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ASML, der weltweit größte Hersteller von Lithografiesystemen für die Halbleiterbranche, hat die Lieferung eines EUV-Lithografie-Systems vom Typ Twinscan NXE:3100 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), den weltweit größten unabhängigen Auftragsfertiger für Chips (Foundry), bekannt gegeben.
Mal sehen was sie aus der "alten" Belichtungstechnik noch alles herausholen
Letztens gabs mal wieder ne News in der ein neues Verfahren beschrieben wurde bei dem direkt mit Elektronenstrahlen die Wafer "gelasert" werden
Das Problem ist irgendwann nicht mehr die Belichtung, sondern die verwendeten Materialien. Und das ist m.M.n schon bald kritisch.
11nm dicke Schichten aus Metall sind nur noch wenige "Atome" dick (ca. 50 - ein Atom hat ca. 0.15-0.2nm Radius) - da treten zum Teil schon in erheblichem Umfang andere physikalische Gesetze zu tage als wir es aus der Alltagswelt gewohnt sind (Stichworte Nanotechnologien und Quanteneffekte).
Ob man es schafft auf die high-K-Gates, welche meines Wissens bei ca. 23nm an ihre Materialgrenze stoßen nochmal einen Faktor 10 draufzusetzen mit anderen Materialien wird man erstmal sehen müssen.
Möglicherweise auch noch ein Jahr länger könnte mir auch noch 32nm vorstellen. Von 17 auf 12nm glaube ich auch nicht. Das ganze wird ja immer komplexer.
joar spätestens bei 7nm ist schluss wegen oben gennater quanteneffekte.
aber hey dann machen wir das halt wie nvidia: Einfach mehr Transistoren nehemen XD
aber könnte es nicht sein, dass das neue System auch weniger Fehleranfällig isr und somit weniger Ausschuss produziert wird?
Es geht nicht immer nur um noch kleiner, sondern auch darum wirtschaftlich zu sein.
joar spätestens bei 7nm ist schluss wegen oben gennater quanteneffekte.
aber hey dann machen wir das halt wie nvidia: Einfach mehr Transistoren nehemen XD
aber könnte es nicht sein, dass das neue System auch weniger Fehleranfällig isr und somit weniger Ausschuss produziert wird?
Es geht nicht immer nur um noch kleiner, sondern auch darum wirtschaftlich zu sein.
@deer
Mich würde mal die Nachricht interessieren, welche du gelesen hast. Könntest du bitte ein Link posten? Danke.
Die Verfahren E-BEAM und ION-BEAM gibt es schon lange. Die gehen schon bis auf 2nm runter.
(z.B. http://www.raith.com/?xml=solutions|Lithography+&+nanoengineering|e_LiNE&page=1)
Das Problem ist, die arbeiten seriell. Zu langsam für Massenfertigung. Mich würde die Neuigkeit interessieren, welche du gelesen hast.
