News Intel, Samsung und Toshiba gemeinsam zu 10 nm

Volker

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Verschiedene Branchenriesen im Bereich der Halbleiterfertigung – unter ihnen Samsung, Toshiba und Intel – sollen sich einem Bericht von Reuters zufolge zusammengeschlossen haben, um die Technologien in der Fertigungsgröße von aktuell noch schwer vorstellbaren zehn Nanometern voran zu treiben.

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10nm in 5-6 Jahren. Das klingt sehr optimistisch. Bin mir nicht sicher, ob sie das wirklich schaffen werden. Alles unter 15nm wird technologisch / physikalisch extrem schwer umsetzbar.
 
das hat man auch schon bei 50nm gesagt .. alles ist unmöglich bis man es gemacht hat :)

wenn man sich aber mal ansieht wie viel kleiner man in den letzten 10 jahren geworden ist ... die technologie ist schon sehr beeindruckend
 
die großen unternehmen sind immer einen schritt voraus ;) 25nm sind noch nichtmal richtig auf dem enduser-markt angekommen, da arbeiten sie schon an den 10nm ^^ weiter so
 
Großen? IBM fehlt dort noch. NEC auch.
 
Ganz zu schweigen von TSMC und Global Foundries.

Ändert nur nichts daran, dass Intel und Samsung diese Unternehmen bei weitem überschatten. Sowohl was Fertigungskapazität als auch Marktkapitalisierung angeht.
 
10nm jetzt schon in Gespräch, wow. ok wenn man sieht das man jetzt schon 25nm in Speicherchips. Deswegen in 6 Jahren 10nm klingt vielleicht optimistisch oder sogar lang, wenn man sieht das man vor kurzen noch bei 90nm waren. Jetzt gibt es 32nm CPUs, 28nm GPUs sollten ja kommen (aber danke TSMC natürlich nicht) und 25nm Speichechips gibt es von Toshiba auch bald 24nmToshiba startet Produktion von 24-nm-Flash-Speicher
 
Wenn es die Technik voran bringt,ist es eine gute Sache,das die Firmen in der
Forschung zusammenarbeiten,so kann man bestehendes Know-How bündeln
und bestehende Synergien besser nutzen,prima.
 
Jawoll... hoffentlich sind die bisschen schneller, denn werden die Flashspeicher endlich mal günstiger, sodass man sich auch große SSDs preiswert leisten kann :-)

Ich bin gespannt, wie weit es noch runter geht-.-
 
e-Laurin schrieb:
Theoretisch könnte man bis 0,11 nm runter gehen. Das wäre dann der Durchmesser eines Siliziumatoms. Jetzt stellt sich die Frage, ob bei dem geringen Leitungsquerschnitt überhaupt noch Strom fließen kann.


nja, aber licht muss ja durch eine "schablone" auf das silizium treffen.... einerseits passen manche wellenlängen nicht mehr hindurch, und andererseits muss der "schlitz" in der schablone auch diese dicke haben.....ach ich kenn mich da nicht aus... mit optiken würde sich da auch noch etwas machen lassen :)
 
Tomahawk schrieb:
Großen? IBM fehlt dort noch. NEC auch.

dgschrei schrieb:
Ganz zu schweigen von TSMC und Global Foundries.

Ändert nur nichts daran, dass Intel und Samsung diese Unternehmen bei weitem überschatten. Sowohl was Fertigungskapazität als auch Marktkapitalisierung angeht.

IBM forscht ja mit AMD jetzt GF(?) zusammen. Die machen eine Suppe für sich. War ja schon bei der Erforschung von anderen Materialien so.
 
Ich frage mich offen gestanden wieso CPUs oder GPUs zweier unterschiedlicher Hersteller beim Launch dann doch fast immer gleich schnell sind und wo die Entwicklung der Hightechindustrie tatsächlich steht und wieviel davon Marketing ist. Letztlich wird dem Kunden tröpfchenweise die Kohle aus der Tasche gezogen. Man danke nur an AGP auf PCI-Express. Oder AGP4,0 auf 8,0 oder solche Scherze.

Auch der Nutzen von DDR3 ist teilweise als gering einzustufen. So wie diese gibt es viele Beispiele.
Ewige Verkleinerung wird nicht möglich sein.
 
ich finds einfach gut dass zusammengerbaeitet wird und nicht jeder sein eigenes süppchen kocht!:cool_alt:
 
Frag mich immernoch wieso die Japaner beim Geld so Inflationswerte haben wenn man mal Ihre Wirtschaft bedenkt doch völlig unnötig.

5 Millarden Yen sind dann gerademal 45 Millionen €uro, ich will nich wissen was bei denen ne Tüte Milch oder ein Brötchen kosten. Ist dann wie in der 20er Jahren bei uns wo stapelweise geld mitschleppen musstest um nen Brot zu kaufen? 1 Euro = 111,893419 Yen

Ansonsten hat das ganze schon Sinn weniger nm = weniger Verbrauch und auch mehr leistung.
 
Zuletzt bearbeitet:
Ich denke nicht das man bis 10nm kommen wird, weil es bis 2016 sicherlich wesentlich schnellere Alternativen mit weniger Aufwand und anderen Stoffen geben wird.(Hoffe ich zumindest)

mfg Jojo
 
@rockys82: Kann auch heissen "kleinerer Verbrauch bei gleicher Leistung"
 
Meist wird noch mehr getaktet man spart dennoch mehr energie und hat noch mehr leistung...
 
Lithografie hat ihre physikalische Grenze. Gate-Längen von einem Silizium-Atomdurchmesser sind schlicht unmöglich. Es ist wahrscheinlicher, dass in Zukunft als Trägermaterial Graphen verwendet wird, Transistoren aus diesem Material können bedeutend schneller schalten (und sind auch kleiner). Alternativ kann ich mir noch Transistoren aus organischen Molekülen vorstellen, die dann in der gewünschten Art und Weise physiko-chemisch miteinander verschaltet werden.
 
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