@11 das ist ja schön und gut,aber in den PC-Prozessoren werden keine Bipolartransistoren verwendet,sondern MOS-Transistoren.
@15 ich glaube auch dass SOI der richtige Weg ist, da wird jeder Transistor einzeln komplett von allen Seiten isoliert, ist aber eben noch schwer herzustellen.
Zu der Sperrschicht-Dicke : es geht darum dass man bei kleiner werdendem Gate die Kapazität der Gate-Oxidisolationsschicht-Halbleiter-Anordnung gross genug halten will, da sie wichtig für die Schaltzeit des Transistors, also für den Takt der CPU wichtig ist. Aus der Formel für die Kapazität C=A/k*d (A-Gatefläche, k-Leitfähigkeit des Oxids, d-Dicke des Oxids) sieht man, dass man d verkleinern muss um die Kapazität konstant halten zu können. Ein Weg wie man die Isolationsschichtdicke vergrössern kann, ist ein anderes Material mit grösserer Leitfähigkeit als bei SiO2 zu benutzen, daran wird momentan gearbeitet, und bestimmt auch bei Intel
