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NewsMicrons neue Speichertechnik 20 Mal schneller als DDR3?
Der US-Amerikanische Speicherhersteller Micron arbeitet an einer neuen Speichertechnik mit der sich die Performance aktueller DRAM-Module um den Faktor 20 steigern lassen soll. Insbesondere soll die derzeit limitierende Bandbreite durch die „Hybrid Memory Cube“-Technik enorm erhöht werden.
Wusste nicht dass die Leitung von CPU nach RAM limitierend ist.
Die sollten lieber gleich nen DRAM neben den Caches hinknallen, damit der Weg kürzer wird.
Oder gleich nen teuren SRAM in Form von mehreren GB hinbauen, welcher danach aber nicht mehr bezahlbar ist^^.
Und einfach durch mehr Datenleitungen kann man das Problem nicht lösen?
Ein Vergleich mit und ohne Limituerung wäre echt mal interessant.
Klingt ja gut.
Aber bis die Technik für den Endkunden bereitsteht wird es schon neuere Techniken geben und dann ist der Sprungt nicht mehr ganz so groß. Trotzdem, Fortschritt ist immer gut!
Hmm, wenn sie das 2012 schon in der Industrie einsetzen wollen, wieso soll das dann so viel länger zum Endkunden dauern?
Formfaktor ist doch da mehr oder weniger derselbe in den einzelnen Komponenten, oder irre ich mich?
Hmm, wenn sie das 2012 schon in der Industrie einsetzen wollen, wieso soll das dann so viel länger zum Endkunden dauern?
Formfaktor ist doch da mehr oder weniger derselbe in den einzelnen Komponenten, oder irre ich mich?
@eikira: Selbst wenn man mehrere dieser DRam Schichten übereinanderstapelt dürften diese Dinger nicht viel größer sein als die DRAM Chips auf den heutigen Riegeln. Das ist ja heute schon zum Großteil nur Trägermaterial damit der Chip überhaupt verbaut werden kann. Die wenigen Mirkometer(wenn nicht sogar nur Nanometer) die der Chip tatsächlich tief ist, wären schlichtweg nicht zu verbauen ohne dass das Teil dabei hops geht.
Diese Metallverbindungen zwischen den Schichten aus DRAM werden aber direkt bei der Fertigung aufgebracht, sodass diese dünnen Schichten direkt übereinander liegen. Von daher ändert sich die Dicke nur unwesentlich. Das Problem ist eher das Stapeln dieser Schichten hinzubekommen und dann natürlich noch das Problem, dass 5 Schichten an DRAM auch die 5 fache Abwärme erzeugen.
ist ja klasse, dass die forschung neue techniken erlaubt. nur leider sieht man davon nicht viel im endkundenmarkt. um 2000 herum wurde uns auch ram versprochen, der den pc innerhalb weniger sekunden hochfahren lässt. ram, der bei stromverlust daten behält. was haben wir 10 jahre später? => weitere ankündigungen von neuen technologien, die irgendwann erscheinen sollen.
mir wäre es recht, wenn solche news gänzlich verschwinden, da diese nur hoffnungen schüren, die historisch betrachtet nur enttäuschungen aufkommen lassen.
RAM wird doch nicht wirklich so warm das Stacking ein ernstes Problem werden würde.
Irgendwie hab ich aber noch nicht wirklich verstanden wie die 20x höhere Geschwindigkeit hinbekommen wollen wenn doch die Leitung von CPU zu RAM angeblich zu dünn ist ?
Tests zeigen doch seit Jahren auch das eine Erhöhung der Geschwindigkeit besagter Leitung kaum zu höheren Programmgeschwindigkeiten führt.
Hmmm.. wie kommts das heute schon kaum eine Anwendung auf höheren Takt oder einen zusätzlichen Speicherkanal reagiert? Das ist doch schon eine Erhöhung der Bandbreite.
Kann es vielleicht daran liegen dass die großen Caches der aktuellen Prozessoren den ständigen Zugriff aufs RAM verhindern. Soll das jetzt bedeuten dass diese Transistoren auf zukünftigen Prozessoren nicht mehr gebraucht werden? (Würde die Prozessoren ja billiger machen^^).
Wenn nicht, sehe ich den Nutzen von noch mehr Bandbreite beim DRAM nicht. Sollen die Jungs den Prozess doch dazu benutzen die Speichermodule größer zu bekommen^^
mir wäre es recht, wenn solche news gänzlich verschwinden, da diese nur hoffnungen schüren, die historisch betrachtet nur enttäuschungen aufkommen lassen.
Ja klar... wir sollten Gerüchte- sowie Fragezeichen-News abschaffen und dann auch noch alle Ankündigungen über neue Forschungen.
Was bleibt dann noch? Spphire stellt dies vor, Asus zeigt das, Intel bringt jenes - ganz toll
Ich - und viele andere hier auch - liebe diese Art von News!
@flash
schon klar, was du damit sagen willst.
war auch nicht ganz ernst gemeint von mir.
fakt ist aber - und das ist irgendwie prägnant für dram-news - dass viel angekündigt wird und selbst nach langer zeit auch nicht auf dem markt erscheint.
finds ja klasse, dass dies und das möglich ist, nur bringt es einem persönlich nix. ausser den zeitaufwand beim lesen der news...
achja, news mit fragezeichen halte ich generell für diskussionsbedürftig. schürt nur gerede und fanboys leben in solchen news auf. müssig sowas zu lesen. aber gut, wers mag?!
mir wäre es recht, wenn solche news gänzlich verschwinden, da diese nur hoffnungen schüren, die historisch betrachtet nur enttäuschungen aufkommen lassen.
Nehmen wir mal Grafikkarten. Anno 2005 war die Zeit von ATI X1900blabla und Nvidia Geforce 7XXXblabla. Wenn man deren Leistung zu heutigen top karten vergleicht, gibt es ungefähr 4x Leistungszuwachs.
Was Speicher angeht, kam langsam DDR 2 in schwung mit durchsatzraten von 3 bis 5 GB. Heute haben wir DDR 3 mit teilweise bis zu 17 GB also auch fast eine vervierfachung.
So gesehen hast du recht aber wenigstens mit dieser 4x Formel können wir rechnen.
Ausserdem, ein bisschen träumen muss schon erlaubt sein.
Das war auch mein erster Gedanke! Bei einer erhöhten DRAM-Layerzahl würden sich doch
sicherlich trotz geringerer Stromaufnahmen schnell Hitzestaus bemerkbar machen.
Für mich ist derzeit im Konsumermarkt der schlimmste Flaschenhals weiterhin das optische
Laufwerk (BD/DVD/CD), direkt gefolgt von der kommerziellen Festplatte (zu der sich immerhin
schon die SSDs als Ablöser in immer rentableren Horizonten bewegen).
Bis "mir" als durchaus enthusiastischem Konsumer der DDR3-Arbeitsspeicher (1866er mit
moderaten Timings und 16GB Kapazität) zu langsam wird, dauert´s sicher noch vier, fünf
Windows-Lebenszyklen.
20 fache Bandbreite bedeutet nicht 20 fache Performance. Beim heutigen RAM ist nicht die Bandbreite das Problem, sondern die Latenz und die wird nicht kleiner. Da kann man noch so viele Leitungen verbauen. Das sieht man sehr schön, wenn man die Benchmarks mit Dual Channel vs. Tripple Channel beim alten Core i7 vergleicht. Das bringt so gut wie nichts.
Das sich die Latenz technisch gesehen nicht so einfach reduzieren lässt und seit 10 Jahren auf einem fast gleichen Niveau ist, kann man nur noch parallelisieren d.h. es muss nach Wegen gesucht werden, wie sich die Daten unabhängig voneinander gleichzeitig adressieren und auslesen lassen. AMD hat den Versuch beim Phenom und dem gunganged mode unternommen, um zumindest die zwei RAM Riegel unabhängig voneinander ansteuern zu können. Dabei muss der Code der CPU nicht zwangsweise multithreaded sein. Ein gleichzeitiges Laden verschiedener Adressbereiche kann z.B. auch durch ein aggressiveres Data Prefetching erfolgen, das der Meinung ist, dass zur gleichen Zeit zwei verschiedene Speicherbereiche benötigt werden.
@eikira:
Diese Metallverbindungen zwischen den Schichten aus DRAM werden aber direkt bei der Fertigung aufgebracht, sodass diese dünnen Schichten direkt übereinander liegen. Von daher ändert sich die Dicke nur unwesentlich. Das Problem ist eher das Stapeln dieser Schichten hinzubekommen und dann natürlich noch das Problem, dass 5 Schichten an DRAM auch die 5 fache Abwärme erzeugen.
ja eben darum wird es dicker sein müssen. die wärme muss abgeleitet werden!
und mir kann keiner sagen das ein ram nicht warm wird! ein ram wird erst dann nicht mehr richtig warm wenn diejenige generation schon technisch ausgereizt ist. sprich kleinere fertigung bzw bessere verarbeitung weniger material auf gleichem raum.
und da stell ich mir sehr wohl die frage wie dick so ein ram wird und muss da noch bei jedem riegel egal welche speichergrössenbestückung einen kühlkörper haben.
ich hab mich schon gewundert, warum der recht schnelle DDR3-Arbeitsspeicher im Vergleich zum L3 Cache immer noch 10x langsamer ist (im Durchsatz laut memtest86+)
Also so wie ich das verstanden habe gibts dann keine Ram-Riegel mehr weil eben diese 8-16 DRAM-Chips, die man normalerweise auf einem RAM-Riegel hat, übereinandergestapelt sind.
Somit hat man nurnoch einen etwas höheren Chip und brauch nichtmehr die Fläche und Leiterbahnen eines RAM-Riegels.
Man könnte dann quasi kleine Chips in Sockel auf den Mainboard stecken. Diese bräuchten wegen der Fläche nur relativ viele Pins.
Also rund 250 Pins. Denn bei bisherigen RAM-Riegel waren die Distanzen zwischen DRAM-Chips und Speicher-Controller sehr groß und die Anzahl der Daten-Leitungen waren limitiert. (oder?).
Mit Through-silicon via's könnte man 100mal kürzere Datenleitungen und wahrscheinlich auch viel mehr davon.
Aber was genau macht dann der Logic-Layer? Wahrscheinlich kann dieser dem Speicher Controller aus der CPU Arbeit abnehmen und bei gleicher Verbindungszahl die Bandbreite massiv erhöhen.
Vor allem in Notebooks und Netbooks wäre das von Vorteil, da man diese Stacked-RAM-Chips auf das Motherboard mit BGAs auflöten könnte.
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