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Mit feineren Strukturen wird alles besser? Noch im November letzten Jahres konnte Intel erste Erfolge bei der Fertigung in 65 nm feinen Strukturen verkünden. Man hatte einen voll funktionsfähigen 4 Mbit großen SRAM-Speicher gefertigt, bei dem jede 1-bit-Speicherzelle - bestehend aus sechs Transistoren - auf einer Fläche von 0,57 µm² Platz findet.
Zur News: Intel: Große Fortschritte bei 65 nm
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