Samsung DDR333 512MB auf KT333... taugt das was?

Ostfriese

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Moin Leude!

So... den zweiten Band des Herr der Ringe habe ich durch und mir brennt eine Frage auf der Zunge (auch wenn ich damit meinen Schwur, den ich leistete ein wenig "dehne" :D)

Wenn ich von Samsung ein PC2700 RAM-Modul mit 512MB (CL2.5) kaufe und es auf dem ASUS A7V333 Motherboard betreiben will, ist das dann besser/schneller als ein PC2100 CL 2 Modul von z.B. Infineon?

Zweite Frage: :D

Kann ich das DDR333 Modul NOTFALLS auch mit DDR266 betreiben auf 2-2-2-5-1 ???

Es müsste gehen!

Hier ist mal ein Auszug aus der Beschreibung des Moduls:
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M368L6423CTL
M368L6423CTL DDR SDRAM 184pin DIMM
64Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM based on 32Mx8

General Description


The Samsung M368L6423CTL is 32M bit x 64 Double Data Rate SDRAM high density memory module. The Samsung M368L6423CTL consists of sixteen CMOS 32M x 8 bit with 4banks Double Data Rate SDRAMs in 66pin TSOP-II(400mil) packages mounted on a 184pin glass-epoxy substrate. Four 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the printed circuit board in parallel for each DDR SDRAM. The M368L6423CTL Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.
Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock. I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable latencies and burst lengths allows the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.



Features

Performance Range

Part No. Max Freq. Interface

M368L6423CTL-C(L)B3 167MHz(6.0ns@CL=2.5) SSTL_2

M368L6423CTL-C(L)A2 133MHz(7.5ns@CL=2) SSTL_2

M368L6423CTL-C(L)B0 133MHz(7.5ns@CL=2.5) SSTL_2


Power supply : Vdd: 2.5V ± 0.2V, Vddq: 2.5V ± 0.2V
Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
Bidirectional data strobe(DQS)
Differential clock inputs(CK and /CK)
DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
Programmable Read latency 2, 2.5 (clock)
Programmable Burst length (2, 4, 8)
Programmable Burst type (sequential & interleave)
Edge aligned data output, center aligned data input
Auto & Self refresh, 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)
Serial presence detect with EEPROM
PCB : Height 1250 (mil), double sided component
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Ich denke, dass das Modul mir gefallen könnte.
Besser, als das ORIGINAL Infineon DDR266 CL2!

Gruß
Frank... nun muss ich weiter lesen! *freu*
 
Du stellst eine Frage und gibst Dir gleichzeitig die Antwort, also was soll dann die Frage? Wer von uns hat denn schon ein Board mit ASUS A7V333 + dem DDR333/512MB von Samsung, es gibt diese Rams ja fast noch nirgends zu kaufen oder hast Du schon einen Händler gefunden. Alles andere hast Du doch wohl, wie wir Dich kennen, schon selbst recherchiert, indem Du die Testberichte gelesen hast. Deshalb müßtest Du uns doch wohl eher sagen können ob "ist das dann besser/schneller als ein PC2100 CL 2 Modul von z.B. Infineon" oder doch nicht. Oder willst Du einfach nur hören, das Du dann das beste Teil hast, wenn Du es denn hast? Lies weiter und mach Dich nicht zum Kaspar, dafür kennen wir Dich zu gut. (Meine Meinung) :lol: werkam :lol:
 
Ich hab nen ASUS A7V333 mit 512mb DDR PC2700 von Micron auch CL 2.5 . Das System läuft auch noch mit den schärferen Speichereinstellungen sprich CL2 etc. völlig stabil. Selbst wenn ich den den FSB auf 145 Mhz hochjage = bei einem Teiler von 5:4 = 181 MHz = 362 MHz effektiver Takt gabs bisher noch keinen Absturz. Bei den Samsung Module sollte dies ähnlich aussehen.
 
Mal unabhängig davon, obder Ostfreise die Antwort auf seine Frage schon selbst weiß oder nicht:
Ich würde von der 333-Kiste die Finger lassen. Verschidenen Fachblätter (z.B. c't) sind auch der Meinung. Dann doch lieber ein feines 266er-System!
 
Ich habe irgenwo gelesen das die Spezifaktionen der 333 noch garnicht feststanden und schon die ersten Module im umlauf sind. Ich würde keine 333-Module nehmen, einfach zu riskant.
 

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