Ostfriese
Forenkasper
- Registriert
- Dez. 2001
- Beiträge
- 2.368
Moin Leude!
So... den zweiten Band des Herr der Ringe habe ich durch und mir brennt eine Frage auf der Zunge (auch wenn ich damit meinen Schwur, den ich leistete ein wenig "dehne" )
Wenn ich von Samsung ein PC2700 RAM-Modul mit 512MB (CL2.5) kaufe und es auf dem ASUS A7V333 Motherboard betreiben will, ist das dann besser/schneller als ein PC2100 CL 2 Modul von z.B. Infineon?
Zweite Frage:
Kann ich das DDR333 Modul NOTFALLS auch mit DDR266 betreiben auf 2-2-2-5-1 ???
Es müsste gehen!
Hier ist mal ein Auszug aus der Beschreibung des Moduls:
-------------------------------------------------------------------------
M368L6423CTL
M368L6423CTL DDR SDRAM 184pin DIMM
64Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM based on 32Mx8
General Description
The Samsung M368L6423CTL is 32M bit x 64 Double Data Rate SDRAM high density memory module. The Samsung M368L6423CTL consists of sixteen CMOS 32M x 8 bit with 4banks Double Data Rate SDRAMs in 66pin TSOP-II(400mil) packages mounted on a 184pin glass-epoxy substrate. Four 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the printed circuit board in parallel for each DDR SDRAM. The M368L6423CTL Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.
Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock. I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable latencies and burst lengths allows the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.
Features
Performance Range
Part No. Max Freq. Interface
M368L6423CTL-C(L)B3 167MHz(6.0ns@CL=2.5) SSTL_2
M368L6423CTL-C(L)A2 133MHz(7.5ns@CL=2) SSTL_2
M368L6423CTL-C(L)B0 133MHz(7.5ns@CL=2.5) SSTL_2
Power supply : Vdd: 2.5V ± 0.2V, Vddq: 2.5V ± 0.2V
Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
Bidirectional data strobe(DQS)
Differential clock inputs(CK and /CK)
DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
Programmable Read latency 2, 2.5 (clock)
Programmable Burst length (2, 4, 8)
Programmable Burst type (sequential & interleave)
Edge aligned data output, center aligned data input
Auto & Self refresh, 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)
Serial presence detect with EEPROM
PCB : Height 1250 (mil), double sided component
-------------------------------------------------------------------------
Ich denke, dass das Modul mir gefallen könnte.
Besser, als das ORIGINAL Infineon DDR266 CL2!
Gruß
Frank... nun muss ich weiter lesen! *freu*
So... den zweiten Band des Herr der Ringe habe ich durch und mir brennt eine Frage auf der Zunge (auch wenn ich damit meinen Schwur, den ich leistete ein wenig "dehne" )
Wenn ich von Samsung ein PC2700 RAM-Modul mit 512MB (CL2.5) kaufe und es auf dem ASUS A7V333 Motherboard betreiben will, ist das dann besser/schneller als ein PC2100 CL 2 Modul von z.B. Infineon?
Zweite Frage:
Kann ich das DDR333 Modul NOTFALLS auch mit DDR266 betreiben auf 2-2-2-5-1 ???
Es müsste gehen!
Hier ist mal ein Auszug aus der Beschreibung des Moduls:
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M368L6423CTL
M368L6423CTL DDR SDRAM 184pin DIMM
64Mx64 DDR SDRAM 184pin DIMM based on 32Mx8
General Description
The Samsung M368L6423CTL is 32M bit x 64 Double Data Rate SDRAM high density memory module. The Samsung M368L6423CTL consists of sixteen CMOS 32M x 8 bit with 4banks Double Data Rate SDRAMs in 66pin TSOP-II(400mil) packages mounted on a 184pin glass-epoxy substrate. Four 0.1uF decoupling capacitors are mounted on the printed circuit board in parallel for each DDR SDRAM. The M368L6423CTL Dual In-line Memory Module and is intended for mounting into 184pin edge connector sockets.
Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock. I/O transactions are possible on every clock cycle. Range of operating frequencies, programmable latencies and burst lengths allows the same device to be useful for a variety of high bandwidth, high performance memory system applications.
Features
Performance Range
Part No. Max Freq. Interface
M368L6423CTL-C(L)B3 167MHz(6.0ns@CL=2.5) SSTL_2
M368L6423CTL-C(L)A2 133MHz(7.5ns@CL=2) SSTL_2
M368L6423CTL-C(L)B0 133MHz(7.5ns@CL=2.5) SSTL_2
Power supply : Vdd: 2.5V ± 0.2V, Vddq: 2.5V ± 0.2V
Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
Bidirectional data strobe(DQS)
Differential clock inputs(CK and /CK)
DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
Programmable Read latency 2, 2.5 (clock)
Programmable Burst length (2, 4, 8)
Programmable Burst type (sequential & interleave)
Edge aligned data output, center aligned data input
Auto & Self refresh, 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)
Serial presence detect with EEPROM
PCB : Height 1250 (mil), double sided component
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Ich denke, dass das Modul mir gefallen könnte.
Besser, als das ORIGINAL Infineon DDR266 CL2!
Gruß
Frank... nun muss ich weiter lesen! *freu*