BlackWidowmaker
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Shadow Complex schrieb:
Sorry hab nur "Evo 4TB Innenleben" in der Bildsuche eingeben, und mir nicht die Mühe gemacht auch den Text zu lesen. Schande über mich.
News BiCS3: Toshiba und Western Digital fertigen 64-Layer-3D-NAND
- Ersteller MichaG
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- Zur News: BiCS3: Toshiba und Western Digital fertigen 64-Layer-3D-NAND
Sorry hab nur "Evo 4TB Innenleben" in der Bildsuche eingeben, und mir nicht die Mühe gemacht auch den Text zu lesen. Schande über mich.
Cool Master
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So ist es und wenn man die Diesize der NANDs nimmt und die Kosten von SSDs mit denen anderer Chips vergleich, so sind diese pro mm² Die um Längen günstiger als bei GPUs und CPUs, selbst wenn man sich dort die günstigsten raussucht.Shadow Complex schrieb:
Man kann die Fertigungsprozesse nicht vergleichen, während bei CPUs und GPUs kleinere Fertigungsstrukturen tendenziell zu besseren Eigenschaften führen, sind die bei NAND wegen der damit zumindest bei planaren NANDs meist auch kleineren Zellen und Zellabstände für die Eigenschaften negativ, spätestens wenn man unterhalb von 20nm geht.Shadow Complex schrieb:
Ein planaren NANDs wäre allenfalls noch ein Shrink mit viel Mühe machbar, daher setzen auch alle auf 3D NANDs als Ausweg.Shadow Complex schrieb:
Derzeit gehen Experten davon aus, dass 128 Layer machbar sein sollten, darüber wird es aber problematisch und man würde dann wohl zu viel Ausschuss produzieren, also die Kosten nicht mehr wirklich senken können.Wattwanderer schrieb:
Es sollte mich wundern, wenn die nicht auch längst 3D NANDs mit 64 Layern haben, nur dürfte auch das noch nicht serienreif sein.Cool Master schrieb:
Die Frage ist halt, was die anderen dann verkaufen, ob also nicht Samsung dann selbst die 4. Generation mit 64 Layern am Start hat und in realen Produkten verkauft, bevor die erste SSD mit dem 64 Layer NAND von Toshiba zu haben ist.Morrich schrieb:
Eben, man erwartet für die Samsung V-NANDs das diese bei 64 Layern die Kostenparität zu den planaren 16nm NANDs erreichen werden, erst dann dürfte auch die Fertigung von planaren NANDs so langsam auslaufen.Workstation-Fan schrieb:
Die sind vorne, die waren schon bei TLC NANDs Jahre vor den Wettbewerbern und ebenso bei dem 3D NANDs, die seit nun fast genau 3 Jahren in der Massenfertigung sind, nach 10 Jahren Forschungs- und Entwicklungsarbeit. Der Unterschied zu den anderen ist aber eben auch, dass Samsung bei seinen 3D NANDs die Eigenschaften gegenüber den planaren NANDs deutlich verbessert hat und diese daher konsequenterweise zuerst in Enterprise SSDs anbot. Daher ist es für sie nie relevant gewesen sich zu überlegen die Technik erst dann einzusetzen, wenn die Kosten unter denen von planaren NANDs liegen.Workstation-Fan schrieb:
Man sieht es ja z.B. im Vergleich zu den 3D NANDs von IMFT, die haben als TLC 1500 P/E Zyklen, die von Samsung in der 850 Evo dagegen 3000, also so viele wie bei dem MLC 3D NAND von IMFT, Samsung MLC V-NAND hat aber viel mehr, ich in der 850 Pro sind es mit 6000 doppelt so viele P/E Zyklen.
Hast Du dafür Belege? Wenn nicht, dann unterlasse solche dummen Aussagen lieber, denn erstens gibt es deren NANDs nur in deren SSDs mit deren SSD Controllern und damit kann man bei Ausfällen auch gar nicht entscheiden ob diese am NANDs oder dem Controller lagen und zweitens liegt und lag auch in der Vergangenheit immer bei in der Statistik bei Hardware.fr auf dem ersten oder zweiten Platz, also ganz vorne. Dort geht es um SSDs als Ganzes, was ja auch für den Anwender relavanter ist als nur die Frage wie zuverlässig einzelne Komponenten der SSD sind. Ich bin also gespannt Wie Du also eine Aussage bzgl. der Ausfällraten von Samsung NANDs belegen möchtest.Workstation-Fan schrieb:
Wenn Du meinst, nur sieht die Fachwelt das anderes und bezeichnet Samsung seit Jahren als technologisch frühenden Hersteller von NANDs. lag doch Samsung bei allen relevanten technischen Neuerungen wie TLC oder §D NANDs bei der Markteinführung Jahre vor allen seinen Wettbewerbern!Workstation-Fan schrieb:
Dann muss man aber eben auch davon ausgehen, dass diese 3D NANDs technisch keine wesentlich besseren Eigenschaften als die planaren NANDs haben und daher alleine die Kosten im Fokus stehen, weil man über die Eigenschaften keinen Mehrwert realisiert der einen Mehrpreis rechtfertigen würde.Workstation-Fan schrieb:
BlackWidowmaker schrieb:
In der Quelle steht was von 256Gbit/Die, damit wäre die Kapazität nicht höher und 40% wäre für den Diesize ungewöhnlich. Wie sollte man außerdem mehr Dies pro Wafer fertigen, wenn die Steigerung von 48 Layern auf 64 (33,3%) in für 40% mehr Kapazität verwendet würden? Dann müssten der Diesize ja auch etwas größer sein und damit würden weniger und nicht mehr Dies auf einen Wafer passen. Also bitte noch mal die Quelle richtig lesen und korrekt übersetzen:
Pro Diefläche passt auch nur, wenn die sonstig Fläche kleiner geworden ist, denn von 48 auf 64 Layer sind ja nur 33% mehr. Was die genau mit "unit chip size" meinen, ist mir auch nicht ganz klar, aber die Chipfläche kann es eben nur sein, wenn man neben der Erhöhung der Anzahl der Layer zugleich den Anteil des Speicherarray an der Größe eines Dies verringern konnte, da Toshiba wohl anderes als IMFT die Beschaltung nicht unter sondern wie Samsung neben dem Speicherarray platziert haben dürfte.
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Toshibas Pressemitteilungen haben oft etwas seltsames Englisch. Aber ich denke schon, dass es so gemeint ist. Die größte Kapazitätssteigerung kommt durch die Layer und ein wenig noch durch eine kleinere Die-Size.
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