News TSMC: 14-nm-Chips auf 450-mm-Wafern bereits 2015

Volker

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Große Töne aus Asien: TSMCs stellvertretender Leiter der Forschung und Entwicklung hat in einem Interview bekannt gegeben, dass die Firma bereits im Jahr 2015 14-nm-Chips fertigen und ausliefern will. Doch dem nicht genug, das Ganze soll auch noch auf 450-mm-Wafern geschehen.

Zur News: TSMC: 14-nm-Chips auf 450-mm-Wafern bereits 2015
 
haha^^ 14nm... bereits unwahrscheinlich, aber in 450mm Waffern? Niemals!

Das glaube ich erst wenn ich es sehe !
 
Die 14nm mittels EUV-Lithografie oder immernoch mittels Immersionslithografie?
 
Die sollen mal schön den Ball flachhalten. Die kriegen ja nichtmal die 28nm und z.T. auch die 40nm nicht vernünftig hin.

So langsam wird man sauer wenn man trotz völlig verpassten Zielen und damit verbundener Ausbremsung des Fortschrittes solche großen Töne hört.

TSMC ist Schuld daran, dass AMD ihre neuen Grakas erst viel später und dann immernoch nicht in großen Mengen unter die Leute bringen konnte.
 
Hallo,
die 14nm werden sicherlich durch EUV-Lithografie realisiert. Die letzte Strukturgröße mit Immersionslithografie dürfte wohl der 22nm-Knoten sein.

Und was die zu hoch gesteckten Ziele angeht. Seid froh wenn man sich hohe Ziele steckt. Erreicht man sie nicht, ist man im Vergleich trotzdem ein gutes Stück weiter gekommen.
Steckt man sich zu niedrige Ziele, dann strengt man sich doch nicht an und die Entwicklung geht langsamer voran.
 
Pff, wers glaubt.

TSMC hat es sich zu Hauptaufgabe gemacht, das blaue vom Himmel zu verprechen und am Ende kommt immer das gleiche:

"Wir habens jetzt ma versucht ... klappt doch nich."

Glaub die haben noch nie was im vorher gesetzten zeitlichen Rahmen auf die Reihe bekommen ...
 
Hallo,
die 14nm werden sicherlich durch EUV-Lithografie realisiert. Die letzte Strukturgröße mit Immersionslithografie dürfte wohl der 22nm-Knoten sein.

Ob die das Licht überhaupt so dünn bekommen, bei der Wafergröße eher nicht. Naja, so in 2020 haben wir dann erste Produkte von TSMC.
 
ewndb schrieb:
Ob die das Licht überhaupt so dünn bekommen, bei der Wafergröße eher nicht. Naja, so in 2020 haben wir dann erste Produkte von TSMC.
Licht und dünn? :lol:
Es kommt auf die Wellenlänge des Lichtes an. Normalerweise ist bei Strukturbeiten von der halben Wellenlänge schluss (bei viloettem Licht beträgt die Wellenlänge um die 400nm), doch mitterweile wurde die Belichtung durch Linseneffekte (Belichtung in Flüssigkeiten) soweit verbessert, dass man Strukturbreiten belichten kann, die <1/10 der Wellenlänge des Belichtungslichtes entspricht.
Doch irgendwann ist schluss und man muss auf hartes UV-Licht (UV-C --> 100 bis 200 nm Wellenlänge), später sogar auf Extremes UV-Licht (EUV --> 1 bis 100 nm Wellenlänge --> alles < 50 nm wird auch als weiche Röntgenstrahlung bezeichnet) umsteigen. Hier macht jedoch vor allem die Bündelung des Lichtes Probleme: Gläser, die im sichtbaren Licht bündeln (Linsen), tun dies bei extrem hochfrequentem Licht nicht mehr, da das Licht durch das Glas einfach geradlinig hindurch geht. Da muss man also noch eine Weile Forschen, doch EUV verspricht Strukturbreiten bis in den einstelligen nm-Bereich (mehr geht nicht, weil die Transistoren sonst weniger als 10 Atomlagen dick sind und nicht mehr den Stromfluss sperren können).

LG,
Martin
 
Zuletzt bearbeitet:
@Weyoun

Du hast Recht, es gibt kein dünnes Licht. Auf die Welle-Teilchen Problematik sollte hier aber nicht eingegangen werden.

Die aktuelle Wellenlänge zur Herstellung beträgt 193nm eines ArF-Lasers und wird als Deep Ultra Violet (DUV) bezeichnet. Wenn dich genauer interessiert wie man daraus kleinere Strukturen erzeugt, dann google mal folgende Begriffe:
Resolution Enhancement Techniques (Phase Shift Masks, Optical Proximity Correction, Off-Axis Illumination), Multiple Patterning, Immersionslithografie und ganz neu Source Mask Optimization.

Der Bereich der Rötgenstrahlung beginnt ab 50nm und wird als "weiche Röntgenstrahlung" bezeichnet, während bei kleineren Wellenlängen von "harter Röntgenstrahlung" die Rede ist. Herkömmliche Linsen können jetzt nicht mehr verwendet werden, weil sie das Licht REFLEKTIEREN, also intransparent werden. Bei der EUV-Lithografie muss daher alles neu konzipiert werden, da jetzt nur noch mit Spiegeln gearbeitet werden kann.

Der ganze Spaß funktioniert dann bei rund 13nm Wellenlänge und wird als EUV-Lithografie bezeichnet.

Ich hoffe ihr informiert euch vorher bevor ihr euer "Wissen" verbreitet. Ihr schadet sonst mehr als ihr helft :)
 
bin ja mal gespannt wie weit das noch runtergeht! an der uni früher wäre das schon als fast unmöglich genannt worden! :)
 
ujnd am ende ist es 14nm chips auf 300mm wafern ende 2016 kennt man doch ...
 
Matzegr schrieb:
Die 14nm mittels EUV-Lithografie oder immernoch mittels Immersionslithografie?
crasher.sys schrieb:
Hallo,
die 14nm werden sicherlich durch EUV-Lithografie realisiert. Die letzte Strukturgröße mit Immersionslithografie dürfte wohl der 22nm-Knoten sein.
ASML auf Expansionskurs mit EUV-Equipment
Bedingt durch die immer kleiner werdenden Strukturen im Nanometer-Bereich wird die aktuell eingesetzte Immersionslithografie mit einer Wellenlänge von 193 Nanometer spätestens bei der 16/14-nm-Fertigung an ihren Grenzen angelangt sein.
Elektronenstrahllithografie für die Massenfertigung?
Ob sich das Verfahren wirklich in der Massenfertigung durchsetzen kann, wird nicht zuletzt davon abhängen, wie weit die Hersteller mit der EUV-Lithografie kommen und ob die Probleme der Elektronenstrahllithografie sich auch im industriellen Einsatz lösen lassen.
 
2015 schon 14nm TSMC??? Lol ich würde langsam mal mit solchen Zukunft Prognosen aufhören. man liest immer so was und haben immer wie aktuelle mit den neuen Fertigungsgrößen Probleme wo sich dann wieder eine GPU Generation verschieben weil Fertiger wie TSMC es nicht schaffen.
 
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