1. #1
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    Post Samsung Foundry: DRAM-Chips aus kleinerer 1y-nm-Fertigung sind schneller

    Samsung hat für DRAM-Speicherchips eine aktualisierte Fertigung im Programm. Offiziell läuft sie unter dem Titel „2nd-generation of 10-nanometer class“ und soll leichte Vorteile bei der Effizienz und Leistung bieten.

    Zur News: Samsung Foundry: DRAM-Chips aus kleinerer 1y-nm-Fertigung sind schneller
    Gruß,
    Volker


    I’d rather be lucky than good.
    (Match Point)

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  3. #2
    Lieutenant
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    AW: Samsung Foundry: DRAM-Chips aus kleinerer 1x-nm-Fertigung sind schneller

    HBM 3 ? Die kommen ja momentan nichtmal bei der 2. Gen von HBM vorwärts bzw. hatten offenbar extreme schwierigkeiten
    - ob sich das lohnt ? HBM 2 dürfte gegen GDDR6 leicht hinten liegen
    [________]Mein PC [________]
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    "Gehackt worden" klingt halt viel spannender als "ich hab auf Porn Seiten bei irgendwas auf JA geclickt"

  4. #3
    Lt. Commander
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    AW: Samsung Foundry: DRAM-Chips aus kleinerer 1x-nm-Fertigung sind schneller

    Wo siehst du bitte das HBM2 hinter GDDR6 liegen dürfte?

    ​Bindest du dann den GDDR6 mit 512Bit an? Duw eißt das HBM2 bis 8192Bit gehe kann und wir nur Produkte bis maximal 4096 bisher gesehen haben? Und die 4096er PRodukte ziehen ordentlich davon!
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  5. #4
    Lt. Commander
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    AW: Samsung Foundry: DRAM-Chips aus kleinerer 1x-nm-Fertigung sind schneller

    Busbreite ist ja nicht alles. Bandbreite = Busbreite x Takt. Und bei der Taktfreudigkeit hapert es bei HBM bekanntlich erheblich. Es kommt natürlich letztlich auf den Anwendungsbereich an, aber in Sachen reiner "Datenpumperei" könnte GDDR6 in der Tat HBM2 hinter sich lassen.

  6. #5
    Lieutenant
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    AW: Samsung Foundry: DRAM-Chips aus kleinerer 1x-nm-Fertigung sind schneller

    In der höchsten Ausbaustufe sollte GDDR6 zu HBM2 aufschließen: GDDR 6 - 1024 GB/sec (8000 MHz DDR / 512 Bit SI) zu HBM2 - 1024 GB/sec (1000 MHz DDR / 4096 Bit SI).
    Win 10 Pro / Gigabyte Z170-HD3P / Intel i5 6600k @4,4 Ghz / Noctua NH-D15 / Palit 1070 Gamerock / Kingston HyperX 16GB DDR4-2666 Kit / Samsung 830, OCZ Trion 150 / Zalman 850W / Nanoxia DS 5 / Cherry MX Board 6.0 / Logitech Proteus Core / Dell S2417DG

  7. #6
    Lieutenant
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    AW: Samsung Foundry: DRAM-Chips aus kleinerer 1x-nm-Fertigung sind schneller

    Zitat Zitat von Hannibal Smith Beitrag anzeigen
    - ob sich das lohnt ? HBM 2 dürfte gegen GDDR6 leicht hinten liegen
    Schau dir an was 1 Stack HBM an Bandbreite und Kapazität bringt gegen einen GDDR6 Riegel.
    Es liegt jetzt einzig an den Produktionskapazitäten die Preise zu reduzieren, das ist auch das einzige was noch für GDDR spricht.
    Formfaktor und kleines SI lassen wir mal außen vor...
    Geändert von Shrimpy (20.12.2017 um 14:22 Uhr)

  8. #7
    Ensign
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    AW: Samsung Foundry: DRAM-Chips aus kleinerer 1x-nm-Fertigung sind schneller

    Zitat Zitat von Hannibal Smith Beitrag anzeigen
    HBM 3 ? Die kommen ja momentan nichtmal bei der 2. Gen von HBM vorwärts bzw. hatten offenbar extreme schwierigkeiten
    - ob sich das lohnt ? HBM 2 dürfte gegen GDDR6 leicht hinten liegen
    Technischer Fortschritt lohnt sich immer, Kapazitäten hin oder her.
    Intel Staff: Unsere Prototypen sind 2-3 mal schneller sind als alles dagewesene. Was machen wir damit?
    Intel CEO: Na warten bis die Konkurrenz liefert, aber trotzdem jährlich Produkte releasen.
    Intel Staff: Das hört sich doch gut an wo ist der Haken?
    Intel CEO: 30% Mehr IPC in 5 Jahren und der Preis muss natürlich steigen.
    Intel Staff: Aber Mr.CEO wir müssten den Fortschritt doch gar nicht so krass aufhalten.
    Intel CEO: Nein aber wir tun es trotzdem, FUCK YEAH INTEL.

  9. #8
    Fleet Admiral
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    AW: Samsung Foundry: DRAM-Chips aus kleinerer 1x-nm-Fertigung sind schneller

    Quasi der Samsung B-Die Nachfolger.

  10. #9
    Lt. Junior Grade
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    AW: Samsung Foundry: DRAM-Chips aus kleinerer 1x-nm-Fertigung sind schneller

    Den gibt es eigentlich schon seit einem halben Jahr: 8Gbit C-die
    Wird allerdings bisher nur auf Samsungs hauseigenen Riegeln verbaut.
    Was hier angekündigt wird, sind schon 8Gbit D-die.
    Arctic Liquid Freezer 240 ** AMD Ryzen 5 1600 ** ASUS ROG Crosshair VI Hero (1401)
    4 x 8GB Corsair Dominator Platinum Torque Samsung B-Die @3500-14-15-15-15-30-48-1T (GD off) 1.44v
    2 x 16GB G.SKILL F4-3200C15D-32GTZ Samsung B-Die DR @3333-14-14-14-14-28-44-1T (GD on) 1.375v
    KFA² GeForce GTX 1070 EX 8GB ** SSM Samsung SM951 500GB ** einige HDDs
    Phanteks Enthoo Evolv ATX TG ** PSU Corsair AX650 650 Watt ** Windows 10 Pro x64

  11. #10
    Lt. Junior Grade
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    AW: Samsung Foundry: DRAM-Chips aus kleinerer 1x-nm-Fertigung sind schneller

    Klasse News, danke!
    Es ist zu hoffen, dass auch bald die vor einiger Zeit vorgestellten UFS Speicherkarten von Samsung ebenfalls auf den Markt kommen.
    Echte SSD Leistung in microSD Kartengröße wäre echt ein Grund wieder eine externe Karte im Smartphone zu betreiben.

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