur Errichtung einer zweiten Fertigungsstrecke im chinesischen Xi'an vollzogen. Innerhalb von drei Jahren sollen umgerechnet sieben Milliarden US-Dollar investiert werden, um den monatlichen Ausstoß an NAND-Wafern auf 220.000 Stück zu verdoppeln. Der Schritt gilt auch als Geste an China.

Wie Nikkei berichtet, wird die Investition als Demonstration von Samsungs Engagement in China und als Versuch, jede „Anti-Samsung-Stimmung im Keim zu ersticken“ angesehen. Die chinesische Behörde NDRC hatte Samsung und andere Speicherhersteller im Dezember wegen möglicher Preisabsprachen ins Visier genommen. Beklagt wurden die immens gestiegenen Preise für NAND-Flash und DRAM, die China vor allem für die Herstellung von Smartphones einkauft.

Die Preise von NAND-Flash zeigen inzwischen wieder eine fallende Tendenz. Der aufgrund eines größeren Produktionsausfalls bei Samsung erwartete Preisanstieg hat sich bisher nicht bestätigt.

Südkorea mit Rekord-Exporten nach China

Südkorea, das Land aus dem sowohl Samsung als auch SK Hynix stammen, soll im vergangenen Jahr Halbleiter im Wert von 66,4 Milliarden US-Dollar nach China und Hong Kong exportiert haben – ein neuer Rekordwert.

Um die Abhängigkeit von Chip-Importen zu reduzieren, investiert China selbst massiv in den Bau von Halbleiterwerken. Die staatliche Tsinghua Unigroup hatte erst im Februar weitere Investitionen in Höhe von 100 Milliarden US-Dollar für die kommenden zehn Jahre in Aussicht gestellt.

Mit der Yangtze Memory Technologies Company (YMTC) hat Tsinghua bereits einen aufstrebenden NAND-Flash-Hersteller im eigenen Haus. Doch bis YMTC konkurrenzfähige Produkte in hoher Stückzahl produziert, wird es noch eine Weile dauern. Die erste Generation 3D-NAND soll 32-Layer-Technik bieten, während der Weltmarkt längst bei 64 Layer angelangt ist und bereits an der 96-Layer-Generation arbeitet.

Immer wieder gab es Gerüchte zu einer NAND-Partnerschaft zwischen Tsinghua und Intel. Das US-Unternehmen soll NAND-Chips liefern, die von der Tsinghua-Tochter UNIC unter anderem für Smartphone-Speicher (eMMC, UFS) und SSDs eingesetzt werden sollen. Für ausländische Firmen wie Intel und Samsung birgt der Massenmarkt China ein riesiges Absatzpotenzial.

Toshiba legt nach

Toshiba und Western Digital wollen die in Joint Ventures gemeinsam betriebene 3D-NAND-Fabrik im japanischen Yokkaichi ebenso weiter ausbauen. Jüngst hatte sich Western Digital zu einer Investition in Höhe von rund 4,7 Milliarden US-Dollar in den kommenden drei Jahren bereit erklärt. Wie DigiTimes berichtet, soll Partner Toshiba nun weitere 140 Milliarden Japanische Yen (1,31 Milliarden US-Dollar) in die Fab 6 stecken. Mit der Investition soll die Produktion der neuen Generation 3D-NAND (BiCS4) mit 96 Zellschichten angekurbelt werden.